SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
BUK7Y29-40EX Nexperia USA Inc. BUK7Y29-40EX 0.3291
RFQ
ECAD 3856 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y29 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 26A (TC) 10V 29mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 7.9 NC @ 10 v ± 20V 492 pf @ 25 v - 37W (TC)
PSMN7R5-30YLDX Nexperia USA Inc. psmn7r5-30yldx 0.8000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn7r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 51A (TJ) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 11.3 NC @ 10 v ± 20V 655 pf @ 15 v - 34W (TC)
DMP3099L-13 Diodes Incorporated DMP3099L-13 0.3400
RFQ
ECAD 31 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3099 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.8a, 10V 2.1V @ 250µA 5.2 NC @ 4.5 v ± 20V 563 pf @ 25 v - 1.08W (TA)
NTD20N06-1G onsemi NTD20N06-1g -
RFQ
ECAD 1865 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD20 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 20A (TA) 10V 46mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 25 v - 1.88W (TA), 60W (TJ)
SIHG180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG180N60E-GE3 3.7500
RFQ
ECAD 329 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG180 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1085 pf @ 100 v - 156W (TC)
IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon Technologies IPP65R099CFD7AAKSA1 7.4000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 99mohm @ 12.5a, 10V 4.5V @ 630µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2513 pf @ 400 v - 127W (TC)
MMSF3P02HDR2G onsemi MMSF3P02HDR2G -
RFQ
ECAD 2527 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MMSF3 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 5.6A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3a, 10V 2V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 16 v - 2.5W (TA)
MCQ20N03HE3-TP Micro Commercial Co MCQ20N03HE3-TP 0.2306
RFQ
ECAD 5366 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCQ20 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 353-MCQ20N03HE3-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 46.3 NC @ 10 v ± 20V 2191 pf @ 15 v - 3W
HUFA75329D3S onsemi HUFA75329D3S -
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 26mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 65 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
IRLML6302TRPBF Infineon Technologies irlml6302trpbf 0.5600
RFQ
ECAD 282 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 irlml6302 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 780MA (TA) 2.7V, 4.5V 600mohm @ 610ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 3.6 NC @ 4.45 v ± 12V 97 pf @ 15 v - 540MW (TA)
RFP3055 onsemi RFP3055 -
RFQ
ECAD 8757 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 RFP30 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 12A (TC) 10V 150mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 20 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 53W (TC)
IRF8113TRPBF Infineon Technologies IRF8113TRPBF 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF8113 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 17.2A (TA) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 17.2a, 10V 2.2V @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ± 20V 2910 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPD65R950C6ATMA1 Infineon Technologies IPD65R950C6ATMA1 0.6495
RFQ
ECAD 3894 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R950 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 200µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 328 pf @ 100 v - 37W (TC)
NP82N04NUG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP82N04NUG-S18-ay -
RFQ
ECAD 5046 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 82A (TC) 10V 4.2MOHM @ 41A, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 9750 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 143W (TC)
IPS70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies IPS70R1K4CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS70R1 MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 700 v 5.4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 53W (TC)
STD2NK60Z-1 STMicroelectronics STD2NK60Z-1 1.0400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA std2n MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 8ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 50µA 10 nc @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 45W (TC)
STF21N90K5 STMicroelectronics STF21N90K5 8.0000
RFQ
ECAD 200 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF21 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 18.5A (TC) 10V 299mohm @ 9a, 10V 5V @ 100µa 43 NC @ 10 v ± 30V 1645 pf @ 100 v - 40W (TC)
SPI20N60CFDHKSA1 Infineon Technologies SPI20N60CFDHKSA1 -
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA spi20n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 20.7A (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 208W (TC)
BSP135 E6327 Infineon Technologies BSP135 E6327 -
RFQ
ECAD 9674 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 120MA (TA) 0V, 10V 45ohm @ 120ma, 10V 1V @ 94µA 4.9 NC @ 5 v ± 20V 146 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
2SK4124 Sanyo 2SK4124 3.7500
RFQ
ECAD 3051 0.00000000 Sanyo - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 2SK4124 MOSFET (금속 (() To-3PB 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 71 n 채널 500 v 20A (TA) 10V 430mohm @ 8a, 10V - 46.6 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 170W (TC)
IPB055N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB055N03LGATMA1 -
RFQ
ECAD 1070 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB055N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 15 v - 68W (TC)
IXTQ44N50P IXYS IXTQ44N50P 8.4570
RFQ
ECAD 4746 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ44 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 44A (TC) 10V 140mohm @ 22a, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 30V 5440 pf @ 25 v - 658W (TC)
IXFT74N20 IXYS IXFT74N20 -
RFQ
ECAD 9781 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT74 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 74A (TC) 10V 30mohm @ 500ma, 10V 4V @ 4MA 280 nc @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 360W (TC)
AO4447AL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4447AL -
RFQ
ECAD 4833 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 17A (TA) 4V, 10V 7mohm @ 17a, 10V 1.6V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
IXTP3N100P IXYS ixtp3n100p 4.6800
RFQ
ECAD 600 0.00000000 ixys p3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 125W (TC)
ZVNL120CSTZ Diodes Incorporated ZVNL120CSTZ -
RFQ
ECAD 5964 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 3V, 5V 10ohm @ 250ma, 5V 1.5V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
IRFS38N20DTRRP Infineon Technologies IRFS38N20DTRRP -
RFQ
ECAD 1722 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001565034 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 43A (TC) 10V 54mohm @ 26a, 10V 5V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
BUK753R1-40B,127 NXP USA Inc. BUK753R1-40B, 127 -
RFQ
ECAD 3949 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK75 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 3.1mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 94 NC @ 10 v ± 20V 6808 pf @ 25 v - 300W (TC)
BUK9230-80EJ Nexperia USA Inc. BUK9230-80EJ -
RFQ
ECAD 7545 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069873118 귀 99 8541.29.0095 2,500 32A
STH275N8F7-6AG STMicroelectronics STH275N8F7-6AG 6.8300
RFQ
ECAD 8406 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) STH275 MOSFET (금속 (() H2PAK-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15474-2 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 180A (TC) 10V 2.1MOHM @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 193 NC @ 10 v ± 20V 13600 pf @ 50 v - 315W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고