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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB100N06S205ATMA1 | - |  | 9256 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB100N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 100A (TC) | 10V | 4.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 5110 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
 | DMP2900UW-7 | 0.0622 | | 1588 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DMP2900 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMP2900UW-7DI | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 600MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 750mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 6V | 49 pf @ 16 v | - | 300MW | |
 | FQD2P40TF | - | | 5223 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD2 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 400 v | 1.56A (TC) | 10V | 6.5ohm @ 780ma, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 38W (TC) | |||
 | FDS8882 | 0.7600 | | 1 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS88 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 9a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 940 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||
 | ZXMN3A02X8TC | - | | 6969 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | ZXMN3 | MOSFET (금속 (() | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 5.3A (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 12a, 10V | 1V @ 250µA | 26.8 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 1.1W (TA) | ||
 | SPP03N60C3XKSA1 | - | | 3151 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp03n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 3.2A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10V | 3.9V @ 135µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 400 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | |||
 | IXTP152N085T | - | | 2233 | 0.00000000 | ixys | Trenchmv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP152 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 85 v | 152A (TC) | 10V | 7mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | |||
 | IRF6614TR1 | - | | 2142 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 st | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ st | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP001525534 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 12.7A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 8.3mohm @ 12.7a, 10V | 2.25V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2560 pf @ 20 v | - | 2.1W (TA), 42W (TC) | ||
 | DMNH6021SPS-13 | 0.2741 | | 5933 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMNH6021 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 55A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 19.7 NC @ 10 v | ± 20V | 1016 pf @ 30 v | - | 1.6W (TA), 53W (TC) | ||
 | NTMJS0D7N03CGTWG | 6.9400 | | 5 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | MOSFET (금속 (() | 8-LFPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 59A (TA), 410A (TC) | 10V | 0.65mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 280µA | 147 NC @ 10 v | ± 20V | 12300 pf @ 15 v | - | 4W (TA), 188W (TC) | |||
 | APT31N60BCSG | - | | 2826 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 31A (TC) | 10V | 100mohm @ 18a, 10V | 3.9V @ 1.2MA | 85 NC @ 10 v | ± 30V | 3055 pf @ 25 v | - | 255W (TC) | ||||
 | IXFR26N50 | - | | 1171 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFR26 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 26A (TC) | 10V | 200mohm @ 13a, 10V | 4V @ 4MA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 4200 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||
 | CSD17573Q5B | 1.6200 | | 10 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17573Q5 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 1MOHM @ 35A, 10V | 1.8V @ 250µA | 64 NC @ 4.5 v | ± 20V | 9000 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | ||
 | SIHB33N60ET1-GE3 | 6.1800 | | 2691 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB33 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 33A (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 3508 pf @ 100 v | - | 278W (TC) | ||||
 | IRF734 | - | | 1421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF734 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF734 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 4.9A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||
 | SI4840DY-T1-E3 | - | | 2986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4840 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10V | 3V @ 250µA | 28 NC @ 5 v | ± 20V | - | 1.56W (TA) | |||
 | 94-4737 | - | | 2760 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR3303 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 33A (TC) | 10V | 31mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | ||
 | NVC6S5A354PLZT1G | - | | 9009 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | NVC6S5 | MOSFET (금속 (() | 6-CPH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 4A (TA) | 4V, 10V | 100mohm @ 2a, 10V | 2.6v @ 1ma | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 20 v | - | 1.9W (TA) | ||
 | IRF1404L | - | | 1051 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF1404L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 162A (TC) | 10V | 4mohm @ 95a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 7360 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||
 | std6n62k3 | 1.9900 | | 331 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD6 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 620 v | 5.5A (TC) | 10V | 1.28ohm @ 2.8a, 10V | 4.5V @ 50µA | 25.7 NC @ 10 v | ± 30V | 706 pf @ 50 v | - | 90W (TC) | ||
| IPB065N10N3GATMA1 | - | | 2372 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB065 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 6V, 10V | 6.5mohm @ 80a, 10V | 3.5V @ 90µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 4910 pf @ 50 v | - | 150W (TC) | ||
 | NTD4302G | - | | 7148 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD43 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 8.4A (TA), 68A (TC) | 4.5V, 10V | 10MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 24 v | - | 1.04W (TA), 75W (TC) | |||
 | STV300NH02L | - | | 5926 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | Powerso-10 0 바닥 패드 | STV300 | MOSFET (금속 (() | 10-Powerso | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 24 v | 200a (TC) | 10V, 5V | 1MOHM @ 80A, 10V | 2V @ 250µA | 109 NC @ 10 v | ± 20V | 7055 pf @ 15 v | - | 300W (TC) | ||
 | FDFMA2P853 | - | | 4106 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | FDFMA2 | MOSFET (금속 (() | 6 x 2 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 120mohm @ 3a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 435 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.4W (TA) | ||
 | IRF630 | 1.5900 | | 20 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 메쉬 메쉬 ™ ii | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF6 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||
 | BSC070N10NS3GATMA1 | 1.8300 | | 3795 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC070 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 90A (TC) | 6V, 10V | 7mohm @ 50a, 10V | 3.5V @ 75µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 50 v | - | 114W (TC) | ||
 | stf10nm50n | 2.3000 | | 792 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF10N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 7A (TC) | 10V | 630mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 25V | 450 pf @ 50 v | - | 25W (TC) | ||
 | BSP179H6327XTSA1 | - | | 8081 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 210MA (TA) | 0V, 10V | 18ohm @ 210ma, 10V | 1V @ 94µA | 6.8 NC @ 5 v | ± 20V | 135 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | |||
| IXFJ52N30Q | - | | 2329 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | IXFJ52 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 30 | - | |||||||||||||||||||
 | DMN10H170SVT-13 | 0.1559 | | 2436 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMN10 | MOSFET (금속 (() | TSOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMN10H170SVT-13DI | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 100 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 v | ± 20V | 1167 pf @ 25 v | - | 1.2W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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