SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FDMS7698 onsemi FDMS7698 0.7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS76 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 13.5A (TA), 22A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1605 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 29W (TC)
PMPB19XP,115 Nexperia USA Inc. PMPB19XP, 115 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB19 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.2A (TA) 1.8V, 4.5V 22.5mohm @ 7.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 43.2 NC @ 4.5 v ± 12V 2890 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK7M4R3-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M4R3-40HX 1.5600
RFQ
ECAD 4329 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m4 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 95A (TA) 10V 4.3mohm @ 95a, 10V - 24 nc @ 10 v +20V, -10V - 90W
NTD5865N-1G onsemi NTD5865N-1G -
RFQ
ECAD 1318 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD58 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 43A (TC) 10V 18mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1261 pf @ 25 v - 71W (TC)
TSM60NB380CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CF 2.5238
RFQ
ECAD 7234 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TSM60 MOSFET (금속 (() ITO-220S 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM60NB380CF 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 30V 810 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
IRF5803TR Infineon Technologies IRF5803TR -
RFQ
ECAD 6810 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 3.4A (TA) 4.5V, 10V 112mohm @ 3.4a, 10V 3V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 25 v - 2W (TA)
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R, LXHF 0.4600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6A (TA) 1.8V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 1.2v @ 1ma 8.2 NC @ 4.5 v +6V, -12V 560 pf @ 15 v - 1W (TA)
FDB9503L-F085 onsemi FDB9503L-F085 5.3400
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB9503 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 40 v 110A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 255 NC @ 10 v ± 16V 8320 pf @ 20 v - 333W (TJ)
PSMN7R8-120PSQ NXP USA Inc. PSMN7R8-120PSQ -
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 귀 99 8541.29.0095 177 n 채널 120 v 70A (TC) 10V 7.9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 167 NC @ 10 v ± 20V 9473 pf @ 60 v - 349W (TC)
IXFN44N50Q IXYS IXFN44N50Q -
RFQ
ECAD 6857 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN44 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 44A (TC) 10V 120mohm @ 500ma, 10V 4V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 25 v - 500W (TC)
FDP13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDP13AN06A0_NL -
RFQ
ECAD 4876 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 10.9A (TA), 62A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 62a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
HAT1139H-EL-E Renesas Electronics America Inc HAT1139H-EL-E 1.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
STD5N60DM2 STMicroelectronics STD5N60DM2 0.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD5 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 3.5A (TC) 10V 1.55ohm @ 1.75a, 10V 5V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 30V 375 pf @ 100 v - 45W (TC)
AOD66923 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD66923 1.1200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD66 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 16.5A (TA), 58A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 50 v - 6.2W (TA), 73W (TC)
FDMS9409-F085 onsemi FDMS9409-F085 -
RFQ
ECAD 7923 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn FDMS94 MOSFET (금속 (() 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 65A (TC) 10V 3.2mohm @ 65a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 3130 pf @ 20 v - 100W (TJ)
AON6372 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6372 -
RFQ
ECAD 7168 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 Aon63 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 47A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 12.8 nc @ 10 v ± 20V 830 pf @ 15 v - 26W (TC)
BUK7675-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK7675-100A, 118 0.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 23A (TC) 10V 75mohm @ 13a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1210 pf @ 25 v - 99W (TC)
AOI380A60C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI380A60C 1.8600
RFQ
ECAD 6683 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOI380 MOSFET (금속 (() TO-251A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AOI380A60C 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 3.8V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 955 pf @ 100 v - 125W (TC)
IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R120C7XKSA1 5.5100
RFQ
ECAD 486 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R120 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 120mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 400 v - 92W (TC)
STD30NF04LT STMicroelectronics STD30NF04LT -
RFQ
ECAD 5248 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std30n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 30A (TC) 5V, 10V 30mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 720 pf @ 25 v - 50W (TC)
FQPF3N80 onsemi FQPF3N80 -
RFQ
ECAD 5645 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF3 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 5ohm @ 900ma, 10V 5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 690 pf @ 25 v - 39W (TC)
BUK752R3-40E,127 Nexperia USA Inc. BUK752R3-40E, 127 -
RFQ
ECAD 5745 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 293W (TC)
MSC060SMA070B Microchip Technology MSC060SMA070B 9.6400
RFQ
ECAD 8354 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MSC060 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 90 n 채널 700 v 39A (TC) 20V 75mohm @ 20a, 20V 2.4V @ 1mA 56 NC @ 20 v +23V, -10V 1175 pf @ 700 v - 143W (TC)
HAT2218R0T-EL-E Renesas HAT2218R0T-EL-E 0.7600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HAT2218R0T-EL-E 귀 99 8541.29.0075 1
IXFT80N08 IXYS IXFT80N08 -
RFQ
ECAD 1716 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT80 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 80 v 80A (TC) 10V 9mohm @ 40a, 10V 4V @ 4MA 180 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 300W (TC)
FDD14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDD14AN06LA0 2.1500
RFQ
ECAD 85 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9.5A (TA), 50A (TC) 5V, 10V 11.6MOHM @ 50A, 10V 3V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 20V 2810 pf @ 25 v - 125W (TC)
NTBG040N120SC1 onsemi NTBG040N120SC1 24.3300
RFQ
ECAD 760 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA NTBG040 sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1200 v 60A (TC) 20V 56mohm @ 35a, 20V 4.3v @ 10ma 106 NC @ 20 v +25V, -15V 1789 pf @ 800 v - 357W (TC)
SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor SCT3060ALHRC11 25.3100
RFQ
ECAD 282 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3060 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 39A (TC) 18V 78mohm @ 13a, 18V 5.6v @ 6.67ma 58 NC @ 18 v +22V, -4V 852 pf @ 500 v - 165W
FDD86369-F085 onsemi FDD86369-F085 1.3600
RFQ
ECAD 3605 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD86369 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 90A (TC) 10V 7.9mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 40 v - 150W (TJ)
SQP120P06-6M7L_GE3 Vishay Siliconix SQP120P06-6M7L_GE3 -
RFQ
ECAD 7565 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP120 TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 119A (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고