SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FQD2N90TF onsemi FQD2N90TF -
RFQ
 ECAD 9344 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 7.2ohm @ 850ma, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
PMZ200UNE/S500YL Nexperia USA Inc. PMZ200ONE/S500YL 0.0500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 - 2156-PMZ200UNONE/S500YL 5,657 n 채널 30 v 1.4A (TA) 1.5V, 4.5V 250mohm @ 1.4a, 4.5v 0.95V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v ± 8V 89 pf @ 15 v - 350MW (TA), 6.25W (TC)
FDA20N50 Fairchild Semiconductor FDA20N50 3.1900
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 22A (TC) 230mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 59.5 nc @ 10 v 3120 pf @ 25 v -
APT8056BVRG Microchip Technology APT8056BVRG 15.8300
RFQ
 ECAD 5558 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT8056 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2266-APT8056BVRG 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 16A (TC) 560mohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 275 NC @ 10 v 4440 pf @ 25 v -
IRF620B Fairchild Semiconductor IRF620B -
RFQ
 ECAD 1948 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 5A (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 30V 390 pf @ 25 v - 47W (TC)
DMP3017SFGQ-7 Diodes Incorporated DMP3017SFGQ-7 -
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3017 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 30 v 11.5A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 25V 2246 pf @ 15 v - 940MW (TA)
EPC7007BC EPC Space, LLC EPC7007BC 329.3500
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 EPC Space, LLC e-gan® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 EPC7007 MOSFET (금속 (() 4-SMD - 1 (무제한) 4107-EPC7007BC 0000.00.0000 1 n 채널 200 v 18A (TC) 5V 28mohm @ 18a, 5V 2.5V @ 3MA 5.4 NC @ 5 v +6V, -4V 525 pf @ 100 v - -
PJQ5472A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5472A_R2_00001 0.2226
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5472 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5472A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.9A (TA), 13A (TC) 4.5V, 10V 115mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1413 pf @ 25 v - 2W (TA), 41W (TC)
DMNH4006SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH4006SK3Q-13 0.5880
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMNH4006 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 20A (TA), 140A (TC) 4.5V, 10V 6ohm @ 86a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2280 pf @ 25 v - 2.2W (TA)
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies IQD016N08NM5ATMA1 2.0874
RFQ
 ECAD 1989 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IQD016N08NM5ATMA1TR 5,000
SI4466DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4466DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4466 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 9.5A (TA) 2.5V, 4.5V 9mohm @ 13.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
IRLR2705TRPBF Infineon Technologies IRLR2705TRPBF 0.9700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR2705 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 28A (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10V 2V @ 250µA 25 nc @ 5 v ± 16V 880 pf @ 25 v - 68W (TC)
CSD16323Q3 Texas Instruments CSD16323Q3 1.1700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD16323 MOSFET (금속 (() 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 21A (TA), 60A (TC) 3V, 8V 4.5mohm @ 24a, 8v 1.4V @ 250µA 8.4 NC @ 4.5 v +10V, -8V 1300 pf @ 12.5 v - 3W (TA)
IRFU9020PBF Vishay Siliconix IRFU9020PBF 1.8900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9020 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9020pbf 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 50 v 9.9A (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 42W (TC)
SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4660DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7935 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4660 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 23.1A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 16V 2410 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 5.6W (TC)
SI7153DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7153DN-T1-GE3 0.6600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7153 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 18A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 93 NC @ 10 v ± 25V 3600 pf @ 15 v - 52W (TC)
SI3434DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3434DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3434 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 34mohm @ 6.1a, 4.5v 600mv @ 1ma (min) 12 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.14W (TA)
FDMS3006SDC onsemi FDMS3006SDC -
RFQ
 ECAD 7134 0.00000000 온세미 Dual Cool ™, Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS30 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 34A (TA) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 30a, 10V 3V @ 1mA 80 nc @ 10 v ± 20V 5725 pf @ 15 v - 3.3W (TA), 89W (TC)
NVATS5A302PLZT4G onsemi NVATS5A302PLZT4G -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVATS5 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 80A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 35a, 10V 2.6v @ 1ma 115 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 20 v - 84W (TC)
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3466 (TE24L, Q) -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-97 2SK3466 MOSFET (금속 (() 4-TFP (9.2x9.2) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 500 v 5A (TA) 10V 1.5ohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 17 nc @ 10 v ± 30V 780 pf @ 10 v - 50W (TC)
STW46NF30 STMicroelectronics STW46NF30 4.1300
RFQ
 ECAD 5905 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW46 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13595-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 42A (TC) 10V 75mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 300W (TC)
R6006PND3FRATL Rohm Semiconductor r6006pnd3fratl 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6006 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 6A (TC) 10V 1.2ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 1mA 15 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 87W (TC)
NTP5412NG onsemi NTP5412NG -
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP541 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 60A (TC) 10V 14mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 0 v ± 20V 3220 pf @ 25 v - 125W (TC)
NTR5105PT1G onsemi ntr5105pt1g 0.3700
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR5105 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 196MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 100ma, 10V 3V @ 250µA 1 nc @ 5 v ± 20V 30.3 pf @ 25 v - 347MW (TA)
IRL40T209ATMA1 Infineon Technologies IRL40T209ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IRL40T209 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 300A (TC) 4.5V, 10V 0.72mohm @ 100a, 10V 2.4V @ 250µA 269 ​​NC @ 4.5 v ± 20V 16000 pf @ 20 v - 500W (TC)
SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA10DN-T1-GE3 1.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA10 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v +20V, -16V 2425 pf @ 15 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
AOT410L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AoT410L 2.7900
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SDMOS ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT410 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1237-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 12A (TA), 150A (TC) 7V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 129 NC @ 10 v ± 25V 7950 pf @ 50 v - 1.9W (TA), 333W (TC)
SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir474dp-t1-ge3 0.9400
RFQ
 ECAD 618 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir474 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 985 pf @ 15 v - 3.9W (TA), 29.8W (TC)
HUF76645S3S Fairchild Semiconductor HUF76645S3S 2.0200
RFQ
 ECAD 3766 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5 n 채널 100 v 75A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 75a, 10V 3V @ 250µA 153 NC @ 10 v ± 16V 4400 pf @ 25 v - 310W (TC)
PJQ5465A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5465A-AU_R2_000A1 0.3712
RFQ
 ECAD 9039 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5465 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq5465a-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1256 pf @ 30 v - 2W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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