SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRL3715ZPBF Infineon Technologies IRL3715ZPBF -
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
FQP44N10 Fairchild Semiconductor FQP44N10 -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 43.5A (TC) 10V 39mohm @ 21.75a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 25 v - 146W (TC)
AUIRFP4568 Infineon Technologies AUIRFP4568 11.6800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AUIRFP4568 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 150 v 171A (TC) 10V 5.9mohm @ 103a, 10V 5V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 30V 10470 pf @ 50 v - 517W (TC)
IRFS4610PBF Infineon Technologies IRFS4610PBF -
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
MCH6445-TL-E onsemi MCH6445-TL-E -
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH64 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4A (TA) 78mohm @ 2a, 10V - 10 nc @ 10 v 505 pf @ 20 v -
IRLHM620TR2PBF Infineon Technologies irlhm620tr2pbf -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-vqfn q 패드 MOSFET (금속 (() PQFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 20 v 26A (TA), 40A (TC) 2.5mohm @ 20a, 4.5v 1.1V @ 50µA 78 NC @ 4.5 v 3620 pf @ 10 v -
AON4407L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4407L -
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 Aon44 MOSFET (금속 (() 8-DFN (3x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 9A (TA) 1.5V, 4.5V 20mohm @ 9.5a, 4.5v 850MV @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 8V 2100 pf @ 6 v - 2.5W (TA)
IRF2804STRR Infineon Technologies IRF2804STRR -
RFQ
 ECAD 9562 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 330W (TC)
SISS30ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS30ADN-T1-GE3 1.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS30 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 15.9A (TA), 54.7A (TC) 7.5V, 10V 8.9mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1295 pf @ 40 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
IRF7807D2TRPBF Infineon Technologies IRF7807D2TRPBF -
RFQ
 ECAD 6160 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 12V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
YJL2304A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2304A 0.2100
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 39mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 4.2 NC @ 10 v ± 20V 520 pf @ 15 v - 1W (TA)
FQI4N25TU onsemi fqi4n25tu -
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI4 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 3.6A (TC) 10V 1.75ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 5.6 NC @ 10 v ± 30V 200 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 52W (TC)
IPA50R800CE Infineon Technologies IPA50R800CE -
RFQ
 ECAD 4490 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 13V 800mohm @ 1.5a, 13v 3.5V @ 130µA 12.4 NC @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 26.4W (TC)
NTD60N02R-001 onsemi NTD60N02R-001 0.1400
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 NTD60 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75
IPB80N06S2H5AUMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2H5AUMA1 -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 IPB80 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000 -
IRLIZ34NPBF Infineon Technologies irliz34npbf 1.4200
RFQ
 ECAD 863 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 irliz34 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 22A (TC) 4V, 10V 35mohm @ 12a, 10V 2V @ 250µA 25 nc @ 5 v ± 16V 880 pf @ 25 v - 37W (TC)
NTD3813N-1G onsemi NTD3813N-1G -
RFQ
 ECAD 5049 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD38 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 16 v 9.6A (TA), 51A (TC) 4.5V, 10V 8.75mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12.8 nc @ 4.5 v ± 16V 963 pf @ 12 v - 1.2W (TA), 34.9W (TC)
IXTP80N10T IXYS IXTP80N10T 3.4400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP80 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 14mohm @ 25a, 10V 5V @ 100µa 60 nc @ 10 v ± 20V 3040 pf @ 25 v - 230W (TC)
STF20N65M5 STMicroelectronics STF20N65M5 3.2600
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF20 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 1345 pf @ 100 v - 30W (TC)
IRF6718L2TRPBF Infineon Technologies IRF6718L2TRPBF -
RFQ
 ECAD 4665 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L6 MOSFET (금속 (() DirectFet L6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 25 v 61A (TA), 270A (TC) 4.5V, 10V 0.7mohm @ 61a, 10V 2.35V @ 150µA 96 NC @ 4.5 v ± 20V 6500 pf @ 13 v - 4.3W (TA), 83W (TC)
RM80N80T2 Rectron USA RM80N80T2 0.5200
RFQ
 ECAD 3910 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N80T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 80 v 80A (TA) 10V 8.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4100 pf @ 25 v - 170W (TA)
AUIRLR024ZTRL International Rectifier auirlr024ztrl 1.0000
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 16A (TC) 58mohm @ 9.6a, 10V 3V @ 250µA 9.9 NC @ 5 v ± 16V 380 pf @ 25 v - 35W (TC)
SPI11N60CFDHKSA1 Infineon Technologies SPI11N60CFDHKSA1 -
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA spi11n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10V 5v @ 500µa 64 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
MMIX1T132N50P3 IXYS MMIX1T132N50P3 52.7300
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 ixys Polar ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 24-powersmd, 22 리드 MMIX1T132 MOSFET (금속 (() Polar3 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -mmix1t132n50p3 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 500 v 63A (TC) 10V 43mohm @ 66a, 10V 5V @ 8MA 267 NC @ 10 v ± 30V 18600 pf @ 25 v - 520W (TC)
IRFSL4410PBF Infineon Technologies IRFSL4410PBF -
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001550234 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 88A (TC) 10V 10mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 180 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 50 v - 200W (TC)
HUF75545S3 Fairchild Semiconductor HUF75545S3 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 80 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 4V @ 250µA 235 NC @ 20 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 270W (TC)
SCT30N120H STMicroelectronics SCT30N120H 24.5100
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SCT30 sicfet ((카바이드) H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 40A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 3.5V @ 1mA 105 NC @ 20 v +25V, -10V 1700 pf @ 400 v - 270W (TC)
IRFZ44RSTRR Vishay Siliconix IRFZ44RSTRR -
RFQ
 ECAD 7617 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 150W (TC)
STI90N4F3 STMicroelectronics STI90N4F3 -
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI9 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 110W (TC)
IXFP24N60X IXYS IXFP24N60X 4.8011
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP24 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 175mohm @ 12a, 10V 4.5V @ 2.5MA 47 NC @ 10 v ± 30V 1910 pf @ 25 v - 400W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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