SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NTB65N02RT4G onsemi NTB65N02RT4G -
RFQ
ECAD 7485 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB65 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 25 v 7.6A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 9.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1330 pf @ 20 v - 1.04W (TA), 62.5W (TC)
CMS42N06V8-HF Comchip Technology CMS42N06V8-HF -
RFQ
ECAD 9043 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS42N06V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 42A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 39.2 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 2W (TA), 52W (TC)
IXTA90N15T IXYS IXTA90N15T -
RFQ
ECAD 5124 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA90 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 90A (TC) 10V 20mohm @ 45a, 10V 4.5V @ 1mA 80 nc @ 10 v ± 30V 4100 pf @ 25 v - 455W (TC)
PSMN1R9-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN1R9-25YLC, 115 -
RFQ
ECAD 5097 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn1r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.05mohm @ 25a, 10V 1.95v @ 1ma 57 NC @ 10 v ± 20V 3504 pf @ 12 v - 141W (TC)
IRF7807VPBF Infineon Technologies IRF7807VPBF -
RFQ
ECAD 6961 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001551538 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 20V - 2.5W (TA)
IXFQ26N50P3 IXYS IXFQ26N50P3 5.1826
RFQ
ECAD 5328 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ26 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 5V @ 4MA 42 NC @ 10 v ± 30V 2220 pf @ 25 v - 500W (TC)
IRLR9343PBF Infineon Technologies irlr9343pbf -
RFQ
ECAD 6683 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 55 v 20A (TC) 4.5V, 10V 105mohm @ 3.4a, 10V 1V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 50 v - 79W (TC)
UPA1760G-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA1760G-E1-AT -
RFQ
ECAD 5354 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 8A (TJ)
FA57SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division FA57SA50LC -
RFQ
ECAD 7881 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 FA57 MOSFET (금속 (() SOT-227 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 57A (TC) 10V 80mohm @ 34a, 10V 4V @ 250µA 338 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 25 v - 625W (TC)
STP8NM60FP STMicroelectronics STP8NM60FP -
RFQ
ECAD 7991 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP8N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 1ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 400 pf @ 25 v - 30W (TC)
AOD2HC60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2HC60 -
RFQ
ECAD 9535 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD2 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 2.5A (TC) 10V 2ohm @ 800ma, 10V 5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 30V 466 pf @ 100 v - 74W (TC)
SQP120N06-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQP120N06-3M5L_GE3 -
RFQ
ECAD 1739 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP120 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 14700 pf @ 25 v - 250W (TC)
IPP100N04S204AKSA1 Infineon Technologies IPP100N04S204AKSA1 -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP100N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.6mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 172 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 300W (TC)
ZVN3320ASTOB Diodes Incorporated ZVN3320ASTOB -
RFQ
ECAD 8099 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 100MA (TA) 10V 25ohm @ 100ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 625MW (TA)
TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL, L1Q 2.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPHR9003 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 30a, 10V 2.3v @ 1ma 74 NC @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 15 v - 1.6W (TA), 78W (TC)
FKI07117 Sanken FKI07117 -
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 42A (TC) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 31.2a, 10V 2.5V @ 1mA 54 NC @ 10 v ± 20V 4040 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRFP460NPBF Vishay Siliconix IRFP460NPBF -
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP460NPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 240mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 124 NC @ 10 v ± 30V 3540 pf @ 25 v - 280W (TC)
AOD3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. aod3n50 0.6800
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD3 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 2.8A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 331 pf @ 25 v - 57W (TC)
SPI11N60C3HKSA1 Infineon Technologies SPI11N60C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 3794 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA spi11n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000013522 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFP32N50K Vishay Siliconix IRFP32N50K -
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP32 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP32N50K 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 32A (TC) 10V 160mohm @ 32a, 10V 5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 30V 5280 pf @ 25 v - 460W (TC)
FDS8672S onsemi FDS8672S 1.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS8672 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 18a, 10V 3V @ 1mA 41 NC @ 10 v ± 20V 2670 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRF7476 Infineon Technologies IRF7476 -
RFQ
ECAD 5726 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 12 v 15A (TA) 2.8V, 4.5V 8mohm @ 15a, 4.5v 1.9V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 12V 2550 pf @ 6 v - 2.5W (TA)
NTMFS4744NT3G onsemi NTMFS4744NT3G -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 11.5V 7.6mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1300 pf @ 12 v - 880MW (TA), 47.2W (TC)
IRLML2803TRPBF-1 Infineon Technologies irlml2803trpbf-1 -
RFQ
ECAD 7735 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.2A (TA) 250mohm @ 910ma, 10V 1V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 85 pf @ 25 v - 540MW (TA)
AOTF20C60P_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF20C60P_001 -
RFQ
ECAD 8282 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF20 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 30V 3607 pf @ 100 v - 50W (TC)
SIHG14N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHG14N50D-GE3 3.2800
RFQ
ECAD 495 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG14 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 7a, 10V 5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 1144 pf @ 100 v - 208W (TC)
APT8030LVFRG Microchip Technology APT8030LVFRG 24.0000
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT8030 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 27A (TC) 300mohm @ 500ma, 10V 4V @ 2.5MA 510 nc @ 10 v 7900 pf @ 25 v -
FQPF6N50 onsemi FQPF6N50 -
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF6 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 3.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 790 pf @ 25 v - 42W (TC)
IRFIBC20G Vishay Siliconix irfibc20g -
RFQ
ECAD 2867 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibc20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfibc20g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 4.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 30W (TC)
2SJ653-CB11 onsemi 2SJ653-CB11 -
RFQ
ECAD 1109 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-2SJ653-CB11-488 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고