SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
BSS138W E6433 Infineon Technologies BSS138W E6433 -
RFQ
 ECAD 1565 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 280MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.4V @ 26µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 43 pf @ 25 v - 500MW (TA)
STD75N3LLH6 STMicroelectronics std75n3llh6 -
RFQ
 ECAD 9004 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD75N MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 37.5a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRFR3711PBF Infineon Technologies IRFR3711PBF -
RFQ
 ECAD 4764 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552178 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
FDPF18N20FT onsemi fdpf18n20ft 1.6300
RFQ
 ECAD 4568 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF18 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 1180 pf @ 25 v - 41W (TC)
CPMF-1200-S080B Wolfspeed, Inc. CPMF-1200-S080B -
RFQ
 ECAD 3269 0.00000000 Wolfspeed, Inc. Z-Fet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 sicfet ((카바이드) 주사위 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 1200 v 50A (TJ) 20V 110mohm @ 20a, 20V 4V @ 1MA 90.8 NC @ 20 v +25V, -5V 1915 pf @ 800 v - 313MW (TJ)
FDD13AN06A0-F085 onsemi FDD13AN06A0-F085 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD13AN06 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9.9A (TA), 50A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
IRFD122 Harris Corporation IRFD122 0.4400
RFQ
 ECAD 2599 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOSFET (금속 (() 4-DIP, Hexdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 196 년 n 채널 100 v 1.1A (TC) 10V 400mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 1W (TC)
DMN2004WKQ-7-52 Diodes Incorporated DMN2004WKQ-7-52 0.0848
RFQ
 ECAD 1699 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 31-DMN2004WKQ-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 540MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA ± 8V 150 pf @ 16 v - 200MW (TA)
IRLIZ34GPBF Vishay Siliconix IRLIZ34GPBF 2.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irliz34 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irliz34gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 20A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 12a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 42W (TC)
PJD1NA60_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA60_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 6825 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD1NA60 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1A (TA) 10V 14ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 3.3 NC @ 10 v ± 30V 95 pf @ 25 v - 27W (TC)
SIHB6N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHB6N65E-GE3 1.9200
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB6 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
SPD30N03S2L07GBTMA1 Infineon Technologies SPD30N03S2L07GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 spd30n MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 30a, 10V 2V @ 85µA 68 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 25 v - 136W (TC)
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk7a55d (sta4, q, m) 1.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK7A55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 7A (TA) 10V 1.25ohm @ 3.5a, 10V 4.4V @ 1mA 16 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 35W (TC)
BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies BSC040N10NS5SCATMA1 3.9800
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn BSC040 MOSFET (금속 (() PG-WSON-8-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-BSC040N10NS5SCATMA1CT 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 140A (TC) 6V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 3.8V @ 95µA 72 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 50 v - 3W (TA), 167W (TC)
FQPF8N90C onsemi FQPF8N90C -
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF8 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 6.3A (TC) 10V 1.9ohm @ 3.15a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 2080 pf @ 25 v - 60W (TC)
MMSF2P02ER2 Motorola MMSF2P02ER2 -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 모토로라 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MMSF2P02ER2-600066 1 p 채널 20 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 250mohm @ 2a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 475 pf @ 16 v - 2.5W (TA)
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R180P7SAUMA1 1.8000
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 280µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1081 pf @ 400 v - 72W (TC)
IXTQ26N60P IXYS IXTQ26N60P -
RFQ
 ECAD 6702 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ26 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 270mohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
IXFK80N10Q IXYS IXFK80N10Q -
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 IXFK80 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 -
SSM3K341R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341R, LXHF 0.6000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6A (TA) 4V, 10V 36mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 100µa 9.3 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
DMN3042LFDF-7 Diodes Incorporated DMN3042LFDF-7 0.5000
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3042 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7A (TA) 2.5V, 10V 28mohm @ 4a, 10V 1.4V @ 250µA 13.3 NC @ 10 v ± 12V 570 pf @ 15 v - 2.1W (TA)
IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA1 -
RFQ
 ECAD 1493 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6ohm @ 69a, 10V 2V @ 180µA 150 nc @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 25 v - 250W (TC)
MTB16N25ET4 onsemi MTB16N25ET4 0.6500
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
SQJA34EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja34ep-t1_ge3 1.1100
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA34 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.3mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 68W (TC)
2SK3703 onsemi 2SK3703 -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 온세미 - 가방 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK3703 MOSFET (금속 (() TO-220ML - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 60 v 30A (TA) 4V, 10V 26mohm @ 15a, 10V - 40 nc @ 10 v ± 20V 1780 pf @ 20 v - 2W (TA), 25W (TC)
IXTP14N60X2 IXYS IXTP14N60X2 5.5900
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP14 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTP14N60X2 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 14A (TC) 10V 250mohm @ 7a, 10V 4.5V @ 250µA 16.7 NC @ 10 v ± 30V 740 pf @ 25 v - 180W (TC)
IRFB4710PBF Infineon Technologies IRFB4710PBF 3.0500
RFQ
 ECAD 9148 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB4710 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 45a, 10V 5.5V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 6160 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
DMPH4015SK3-13 Diodes Incorporated DMPH4015SK3-13 0.4263
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMPH4015 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 45A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 25V 4234 pf @ 20 v - 3.3W (TA)
STW40N60M2 STMicroelectronics STW40N60M2 8.7300
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW40 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 88mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 25V 2500 pf @ 100 v - 250W (TC)
MTM232230L Panasonic Electronic Components MTM232230L -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() smini3-g1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 28mohm @ 1a, 4v 1.3v @ 1ma ± 10V 1200 pf @ 10 v - 500MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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