SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
TSM038N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33 RGG 1.7900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM038 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.1x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 78A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 19a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 2557 pf @ 15 v - 39W (TC)
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD70R600P7SAUMA1 0.9800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD70 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 8.5A (TC) 10V 600mohm @ 1.8a, 10V 3.5V @ 90µA 10.5 nc @ 10 v ± 16V 364 pf @ 400 v - 43W (TC)
ISL9N306AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N306AD3ST 0.3400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6ohm @ 50a, 10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 15 v - 125W (TA)
IRFR220NTRR Infineon Technologies irfr220ntrr -
RFQ
ECAD 5433 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5A (TC) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRF4905PBF Infineon Technologies IRF4905PBF 2.8100
RFQ
ECAD 76 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF4905 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 74A (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 200W (TC)
FDS6690A onsemi FDS6690A 0.8300
RFQ
ECAD 131 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS6690 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 11a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 20V 1205 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP11N60C3XKSA1 4.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp11n60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies BSC0909NSATMA1 0.6700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0909 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 34 v 12A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 9.2MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 27W (TC)
BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSZ130N03MSGATMA1 0.7800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ130 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 9A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 25W (TC)
BUK7S1R2-40HJ Nexperia USA Inc. BUK7S1R2-40HJ 3.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 BUK7S1 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 300A (TA) 10V 1.2MOHM @ 25A, 10V 3.6v @ 1ma 112 NC @ 10 v +20V, -10V 8420 pf @ 25 v - 294W (TA)
NTP75N06L onsemi NTP75N06L -
RFQ
ECAD 2124 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP75N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTP75N06LOS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 75A (TA) 5V 11mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250µA 92 NC @ 5 v ± 20V 4370 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 214W (TJ)
IXTP20N65XM IXYS IXTP20N65XM 7.8840
RFQ
ECAD 1018 0.00000000 ixys x. x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10V 5.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1390 pf @ 25 v - 63W (TC)
RS3L140GNGZETB Rohm Semiconductor RS3L140GNGZETB 2.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RS3L MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 14A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 14a, 10V 2.7V @ 500µA 58 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 30 v - 1.4W (TA)
IXTP90N055T IXYS IXTP90N055T -
RFQ
ECAD 3608 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP90 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 90A (TC) 10V 8.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 50µA 61 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 176W (TC)
NVMFS5C456NLT3G onsemi NVMFS5C456NLT3G -
RFQ
ECAD 4078 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 87A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 55W (TC)
FDB8160 Fairchild Semiconductor FDB8160 1.7000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB816 MOSFET (금속 (() TO-263AB - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 800 n 채널 30 v 80A (TC) 10V 1.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 243 NC @ 10 v ± 20V 11825 pf @ 15 v - 254W (TC)
NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi NTLJS3D0N02P8ZTAG 0.8800
RFQ
ECAD 4123 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerwdfn ntljs3 MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 12.1A (TA) 1.8V, 4.5V 3.8mohm @ 10a, 4.5v 1.2V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 12V 2165 pf @ 10 v - 860MW (TA)
IRFH7188TRPBF International Rectifier IRFH7188TRPBF 1.0000
RFQ
ECAD 6046 0.00000000 국제 국제 Fastirfet ™, Hexfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 18A (TA), 105A (TC) 10V 6ohm @ 50a, 10V 3.9V @ 150µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2116 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 132W (TC)
PMN42XPE,115 Nexperia USA Inc. PMN42XPE, 115 -
RFQ
ECAD 9909 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 46MOHM @ 3A, 4.5V 1.25V @ 250µA 17.3 NC @ 4.5 v ± 12V 1410 pf @ 10 v - 500MW (TA), 8.33W (TC)
BUZ73LHXKSA1 Infineon Technologies BUZ73LHXKSA1 -
RFQ
ECAD 3660 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 7A (TC) 5V 400mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 1mA ± 20V 840 pf @ 25 v - 40W (TC)
MTM231232LBF Panasonic Electronic Components MTM231232LBF -
RFQ
ECAD 2850 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MTM231232 MOSFET (금속 (() Smini3-G1-B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 1a, 4v 1.3v @ 1ma ± 10V 1000 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IXFA130N10T2 IXYS IXFA130N10T2 5.6500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA130 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 9.1MOHM @ 65A, 10V 4.5V @ 1mA 130 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 360W (TC)
SI7703EDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8628 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7703 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 800µA 18 nc @ 4.5 v ± 12V Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA)
FQPF17N40 onsemi FQPF17N40 -
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 9.5A (TC) 10V 270mohm @ 4.75a, 10V 5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 2300 pf @ 25 v - 56W (TC)
XP235N2001TR-G Torex Semiconductor Ltd XP235N2001tr-G 0.1021
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP235 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 1a, 10V 2.4V @ 250µA 3.6 NC @ 10 v ± 20V 220 pf @ 10 v - 400MW (TA)
IRL3102L Vishay Siliconix irl3102L -
RFQ
ECAD 6155 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl3102 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3102L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 61A (TC) 4.5V, 7V 13mohm @ 37a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 58 NC @ 4.5 v ± 10V 2500 pf @ 15 v - 89W (TC)
YJP70G10B Yangjie Technology YJP70G10B 0.5520
RFQ
ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJP70G10BTR 귀 99 1,000
IRFSL9N60A Vishay Siliconix IRFSL9N60A -
RFQ
ECAD 4670 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL9 MOSFET (금속 (() TO-262-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
FQT1N60CTF-WS onsemi fqt1n60ctf-ws 0.7300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FQT1N60 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 600 v 200MA (TC) 10V 11.5ohm @ 100ma, 10V 4V @ 250µA 6.2 NC @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 2.1W (TC)
IRC640PBF Vishay Siliconix IRC640PBF -
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRC640 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRC640PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v 현재 현재 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고