SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
CSD18510KCS Texas Instruments CSD18510KC 2.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 CSD18510 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 200a (TA) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 100a, 10V 2.3V @ 250µA 75 NC @ 4.5 v ± 20V 11400 pf @ 20 v - 250W (TA)
SIHFU310-GE3 Vishay Siliconix SIHFU310-GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
CSD19534KCS Texas Instruments CSD19534KC 1.5900
RFQ
 ECAD 545 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 CSD19534 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TA) 6V, 10V 16.5mohm @ 30a, 10V 3.4V @ 250µA 22.2 NC @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 50 v - 118W (TC)
SI7858ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-GE3 2.7500
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 20A (TA) 2.5V, 4.5V 2.6mohm @ 29a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 8V 5700 pf @ 6 v - 1.9W (TA)
STP42N60M2-EP STMicroelectronics STP42N60M2-EP 6.9200
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP42 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 87mohm @ 17a, 10V 4.75V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 25V 2370 pf @ 100 v - 250W (TC)
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated ZXM62P02E6TA 0.7500
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXM62P02 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.3A (TA) 2.7V, 4.5V 200mohm @ 1.6a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 5.8 NC @ 4.5 v ± 12V 320 pf @ 15 v - 1.1W (TA)
TPIC5424LDW Texas Instruments TPIC5424LDW 1.8700
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
IRFPS3810PBF Infineon Technologies IRFPS3810pbf -
RFQ
 ECAD 5785 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA MOSFET (금속 (() Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 170A (TC) 10V 9MOHM @ 100A, 10V 5V @ 250µA 390 NC @ 10 v ± 30V 6790 pf @ 25 v - 580W (TC)
IRF3808STRRPBF Infineon Technologies IRF3808STRRPBF -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570154 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 106A (TC) 10V 7mohm @ 82a, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 5310 pf @ 25 v - 200W (TC)
AOTF288L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF288L 0.8800
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF288 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 10.5A (TA), 43A (TC) 6V, 10V 9.2MOHM @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1871 pf @ 40 v - 2.1W (TA), 35.5W (TC)
2SK2943 Sanken 2SK2943 -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SK2943 DK 귀 99 8541.29.0095 3,750 n 채널 900 v 3A (TA) 10V 5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA ± 30V 600 pf @ 10 v - 30W (TC)
NP45N06VUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc np45n06vuk-e1-ay 1.2500
RFQ
 ECAD 5887 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NP45N06 MOSFET (금속 (() TO-263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 45A (TC) 10V 9.6mohm @ 23a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 75W (TC)
BSS223PW L6327 Infineon Technologies BSS223PW L6327 -
RFQ
 ECAD 4396 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 390MA (TA) 2.5V, 4.5V 1.2ohm @ 390ma, 4.5v 1.2V @ 1.5µA 0.62 nc @ 4.5 v ± 12V 56 pf @ 15 v - 250MW (TA)
FDMS8350LET40 onsemi FDMS8350LET40 2.3785
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS8350 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 49A (TA), 300A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 47a, 10V 3V @ 250µA 219 NC @ 10 v ± 20V 16590 pf @ 20 v - 3.33W (TA), 125W (TC)
SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA35DN-T1-GE3 0.5200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA35 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 24W (TC)
STD90NS3LLH7 STMicroelectronics std90ns3llh7 -
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ H7 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD90 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 40a, 10V 1.2v @ 1ma 13.7 NC @ 4.5 v ± 20V 2110 pf @ 25 v Schottky Diode (Body) 57W (TC)
IRLL014PBF Vishay Siliconix irll014pbf -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 40 n 채널 60 v 2.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 1.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SIPC03S2N03LX3MA1 Infineon Technologies SIPC03S2N03LX3MA1 0.3144
RFQ
 ECAD 2088 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 SIPC03 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014961 0000.00.0000 5,000
SFM9014TF onsemi SFM9014TF -
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SFM901 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 60 v 1.8A (TA) 10V 500mohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 2.8W (TA)
STH240N10F7-6 STMicroelectronics STH240N10F7-6 4.5400
RFQ
 ECAD 3421 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) STH240 MOSFET (금속 (() H2PAK-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15312-2 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 2.5mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 11550 pf @ 25 v - 300W (TC)
FDU8796 onsemi FDU8796 -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA FDU87 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2610 pf @ 13 v - 88W (TC)
IMBG120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R017M2HXTMA1 23.2180
RFQ
 ECAD 5363 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IMBG120R017M2HXTMA1TR 1,000
IRFL024NPBF International Rectifier IRFL024NPBF -
RFQ
 ECAD 7709 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 2.8A (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 18.3 NC @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRFIZ44G Vishay Siliconix irfiz44g -
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz44 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfiz44g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 28mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 48W (TC)
SFT1443-TL-W onsemi SFT1443-TL-W -
RFQ
 ECAD 3598 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SFT1443 MOSFET (금속 (() DPAK/TP-FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 700 n 채널 100 v 9A (TA) 4V, 10V 225mohm @ 3a, 10V 2.6v @ 1ma 9.8 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 20 v - 1W (TA), 19W (TC)
SIDR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-RE3 2.9700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR668DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 23.2A (TA), 95A (TC) 7.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
IMT65R048M1HXUMA1 Infineon Technologies IMT65R048M1HXUMA1 14.7100
RFQ
 ECAD 6980 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-Powersfn sicfet ((카바이드) PG-HSOF-8-1 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 - 650 v - 18V - - - - -
STD8NM60ND STMicroelectronics std8nm60nd -
RFQ
 ECAD 7040 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std8n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 700mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 560 pf @ 50 v - 70W (TC)
IXTH160N15T IXYS IXTH160N15T 10.0150
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH160 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 160A (TC) 10V 9.6mohm @ 500ma, 10V 5V @ 1MA 160 nc @ 10 v ± 30V 8800 pf @ 25 v - 830W (TC)
IPI180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI180N10N3GXKSA1 1.0571
RFQ
 ECAD 7182 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI180 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 43A (TC) 6V, 10V 18mohm @ 33a, 10V 3.5V @ 33µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 50 v - 71W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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