전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
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![]() | IRF510S | - | ![]() | 2862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF510 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF510S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |
![]() | SISS40DN-T1-GE3 | 0.5292 | ![]() | 3401 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS40 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 36.5A (TC) | 6V, 10V | 21mohm @ 10a, 10V | 3.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 845 pf @ 50 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||
![]() | PSMN017-30BL118 | - | ![]() | 9646 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SQ4064EY-T1_BE3 | 1.0500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4064 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 19.8mohm @ 6.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 2096 pf @ 25 v | - | 6.8W (TC) | ||||
![]() | AOD409_002 | - | ![]() | 6907 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD40 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 60W (TC) | |||
![]() | FQPF17P06 | - | ![]() | 6190 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF1 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 12A (TC) | 10V | 120mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 25V | 900 pf @ 25 v | - | 39W (TC) | |||
![]() | BUK964R4-40B, 118 | 2.9700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK964 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 5V, 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 64 NC @ 5 v | ± 15V | 7124 pf @ 25 v | - | 254W (TC) | ||
![]() | FDP032N08B | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-FDP032N08B-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||
AON6572 | 0.3395 | ![]() | 3277 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON657 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 36A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 12V | 3290 pf @ 15 v | - | 6.2W (TA), 48W (TC) | |||
![]() | SI4153DY-T1-GE3 | 0.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SI4153DY-T1-GE3DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 14.3A (TA), 19.3A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 93 NC @ 10 v | ± 25V | 3600 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 5.6W (TC) | |||
![]() | FQB17P06TM | - | ![]() | 8772 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB1 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 60 v | 17A (TC) | 10V | 120mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 25V | 900 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 79W (TC) | |||
![]() | RM78N100LD | 0.4400 | ![]() | 1744 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM78N100LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 100 v | 78A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 39a, 10V | 2.2V @ 250µA | ± 20V | 5480 pf @ 50 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | IRF820B | 1.0000 | ![]() | 7283 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
DMN6140LQ-7 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN6140 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 1.6A (TA) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 1.8a, 10V | 3V @ 250µA | 8.6 NC @ 10 v | ± 20V | 315 pf @ 40 v | - | 700MW (TA) | |||
![]() | 2SJ529L06-E | 0.9400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Renesas | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB | MOSFET (금속 (() | DPAK (L)-(2) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-2SJ529L06-E | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 60 v | 10A (TA) | 4V, 10V | 160mohm @ 5a, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 580 pf @ 10 v | - | 20W (TC) | ||||
![]() | IRF8788PBF | - | ![]() | 5807 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001566558 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 24A (TA) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 24a, 10V | 2.35V @ 100µa | 66 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5720 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||
![]() | AoTF9N70L | - | ![]() | 9175 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AoTF9N70L | 1 | n 채널 | 700 v | 9A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1630 pf @ 25 v | - | 27.8W (TC) | |||||
![]() | ssm3j306t (te85l, f) | - | ![]() | 5083 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3J306 | MOSFET (금속 (() | TSM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.4A (TA) | 4V, 10V | 117mohm @ 1a, 10V | - | 2.5 nc @ 15 v | ± 20V | 280 pf @ 15 v | - | 700MW (TA) | ||||
![]() | FCPF380N60 | 1.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Superfet® II | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 204 | n 채널 | 600 v | 10.2A (TC) | 10V | 380mohm @ 5a, 10V | 3.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1665 pf @ 25 v | - | 31W (TC) | ||||||
![]() | STS5P3LLH6 | 0.9800 | ![]() | 27 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ H6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS5P3 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 56mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 639 pf @ 25 v | - | 2.7W (TA) | ||
IXTA200N055T2-TRL | 2.6471 | ![]() | 3190 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA200 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA200N055T2-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 200a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 109 NC @ 10 v | ± 20V | 6970 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | |||
![]() | UPA2793GR (01) -E2 -ay | - | ![]() | 9901 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 | 7A (TJ) | |||||||||||||||||||
![]() | DMTH6012LPSW-13 | 0.2453 | ![]() | 8826 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMTH6012 | MOSFET (금속 (() | PowerDi5060-8 (Q 형) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 31-DMTH6012LPSW-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 11.5A (TA), 50.5A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 13.6 NC @ 10 v | ± 20V | 785 pf @ 30 v | - | 2.8W (TA), 53.6W (TC) | |
![]() | IRFH5053TR2PBF | - | ![]() | 5235 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 9.3A (TA), 46A (TC) | 18mohm @ 9.3a, 10V | 4.9V @ 100µA | 36 nc @ 10 v | 1510 pf @ 50 v | - | ||||||||
![]() | MCU30N02-TP | 0.5200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MCU30N02 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCU30N02-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 30A (TC) | 1.8V, 4.5V | 7mohm @ 15a, 4.5v | 1V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | ± 10V | 1700 pf @ 10 v | - | 30W (TC) | |
![]() | RFD16N05NL | 0.5100 | ![]() | 776 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | PSPICE® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 50 v | 16A (TC) | 10V | 47mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 20 v | ± 20V | 900 pf @ 25 v | - | 72W (TC) | |||
![]() | PSMN2R7-30BL, 118 | 0.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 436 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 25A, 10V | 2.15v @ 1ma | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 3954 pf @ 15 v | - | 170W (TC) | ||||||
![]() | auirfr2405trl | 1.0600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-AUIRFR2405TRL-600047 | 1 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 16mohm @ 34a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | 2430 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||
![]() | IXTT80N20L | 20.4300 | ![]() | 487 | 0.00000000 | ixys | 선의 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT80 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 80A (TC) | 10V | 32mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 6160 pf @ 25 v | - | 520W (TC) | ||
![]() | IXFX34N80 | 20.9458 | ![]() | 1236 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXFX34 | MOSFET (금속 (() | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | IXFX34N80-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 800 v | 34A (TC) | 10V | 240mohm @ 17a, 10V | 5V @ 8MA | 270 nc @ 10 v | ± 20V | 7500 pf @ 25 v | - | 560W (TC) |
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