SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
AUIRF1010EZS International Rectifier auirf1010ezs -
RFQ
 ECAD 5742 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2810 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRF7704TR Infineon Technologies IRF7704TR -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 40 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 46MOHM @ 4.6A, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 4.5 v ± 20V 3150 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
IRFSL9N60APBF Vishay Siliconix IRFSL9N60APBF 2.8600
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL9 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFSL9N60APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
SQJA62EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja62ep-t1_ge3 1.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA62 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 60A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 68W (TC)
RE1J002YNTCL Rohm Semiconductor RE1J002YNTCL 0.3600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 RE1J002 MOSFET (금속 (() EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 0.9V, 4.5V 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 800mv @ 1ma ± 8V 26 pf @ 10 v - 150MW (TA)
SI9434BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9434BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9597 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9434 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 40mohm @ 6.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
FQD24N08TF onsemi FQD24N08TF -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 19.6A (TC) 10V 60mohm @ 9.8a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 750 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF7413ZTRPBFXTMA1 0.3869
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8-902 - Rohs3 준수 448-irf7413ztrpbfxtma1tr 4,000 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 13a, 10V 2.25V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SQJA64EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja64ep-t1_ge3 0.8000
RFQ
 ECAD 1729 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA64 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 32mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 45W (TC)
IXFP50N20X3 IXYS IXFP50N20X3 5.6404
RFQ
 ECAD 3672 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 (IXFP) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFP50N20X3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 50A (TC) 10V 30mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 1mA 33 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 240W (TC)
BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated BSS123WQ-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 200MW (TA)
CTLDM3590 TR Central Semiconductor Corp CTLDM3590 TR 0.5300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() TLM3D6D8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 160MA (TA) 1.2V, 4.5V 3ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.46 nc @ 4.5 v 8V 9 pf @ 15 v - 125MW (TA)
IRFI9Z34N Infineon Technologies irfi9z34n -
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 37W (TC)
IRFD9110 Vishay Siliconix IRFD9110 -
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9110 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD9110 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 700MA (TA) 10V 1.2ohm @ 420ma, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
IXFH34N65X2 IXYS IXFH34N65X2 8.4800
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH34 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 34A (TC) 10V 105mohm @ 17a, 10V 5.5V @ 2.5MA 56 NC @ 10 v ± 30V 3330 pf @ 25 v - 540W (TC)
FDD8453LZ-F085 onsemi FDD8453LZ-F085 1.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD8453 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3515 pf @ 20 v - 118W (TC)
DMNH4006SPS-13 Diodes Incorporated DMNH4006SPS-13 0.5968
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DMNH4006 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMNH4006SPS-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 110A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 50.9 NC @ 10 v 20V 2280 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
IRF1407PBF Infineon Technologies IRF1407PBF 3.1200
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF1407 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 130A (TC) 10V 7.8mohm @ 78a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 25 v - 330W (TC)
IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA057N08N3GXKSA1 2.5600
RFQ
 ECAD 1435 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA057 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 60A (TC) 6V, 10V 5.7mohm @ 60a, 10V 3.5V @ 90µA 69 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 40 v - 39W (TC)
NP90N04VDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP90N04VDG-e1-ay 1.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 90A (TC) 4MOHM @ 45A, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v 6900 pf @ 25 v - 1.2W (TA), 105W (TC)
FQD5N60CTF onsemi fqd5n60ctf -
RFQ
 ECAD 3663 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD5 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2.8A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 49W (TC)
STD134N4F7AG STMicroelectronics STD134N4F7AG 2.0800
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD134 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2790 pf @ 25 v - 134W (TC)
BSS192PE6327T Infineon Technologies BSS192PE6327T -
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() PG-SOT89 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 190ma (TA) 2.8V, 10V 12ohm @ 190ma, 10V 2V @ 130µA 6.1 NC @ 10 v ± 20V 104 pf @ 25 v - 1W (TA)
FDP6030BL onsemi FDP6030BL -
RFQ
 ECAD 7174 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP60 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 20V 1160 pf @ 15 v - 60W (TC)
FQA7N80C Fairchild Semiconductor fqa7n80c 1.0100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 1.9ohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1680 pf @ 25 v - 198W (TC)
IRL3502PBF Infineon Technologies IRL3502PBF -
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 110A (TC) 4.5V, 7V 7mohm @ 64a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 110 NC @ 4.5 v ± 10V 4700 pf @ 15 v - 140W (TC)
NTLJS3A18PZTWG onsemi ntljs3a18pztwg -
RFQ
 ECAD 4673 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 ntljs3a MOSFET (금속 (() 6-wdfn (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 5A (TA) 1.5V, 4.5V 18mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 8V 2240 pf @ 15 v - 700MW (TA)
FQB20N06LTM onsemi FQB20N06LTM -
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB2 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 21A (TC) 5V, 10V 55mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 630 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 53W (TC)
RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor RUC002N05HZGT116 0.2500
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RUC002 MOSFET (금속 (() SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 1.2V, 4.5V 1V @ 1mA ± 8V 25 pf @ 10 v - 350MW (TA)
2SK4085LS onsemi 2SK4085LS -
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK4085 MOSFET (금속 (() TO-220FI (LS) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 869-1042 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 430mohm @ 8a, 10V - 46.6 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 30 v - 2W (TA), 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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