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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6524ENZC8 | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | R6524 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 846-R6524ENZC8 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10V | 4V @ 750µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 1650 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||
![]() | IPB039N10N3GE8187ATMA1 | - | ![]() | 3172 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IPB039 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 160A (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 100a, 10V | 3.5V @ 160µA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 8410 pf @ 50 v | - | 214W (TC) | ||
RSS075P03FU6TB | - | ![]() | 9184 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | RSS075 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 7.5A (TA) | 4V, 10V | 21mohm @ 7.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 30 nc @ 5 v | ± 20V | 2900 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||
![]() | MSJU11N65-TP | - | ![]() | 9419 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MSJU11 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 30V | 901 pf @ 50 v | - | 78W (TC) | ||
![]() | FDB33N25TM | - | ![]() | 7869 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | unifet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 250 v | 33A (TC) | 10V | 94mohm @ 16.5a, 10V | 5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 30V | 2135 pf @ 25 v | - | 235W (TC) | ||||||
![]() | FQD5P20TF | - | ![]() | 5905 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD5 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 200 v | 3.7A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.85a, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||
![]() | AoTF8N50 | 0.5670 | ![]() | 5676 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF8 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10V | 4.5V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 30V | 1042 pf @ 25 v | - | 38.5W (TC) | ||
![]() | RK7002AT116 | - | ![]() | 1406 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RK7002 | MOSFET (금속 (() | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 300MA (TA) | 4V, 10V | 1ohm @ 300ma, 10V | 2.5V @ 1mA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 33 pf @ 10 v | - | 200MW (TA) | ||
SUP70N03-09BP-E3 | - | ![]() | 2489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup70 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 9MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 19 NC @ 5 v | ± 20V | 1500 pf @ 25 v | - | 93W (TC) | ||||
![]() | GT10N10 | 0.1240 | ![]() | 100 | 0.00000000 | goford 반도체 | GT | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 7A (TC) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 4.3 NC @ 10 v | ± 20V | 206 pf @ 50 v | - | 17W (TC) | |||||
![]() | AONR21321 | 0.4600 | ![]() | 332 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AONR213 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 16.5mohm @ 12a, 10V | 2.3V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 25V | 1180 pf @ 15 v | - | 4.1W (TA), 24W (TC) | ||
![]() | BUK9M15-60EX | 0.9100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | BUK9M15 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 47A (TA) | 5V, 10V | 13mohm @ 10a, 10V | 2.45V @ 1MA | 17 nc @ 5 v | ± 10V | 2230 pf @ 25 v | - | 75W (TA) | ||
![]() | AON1620 | - | ![]() | 1592 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerufdfn | AON16 | MOSFET (금속 (() | 6-DFN (1.6x1.6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 4A (TA) | 1.5V, 4.5V | 22mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 8V | 770 pf @ 6 v | - | 1.8W (TA) | |||
![]() | 2SK3483 (0) -z-e1-ay | - | ![]() | 4404 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 | 28A (TJ) | |||||||||||||||||||
![]() | irl6342pbf | - | ![]() | 2139 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001558090 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 9.9A (TA) | 2.5V, 4.5V | 14.6mohm @ 9.9a, 4.5v | 1.1V @ 10µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1025 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||
FDB070AN06A0-F085 | 2.2676 | ![]() | 8331 | 0.00000000 | 온세미 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB070 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 15A (TA) | 10V | 7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 175W (TC) | |||
![]() | IRF7523D1 | - | ![]() | 1228 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | MOSFET (금속 (() | Micro8 ™ | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 2.7A (TA) | 4.5V, 10V | 130mohm @ 1.7a, 10V | 1V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 210 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.25W (TA) | |||
![]() | AO4419 | 0.7000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 9.7A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 9.7a, 10V | 2.7V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||
IXFP18N65X2 | 5.2200 | ![]() | 6449 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXFP18 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXFP18N65X2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 18A (TC) | 10V | 200mohm @ 9a, 10V | 5V @ 1.5MA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 1520 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | ||
![]() | TSM60NC196CM2 RNG | 9.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | TSM60 | MOSFET (금속 (() | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 28A (TC) | 10V | 196MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 1MA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1566 pf @ 300 v | - | 152W (TC) | ||
![]() | SPD30N03S2L-10 | - | ![]() | 9300 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | spd30n | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 10MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 50µA | 41.8 nc @ 10 v | ± 20V | 1550 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||
![]() | irfr8314trpbf | 1.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR8314 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2MOHM @ 90A, 10V | 2.2v @ 100µa | 54 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4945 pf @ 15 v | - | 125W (TC) | ||
![]() | IRFR420PBF-BE3 | 0.7513 | ![]() | 1006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 742-irfr420pbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 2.4A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
![]() | IRFD9220PBF | 2.7600 | ![]() | 2009 년 년 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9220 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | p 채널 | 200 v | 560MA (TA) | 10V | 1.5ohm @ 340ma, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||
![]() | PSMN2R8-25MLC115 | - | ![]() | 5178 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | PHP21N06T, 127 | - | ![]() | 7939 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP21 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 21A (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 500 pf @ 25 v | - | 69W (TC) | ||
![]() | AOT5N100 | 1.2302 | ![]() | 6785 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT5 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 1000 v | 4A (TC) | 10V | 4.2ohm @ 2.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 1150 pf @ 25 v | - | 195W (TC) | ||
![]() | IGT60R190D1ATMA1 | - | ![]() | 9678 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | NTD6N40 | 0.7200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | RF1S25N06SM9A | 0.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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