전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
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![]() | sir638dp-t1-ge3 | 1.6600 | ![]() | 3258 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir638 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.88mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 204 NC @ 10 v | +20V, -16V | 10500 pf @ 20 v | - | 104W (TC) | |||
![]() | IPI65R150CFD | 1.4700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos CFD2 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 22.4A (TC) | 10V | 150mohm @ 9.3a, 10V | 4.5V @ 900µA | 86 NC @ 10 v | ± 20V | 2340 pf @ 100 v | - | 195.3W (TC) | |||
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![]() | IRLR120TRL | - | ![]() | 5658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
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![]() | 2SJ602-Z-AZ | - | ![]() | 5498 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SI4890DY-T1-GE3 | - | ![]() | 6613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4890 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 11a, 10V | 800mv @ 250µa (최소) | 20 nc @ 5 v | ± 25V | - | 2.5W (TA) | ||||
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![]() | IRF7420 | - | ![]() | 4619 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7420 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 12 v | 11.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 11.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 38 NC @ 4.5 v | ± 8V | 3529 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | ||
![]() | IRF2807L | - | ![]() | 6834 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF2807L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 82A (TC) | 10V | 13mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 3820 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||
![]() | PhD20N06T, 118 | 0.2300 | ![]() | 6334 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 55 v | 18A (TC) | 10V | 77mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 422 pf @ 25 v | - | 51W (TC) | |||
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![]() | IPD50N04S408ATMA1 | 1.2800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 7.9mohm @ 50a, 10V | 4V @ 17µA | 22.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1780 pf @ 6 v | - | 46W (TC) | ||
![]() | SPD15p10pg | 1.0000 | ![]() | 3487 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 100 v | 15A (TC) | 10V | 240mohm @ 10.6a, 10V | 2.1V @ 1.54ma | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1280 pf @ 25 v | - | 128W (TC) | ||||||
![]() | IPD60R380C6 | - | ![]() | 9144 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 320µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 100 v | - | 83W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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