SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQ4850CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4850cey-t1_ge3 1.0500
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 742-sq4850cey-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1375 pf @ 25 v - 6.8W (TC)
SI3443DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3443DDV-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA), 4A (TC) 2.5V, 4.5V 47mohm @ 4.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 30 nc @ 8 v ± 12V 970 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 2.7W (TC)
DMJ70H600HK3-13 Diodes Incorporated DMJ70H600HK3-13 1.7000
RFQ
 ECAD 4648 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 7.6A (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 250µA 17.4 NC @ 10 v ± 30V 570 pf @ 25 v - 90W (TC)
AOT125A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT125A60L 2.3211
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT125 MOSFET (금속 (() TO-220 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AOT125A60L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 125mohm @ 14a, 10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2993 PF @ 100 v - 357W (TC)
YJG60G10A Yangjie Technology YJG60G10A 0.4660
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-yjg60g10atr 귀 99 5,000
RJ1L08CGNTLL Rohm Semiconductor rj1l08cgntll 2.5800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1L08 MOSFET (금속 (() lptl 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 80A (TA) 4.5V, 10V 7.7mohm @ 80a, 10V 2.5V @ 50µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 30 v - 96W (TA)
SI2301BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2301BDS-T1-BE3 0.4600
RFQ
 ECAD 6098 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-si2301bds-t1-be3tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2.8a, 4.5v 950MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 375 pf @ 6 v - 700MW (TA)
IRFBA90N20DPBF Infineon Technologies IRFBA90N20DPBF -
RFQ
 ECAD 8927 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-273AA MOSFET (금속 (() Super-220 ™ (TO-273AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 98A (TC) 10V 23mohm @ 59a, 10V 5V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 30V 6080 pf @ 25 v - 650W (TC)
IRLML6401TRPBF Infineon Technologies irlml6401trpbf 0.4600
RFQ
 ECAD 8863 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML6401 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 50mohm @ 4.3a, 4.5v 950MV @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 8V 830 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
NTMFS4108NT1G onsemi NTMFS4108NT1G -
RFQ
 ECAD 5514 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 13.5A (TA) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 21A, 10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 4.5 v ± 20V 6000 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 96.2W (TC)
IRLU8203PBF Infineon Technologies irlu8203pbf -
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irlu8203pbf 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 110A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 2430 pf @ 15 v - 140W (TC)
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3429 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA), 8A (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 8V 4085 pf @ 50 v - 4.2W (TC)
SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-GE3 0.6000
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2306 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.16a (TA) 4.5V, 10V 47mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 4.5 nc @ 5 v ± 20V 305 pf @ 15 v - 750MW (TA)
NTHS4101PT1G onsemi nths4101pt1g 1.0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 nths4101 MOSFET (금속 (() Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.8A (TJ) 1.8V, 4.5V 34mohm @ 4.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 8V 2100 pf @ 16 v - 1.3W (TA)
CSD17570Q5BT Texas Instruments CSD17570Q5BT 2.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD17570Q5 MOSFET (금속 (() 8-vson-clip (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 30 v 100A (TA) 4.5V, 10V 0.69mohm @ 50a, 10V 1.9V @ 250µA 121 NC @ 4.5 v ± 20V 13600 pf @ 15 v - 3.2W (TA)
CSD18510KCS Texas Instruments CSD18510KC 2.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 CSD18510 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 200a (TA) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 100a, 10V 2.3V @ 250µA 75 NC @ 4.5 v ± 20V 11400 pf @ 20 v - 250W (TA)
SIHFU310-GE3 Vishay Siliconix SIHFU310-GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
CSD19534KCS Texas Instruments CSD19534KC 1.5900
RFQ
 ECAD 545 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 CSD19534 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TA) 6V, 10V 16.5mohm @ 30a, 10V 3.4V @ 250µA 22.2 NC @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 50 v - 118W (TC)
SI7858ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-GE3 2.7500
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 20A (TA) 2.5V, 4.5V 2.6mohm @ 29a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 8V 5700 pf @ 6 v - 1.9W (TA)
STP42N60M2-EP STMicroelectronics STP42N60M2-EP 6.9200
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP42 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 87mohm @ 17a, 10V 4.75V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 25V 2370 pf @ 100 v - 250W (TC)
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated ZXM62P02E6TA 0.7500
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXM62P02 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.3A (TA) 2.7V, 4.5V 200mohm @ 1.6a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 5.8 NC @ 4.5 v ± 12V 320 pf @ 15 v - 1.1W (TA)
TPIC5424LDW Texas Instruments TPIC5424LDW 1.8700
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
IRFPS3810PBF Infineon Technologies IRFPS3810pbf -
RFQ
 ECAD 5785 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA MOSFET (금속 (() Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 170A (TC) 10V 9MOHM @ 100A, 10V 5V @ 250µA 390 NC @ 10 v ± 30V 6790 pf @ 25 v - 580W (TC)
IRF3808STRRPBF Infineon Technologies IRF3808STRRPBF -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570154 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 106A (TC) 10V 7mohm @ 82a, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 5310 pf @ 25 v - 200W (TC)
AOTF288L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF288L 0.8800
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF288 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 10.5A (TA), 43A (TC) 6V, 10V 9.2MOHM @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1871 pf @ 40 v - 2.1W (TA), 35.5W (TC)
2SK2943 Sanken 2SK2943 -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SK2943 DK 귀 99 8541.29.0095 3,750 n 채널 900 v 3A (TA) 10V 5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA ± 30V 600 pf @ 10 v - 30W (TC)
NP45N06VUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc np45n06vuk-e1-ay 1.2500
RFQ
 ECAD 5887 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NP45N06 MOSFET (금속 (() TO-263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 45A (TC) 10V 9.6mohm @ 23a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 75W (TC)
BSS223PW L6327 Infineon Technologies BSS223PW L6327 -
RFQ
 ECAD 4396 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 390MA (TA) 2.5V, 4.5V 1.2ohm @ 390ma, 4.5v 1.2V @ 1.5µA 0.62 nc @ 4.5 v ± 12V 56 pf @ 15 v - 250MW (TA)
FDMS8350LET40 onsemi FDMS8350LET40 2.3785
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS8350 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 49A (TA), 300A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 47a, 10V 3V @ 250µA 219 NC @ 10 v ± 20V 16590 pf @ 20 v - 3.33W (TA), 125W (TC)
SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA35DN-T1-GE3 0.5200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA35 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 24W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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