SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IXTP3N50D2 IXYS ixtp3n50d2 3.9300
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 3A (TC) - 1.5ohm @ 1.5a, 0v - 40 nc @ 5 v ± 20V 1070 pf @ 25 v 고갈 고갈 125W (TC)
RM6N800T2 Rectron USA RM6N800T2 0.8200
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6N800T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 1320 pf @ 50 v - 98W (TC)
AUIRFS8408-7P International Rectifier AUIRFS8408-7p -
RFQ
 ECAD 4693 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 195a (TC) 1.6MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 NC @ 10 v ± 20V 10820 pf @ 25 v - 294W (TC)
IRF3711PBF Infineon Technologies IRF3711PBF -
RFQ
 ECAD 9059 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 110A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 120W (TC)
IQE050N08NM5ATMA1 Infineon Technologies IQE050N08NM5ATMA1 2.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IQE050N MOSFET (금속 (() PG-TSON-8-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 16A (TA), 101A (TC) 6V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 3.8V @ 49µA 43.2 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 100W (TC)
IXFT20N80Q IXYS IXFT20N80Q -
RFQ
 ECAD 7557 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT20 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 20A (TC) 10V 420mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 4mA 200 nc @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 360W (TC)
BUK7516-55A,127 NXP USA Inc. BUK7516-55A, 127 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 65.7A (TC) 10V 16mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2245 pf @ 25 v - 138W (TC)
NTLJS4D9N03HTAG onsemi NTLJS4D9N03HTAG 0.4031
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerwdfn NTLJS4 MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 9.5A (TA) 4.5V 6.1mohm @ 10a, 4.5v 2.1V @ 250µA 6.8 NC @ 4.5 v ± 12V 1020 pf @ 15 v - 860MW (TA)
EMH2801-TL-H onsemi EMH2801-TL-H -
RFQ
 ECAD 7148 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 EMH2801 MOSFET (금속 (() 8-EMH - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 85mohm @ 1.5a, 4.5v - 4 NC @ 4.5 v ± 10V 320 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1W (TA)
IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R125P7AUMA1 4.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL60R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 27A (TC) 10V 125mohm @ 8.2a, 10V 4V @ 410µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1544 pf @ 400 v - 111W (TC)
YJL10P02AL Yangjie Technology yjl10p02al 0.0920
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJL10P02ALTR 귀 99 3,000
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies BSC430N25NSFDATMA1 5.2000
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn BSC430 MOSFET (금속 (() PG-TSON-8-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 250 v 36A (TC) - - - ± 20V - -
FQI5N60CTU onsemi fqi5n60ctu -
RFQ
 ECAD 4372 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA fqi5n60 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 100W (TC)
FDMS86252 onsemi FDMS86252 2.3700
RFQ
 ECAD 2517 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS86 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 4.6A (TA), 16A (TC) 6V, 10V 51mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 905 pf @ 75 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
IXFT16N120P IXYS ixft16n120p 21.7200
RFQ
 ECAD 376 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT16 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 16A (TC) 10V 950mohm @ 500ma, 10V 6.5V @ 1mA 120 nc @ 10 v ± 30V 6900 pf @ 25 v - 660W (TC)
FDU2572 Fairchild Semiconductor FDU2572 1.0000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 150 v 4A (TA), 29A (TC) 6V, 10V 54mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 135W (TC)
DMN52D0UQ-7 Diodes Incorporated DMN52D0UQ-7 0.0637
RFQ
 ECAD 1188 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMN52D0UQ-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 400MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 1.5 nc @ 10 v ± 12V 39 pf @ 25 v - 500MW
DMWSH120H28SM4Q Diodes Incorporated DMWSH120H28SM4Q 51.5300
RFQ
 ECAD 8707 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 31-DMWSH120H28SM4Q 30 n 채널 1200 v 100A (TC) 15V 28.5mohm @ 50a, 15V 3.6v @ 17.7ma 156.3 NC @ 15 v +19V, -8V 429W (TC)
IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies IRF540NSTRLPBF 1.6700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF540 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 44mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 1960 pf @ 25 v - 130W (TC)
SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1464EEH-T1_GE3 0.5000
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SQ1464 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 440MA (TC) 1.5V 1.41ohm @ 2a, 1.5v 1V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 v ± 8V 140 pf @ 25 v - 430MW (TC)
YJD50N03A Yangjie Technology yjd50n03a 0.1840
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJD50N03ART 귀 99 2,500
FDMS8027S Fairchild Semiconductor FDMS8027S 0.8700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 347 n 채널 30 v 18A (TA), 22A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10V 3V @ 1mA 31 NC @ 10 v ± 20V 1815 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 36W (TC)
RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor RS3E135BNGZETB 1.0800
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RS3E MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9.5A (TA) 10V 14.6MOHM @ 9.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.3 NC @ 4.5 v ± 20V 680 pf @ 15 v - 2W (TC)
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K303T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K303 MOSFET (금속 (() TSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.9A (TA) 4V, 10V 83mohm @ 1.5a, 10V 2.6v @ 1ma 3.3 NC @ 4 v ± 20V 180 pf @ 10 v - 700MW (TA)
IRLM120ATF onsemi IRLM120ATF -
RFQ
 ECAD 4169 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLM120 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-irlm120ATF-488 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 2.3A (TC) 5V 220mohm @ 1.15a, 5V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 20V 440 pf @ 25 v - 2.7W (TC)
PSMN3R3-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R3-40YS, 115 1.2400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn3r3 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 49 NC @ 10 v ± 20V 2754 pf @ 20 v - 117W (TC)
IRFB33N15D Infineon Technologies IRFB33N15D -
RFQ
 ECAD 1966 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB33N15D 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 33A (TC) 10V 56MOHM @ 20A, 10V 5.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 30V 2020 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 170W (TC)
FCPF380N60-F152 Fairchild Semiconductor FCP380N60-F152 0.9600
RFQ
 ECAD 476 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 fcpf380 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 10.2A (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1665 pf @ 25 v - 31W (TC)
RJK0213DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0213DPA-00#J53 1.0100
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
SCT3030KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3030KLGC11 81.0800
RFQ
 ECAD 749 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3030 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 72A (TC) 18V 39mohm @ 27a, 18V 5.6v @ 13.3ma 131 NC @ 18 v +22V, -4V 2222 pf @ 800 v - 339W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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