SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120, LQ (cm -
RFQ
ECAD 9207 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8120 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 45A (TA) 4.5V, 10V 3MOHM @ 22.5A, 10V 2V @ 1mA 190 NC @ 10 v +20V, -25V 7420 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
DIT090N06 Diotec Semiconductor DIT090N06 0.9398
RFQ
ECAD 6031 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DIT090N06 8541.21.0000 50 n 채널 65 v 90A (TC) 10V 7mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 94 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 160W (TC)
NTDV5805NT4G onsemi NTDV5805NT4G -
RFQ
ECAD 8395 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTDV58 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 51A (TC) 5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 25 v - -
IXTA3N100D2HV-TRL IXYS IXTA3N100D2HV-TRL 3.4518
RFQ
ECAD 4915 0.00000000 ixys 고갈 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA3 MOSFET (금속 (() TO-263HV - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA3N100D2HV-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1000 v 3A (TJ) 0V 6ohm @ 1.5a, 0v 4.5V @ 250µA 37.5 nc @ 5 v ± 20V 1020 pf @ 25 v 고갈 고갈 125W (TC)
STF19NM65N STMicroelectronics STF19NM65N -
RFQ
ECAD 2469 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF19 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15.5A (TC) 10V 270mohm @ 7.75a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 25V 1900 pf @ 50 v - 35W (TC)
FDMS7670 onsemi FDMS7670 1.4000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS76 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 fdms7670tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 21A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 21a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 4105 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 62W (TC)
AUIRLS3036-7TRL Infineon Technologies auirls3036-7trl -
RFQ
ECAD 9385 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) auirls3036 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518960 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 240A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 180a, 10V 2.5V @ 250µA 160 nc @ 4.5 v ± 16V 11270 pf @ 50 v - 380W (TC)
SQ1420EEH-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ1420EEH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2902 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SQ1420 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 1.6A (TC) 140mohm @ 1.2a, 10V 2.5V @ 250µA 4 NC @ 4.5 v 215 pf @ 25 v -
STFW38N65M5 STMicroelectronics STFW38N65M5 4.8165
RFQ
ECAD 1015 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 STFW38 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15006-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 95mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 25V 3000 pf @ 100 v - 57W (TC)
PSMN057-200B,118 Nexperia USA Inc. PSMN057-200B, 118 2.9300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN057 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 39A (TC) 10V 57mohm @ 17a, 10V 4V @ 1MA 96 NC @ 10 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 250W (TC)
SFU9034TU Fairchild Semiconductor SFU9034TU 0.2600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 14A (TC) 10V 140mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 25V 1155 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 49W (TC)
FDD8870-F085 onsemi FDD8870-F085 -
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD887 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 20V 5160 pf @ 15 v - 160W (TC)
PSMNR60-25YLHX Nexperia USA Inc. psmnr60-25ylhx 3.1000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmnr60 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 300A (TA) 4.5V, 10V 700mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 147 NC @ 10 v ± 20V 8117 pf @ 12 v - 268W (TA)
RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor rj1l12bgntll 6.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1L12 MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 120A (TA) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 500µA 175 NC @ 10 v ± 20V 9000 pf @ 30 v - 192W (TA)
2N7002LT7H onsemi 2N7002LT7H -
RFQ
ECAD 4571 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,500 n 채널 60 v 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
NVMTS0D6N04CLTXG onsemi NVMTS0D6N04CLTXG 8.4200
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - NVMTS0 MOSFET (금속 (() - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 78.9A (TA), 554.5A (TC) 4.5V, 10V 0.42mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 265 NC @ 10 v ± 20V 16013 PF @ 20 v - 5W (TA), 245W (TC)
NVMFS5C430NLT3G onsemi NVMFS5C430NLT3G -
RFQ
ECAD 5162 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 200a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
IXTX17N120L IXYS IXTX17N120L 41.4727
RFQ
ECAD 4561 0.00000000 ixys 선의 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXTX17 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 17A (TC) 20V 900mohm @ 8.5a, 20V 5V @ 250µA 155 nc @ 15 v ± 30V 8300 pf @ 25 v - 700W (TC)
FDMC86102 onsemi FDMC86102 2.2700
RFQ
ECAD 2256 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMC86 MOSFET (금속 (() Power33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7A (TA), 20A (TC) 6V, 10V 24mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 965 pf @ 50 v - 2.3W (TA), 41W (TC)
GPI65005DF68 GaNPower GPI65005DF68 2.5000
RFQ
ECAD 490 0.00000000 ganpower - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 Ganfet ((갈륨) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4025-gpi65005df68tr 3A001 8541.49.7000 1 n 채널 650 v 5a 6V 1.7v @ 3.5ma 1.6 NC @ 6 v +7.5V, -12V 39 pf @ 500 v
SIHP35N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP35N60E-GE3 3.1987
RFQ
ECAD 8954 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP35 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 94mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 30V 2760 pf @ 100 v - 250W (TC)
IPB14N03LA Infineon Technologies IPB14N03LA -
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB14N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 30A, 10V 2V @ 20µA 8.3 NC @ 5 v ± 20V 1043 pf @ 15 v - 46W (TC)
DMJ70H600HCTI Diodes Incorporated DMJ70H600HCTI -
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 DMJ70 MOSFET (금속 (() ito-220ab (Type th) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 31-DMJ70H600HCTI 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 6.6A (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 250µA 17.4 NC @ 10 v ± 30V 570 pf @ 25 v - 2.8W (TA), 65W (TC)
DMP3097L-7 Diodes Incorporated DMP3097L-7 0.0916
RFQ
ECAD 1401 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3097 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP3097L-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.9A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.8a, 10V 2.1V @ 250µA 13.4 NC @ 10 v ± 20V 563 pf @ 25 v - 1W
IRLL014TR Vishay Siliconix irll014tr -
RFQ
ECAD 2957 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 1.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
BUK7608-40B,118 Nexperia USA Inc. BUK7608-40B, 118 -
RFQ
ECAD 3475 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 36 nc @ 10 v ± 20V 2689 pf @ 25 v - 157W (TC)
IRFD120 Vishay Siliconix IRFD120 -
RFQ
ECAD 6501 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD120 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.3A (TA) 10V 270mohm @ 780ma, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
IRFP140PBF Vishay Siliconix IRFP140PBF 4.1400
RFQ
ECAD 458 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP140 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP140PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 31A (TC) 10V 77mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 180W (TC)
SFT1452-W onsemi SFT1452-W -
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA SFT145 MOSFET (금속 (() IPAK/TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 3A (TA) 10V 2.4ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 1mA 4.2 NC @ 10 v ± 30V 210 pf @ 20 v - 1W (TA), 26W (TC)
AOTF8N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF8N65 0.6804
RFQ
ECAD 9786 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF8 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 1.15ohm @ 4a, 10V 4.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고