SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
VN2222LL onsemi vn2222ll -
RFQ
ECAD 5436 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) VN2222 MOSFET (금속 (() TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 60 v 150MA (TA) 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 400MW (TA)
PSMN3R5-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R5-30YL, 115 1.2000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn3r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 41 NC @ 10 v ± 20V 2458 pf @ 12 v - 74W (TC)
IRLR014NPBF Infineon Technologies IRLR014NPBF -
RFQ
ECAD 9654 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 1V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
BUK7M17-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M17-80EX 1.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M17 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 43A (TC) 10V 17mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 29.6 NC @ 10 v ± 20V 2031 pf @ 25 v - 79W (TC)
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated DMN6040SK3-13 0.6400
RFQ
ECAD 9632 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN6040 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1287 pf @ 25 v - 42W (TC)
DMP3028LFDEQ-7 Diodes Incorporated DMP3028LFDEQ-7 0.1262
RFQ
ECAD 8060 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMP3028 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP3028LFDEQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.8A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1860 pf @ 15 v - 660MW (TA)
TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA03CR RLG 0.8500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM033 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 129A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 21a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 15 v - 96W (TC)
ZVP1320FTC Diodes Incorporated ZVP1320FTC -
RFQ
ECAD 3001 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 200 v 35MA (TA) 10V 80ohm @ 50ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4425DDY-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 63 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4425 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 19.7A (TC) 4.5V, 10V 9.8mohm @ 13a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2610 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
AOSP21313C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSP21313C 0.6300
RFQ
ECAD 398 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AOSP213 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 7a, 10V 2.2V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
2SK1898-E onsemi 2SK1898-E -
RFQ
ECAD 9707 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
AUIRFR5505TRL International Rectifier auirfr5505trl 0.7900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 55 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 57W (TC)
SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS32LDN-T1-GE3 1.2200
RFQ
ECAD 5243 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISS32 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 17.4A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2550 pf @ 40 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R012M2HXTMA1 33.0922
RFQ
ECAD 5420 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IMBG120R012M2HXTMA1TR 1,000
BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC016N06NSATMA1 2.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC016 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 30A (TA), 100A (TC) 6V, 10V 1.6mohm @ 50a, 10V 2.8V @ 95µA 71 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 139W (TC)
IXFX52N60Q2 IXYS IXFX52N60Q2 -
RFQ
ECAD 8212 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q2 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX52 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 52A (TC) 10V 115mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 8mA 198 NC @ 10 v ± 30V 6800 pf @ 25 v - 735W (TC)
MCP87130T-U/MF Microchip Technology MCP87130T-U/MF -
RFQ
ECAD 5401 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MCP87130 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,300 n 채널 25 v 43A (TC) 3.3V, 10V 13.5mohm @ 10a, 10V 1.7V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v +10V, -8V 400 pf @ 12.5 v - 2.1W (TA)
IPF13N03LA G Infineon Technologies IPF13N03LA g 0.5000
RFQ
ECAD 485 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPF13N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 12.8mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 8.3 NC @ 5 v ± 20V 1043 pf @ 15 v - 46W (TC)
IXFP12N65X2 IXYS IXFP12N65X2 4.1400
RFQ
ECAD 293 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP12 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 310mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 18.5 nc @ 10 v ± 30V 1134 pf @ 25 v - 180W (TC)
IRFR9214TRLPBF Vishay Siliconix irfr9214trlpbf 1.5500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
DMN2004WK-7-50 Diodes Incorporated DMN2004WK-7-50 0.0702
RFQ
ECAD 8177 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 31-DMN2004WK-7-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 540MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA ± 8V 150 pf @ 16 v - 200MW (TA)
IRF7663TRPBF Infineon Technologies irf7663trpbf -
RFQ
ECAD 9108 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 8.2A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 45 NC @ 5 v ± 12V 2520 pf @ 10 v - 1.8W (TA)
BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies BSC0906NSATMA1 0.7000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0906 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 18A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
IRFB4310PBF Infineon Technologies IRFB4310PBF 3.5900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB4310 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 7670 pf @ 50 v - 300W (TC)
RS3E075ATTB Rohm Semiconductor RS3E075ATTB 0.9100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RS3E MOSFET (금속 (() 8-SOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v - 4.5V, 10V 23.5mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 1mA 25 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 15 v - 2W (TA)
BSS138LT3 onsemi BSS138LT3 -
RFQ
ECAD 5479 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 5V 3.5ohm @ 200ma, 5V 1.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies IPD90N04S403ATMA1 1.8900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 3.2MOHM @ 90A, 10V 4V @ 53µA 66.8 nc @ 10 v ± 20V 5260 pf @ 25 v - 94W (TC)
2SK3818-DL-E Sanyo 2SK3818-DL-E 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
STP150NF04 STMicroelectronics STP150NF04 3.0400
RFQ
ECAD 810 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP150 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 7mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 3650 pf @ 25 v - 300W (TC)
NVMFS6B14NWFT1G onsemi NVMFS6B14NWFT1G -
RFQ
ECAD 1816 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 55A (TC) 10V 15mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 16V 1300 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고