SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FDB8442 onsemi FDB8442 -
RFQ
 ECAD 3390 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB844 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 28A (TA), 80A (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 235 NC @ 10 v ± 20V 12200 pf @ 25 v - 254W (TC)
SSM3K341R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341R, LXHF 0.6000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6A (TA) 4V, 10V 36mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 100µa 9.3 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
FDD13AN06A0-F085 onsemi FDD13AN06A0-F085 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD13AN06 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9.9A (TA), 50A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
IRFD122 Harris Corporation IRFD122 0.4400
RFQ
 ECAD 2599 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOSFET (금속 (() 4-DIP, Hexdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 196 년 n 채널 100 v 1.1A (TC) 10V 400mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 1W (TC)
AUIRLR024NTRL Infineon Technologies auirlr024ntrl -
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517694 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 17A (TC) 4V, 10V 65mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 16V 480 pf @ 25 v - 45W (TC)
SIHB6N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHB6N65E-GE3 1.9200
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB6 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
SQJA34EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja34ep-t1_ge3 1.1100
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA34 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.3mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 68W (TC)
PSMN8R5-100ESFQ NXP Semiconductors PSMN8R5-100ESFQ 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PSMN8R5-100ESFQ-954 1 n 채널 100 v 97A (TA) 7V, 10V 8.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 44.5 nc @ 10 v ± 20V 3181 pf @ 50 v - 183W (TA)
FQD5N60CTF onsemi fqd5n60ctf -
RFQ
 ECAD 3663 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD5 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2.8A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 49W (TC)
IXFP50N20X3 IXYS IXFP50N20X3 5.6404
RFQ
 ECAD 3672 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 (IXFP) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFP50N20X3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 50A (TC) 10V 30mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 1mA 33 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 240W (TC)
BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1 1.4400
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP149 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 660MA (TA) 0V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1V @ 400µA 14 nc @ 5 v ± 20V 430 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated BSS123WQ-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 200MW (TA)
IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA057N08N3GXKSA1 2.5600
RFQ
 ECAD 1435 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA057 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 60A (TC) 6V, 10V 5.7mohm @ 60a, 10V 3.5V @ 90µA 69 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 40 v - 39W (TC)
SI7686DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7686DP-T1-E3 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7686 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.8a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1220 pf @ 15 v - 5W (TA), 37.9W (TC)
IRFSL9N60APBF Vishay Siliconix IRFSL9N60APBF 2.8600
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL9 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFSL9N60APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
RE1J002YNTCL Rohm Semiconductor RE1J002YNTCL 0.3600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 RE1J002 MOSFET (금속 (() EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 0.9V, 4.5V 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 800mv @ 1ma ± 8V 26 pf @ 10 v - 150MW (TA)
SQJA62EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja62ep-t1_ge3 1.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA62 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 60A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 68W (TC)
BSS192PE6327T Infineon Technologies BSS192PE6327T -
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() PG-SOT89 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 190ma (TA) 2.8V, 10V 12ohm @ 190ma, 10V 2V @ 130µA 6.1 NC @ 10 v ± 20V 104 pf @ 25 v - 1W (TA)
SIHH20N50E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH20N50E-T1-GE3 4.8500
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH20 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 147mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 30V 2063 pf @ 100 v - 174W (TC)
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH, L1Q 1.6800
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN1110 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 200 v 7.2A (TA) 10V 114mohm @ 3.6a, 10V 4V @ 200µA 7 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 100 v - 700MW (TA), 39W (TC)
2SK3433-ZJ-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3433-ZJ-E1-AZ 1.1800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800
TSM180P03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS 0.6100
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM180 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM180P03CSTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 10A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 14.6 NC @ 4.5 v ± 20V 1730 pf @ 15 v - 2.5W (TC)
SI4136DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4136DY-T1-GE3 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4136 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 46A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4560 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
MCH3477-TL-H onsemi MCH3477-TL-H -
RFQ
 ECAD 3998 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MCH3477 MOSFET (금속 (() SC-70FL/MCPH3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 38mohm @ 2a, 4.5v - 5.1 NC @ 4.5 v ± 12V 410 pf @ 10 v - 1W (TA)
CPH6442-TL-W onsemi CPH6442-TL-W -
RFQ
 ECAD 4788 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 CPH6442 MOSFET (금속 (() 6-CPH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6A (TA) 4V, 10V 43mohm @ 3a, 10V 2.6v @ 1ma 20 nc @ 10 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 1.6W (TA)
NP90N04VDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP90N04VDG-e1-ay 1.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 90A (TC) 4MOHM @ 45A, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v 6900 pf @ 25 v - 1.2W (TA), 105W (TC)
STD134N4F7AG STMicroelectronics STD134N4F7AG 2.0800
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD134 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2790 pf @ 25 v - 134W (TC)
SIA411DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA411DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7128 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA411 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 5.9a, 4.5v 1V @ 250µA 38 NC @ 8 v ± 8V 1200 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
NVMFS5C460NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C460NLWFAFT1G 1.8300
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 21A (TA), 78A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 35a, 10V 2V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 50W (TC)
IRF7483MTRPBF International Rectifier IRF7483MTRPBF 0.9900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 국제 국제 Strongirfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MF MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 MF 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 135A (TC) 6V, 10V 2.3mohm @ 81a, 10V 3.9V @ 100µA 81 NC @ 10 v ± 20V 3913 pf @ 25 v - 74W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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