SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NTR4501NT3G onsemi ntr4501nt3g -
RFQ
ECAD 1248 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR450 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 3.2A (TA) 1.8V, 4.5V 80mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 12V 200 pf @ 10 v - 1.25W (TJ)
FDS6670AS onsemi FDS6670AS -
RFQ
ECAD 9843 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS66 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13.5A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 1mA 38 NC @ 10 v ± 20V 1540 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
AUIRLR024NTRL Infineon Technologies auirlr024ntrl -
RFQ
ECAD 5810 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517694 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 17A (TC) 4V, 10V 65mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 16V 480 pf @ 25 v - 45W (TC)
DMP2110UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMP2110UFDBQ-7 0.4600
RFQ
ECAD 1496 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2110 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 10V 443 pf @ 10 v - 800MW (TA)
IRF840LCLPBF Vishay Siliconix IRF840LCLPBF 2.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF840 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF840LCLPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
TSM1N45CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45CT B0G -
RFQ
ECAD 5598 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 450 v 500MA (TC) 10V 4.25ohm @ 250ma, 10V 4.25V @ 250µA 6.5 NC @ 10 v ± 30V 235 pf @ 25 v - 2W (TC)
FQPF6N40CF Fairchild Semiconductor fqpf6n40cf 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 38W (TC)
PJA3440-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. pja3440-au_r1_000a1 0.4600
RFQ
ECAD 829 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3440 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 2.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 20V 410 pf @ 20 v - 1.25W (TA)
NTP85N03G onsemi NTP85N03G -
RFQ
ECAD 4584 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP85N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 28 v 85A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 24 v - 80W (TC)
IPS60R360PFD7SAKMA1 Infineon Technologies IPS60R360PFD7SAKMA1 1.4100
RFQ
ECAD 982 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA ips60r MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 360mohm @ 2.9a, 10V 4.5V @ 140µA 12.7 NC @ 10 v ± 20V 534 pf @ 400 v - 43W (TC)
STD6N60M2 STMicroelectronics std6n60m2 1.4800
RFQ
ECAD 1687 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std6n60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 25V 232 pf @ 100 v - 60W (TC)
FDT86244 onsemi FDT86244 0.8900
RFQ
ECAD 2093 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FDT86 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 150 v 2.8A (TC) 6V, 10V 128mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 395 pf @ 75 v - 2.2W (TA)
ZVN4306ASTZ Diodes Incorporated zvn4306astz -
RFQ
ECAD 6385 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 1.1A (TA) 5V, 10V 3A 3A, 10V 330mohm 3V @ 1mA ± 20V 350 pf @ 25 v - 850MW (TA)
IXTA36N30T IXYS IXTA36N30T -
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA36 MOSFET (금속 (() TO-263AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 36A (TC) 110mohm @ 500ma, 10V - 70 nc @ 10 v 2250 pf @ 25 v - -
STF2N95K5 STMicroelectronics STF2N95K5 1.6800
RFQ
ECAD 727 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF2N95 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 2A (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 10 nc @ 10 v 30V 105 pf @ 100 v - 20W (TC)
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8001-H (TE85LFM -
RFQ
ECAD 4459 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8001 MOSFET (금속 (() PS-8 (2.9x2.4) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.2A (TA) 4.5V, 10V 16mohm @ 3.6a, 10V 2.3v @ 1ma 11 NC @ 10 v ± 20V 640 pf @ 10 v - 1W (TA), 30W (TC)
FDS6574A onsemi FDS6574A -
RFQ
ECAD 9731 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS6574 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 16A (TA) 1.8V, 4.5V 6ohm @ 16a, 4.5v 1.5V @ 250µA 105 NC @ 4.5 v ± 8V 7657 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
SIRS4301DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS4301DP-T1-GE3 3.4700
RFQ
ECAD 7455 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sirs4301 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 53.7A (TA), 227A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 255 NC @ 4.5 v ± 20V 19750 pf @ 15 v - 7.4W (TA), 132W (TC)
NTTFS5C453NLTAG onsemi NTTFS5C453NLTAG 2.7000
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTTFS5C453NLTAGOSTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 23A (TA), 107A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 40A, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 68W (TC)
HAT1047RWS-E Renesas Electronics America Inc HAT1047RWS-e -
RFQ
ECAD 3087 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 64 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
IRFRC20TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfrc20trlpbf-be3 1.8000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfrc20trlpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
NTMFS5C628NLT1G onsemi NTMFS5C628NLT1G 5.1200
RFQ
ECAD 426 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 15A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 135µA 52 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 110W (TC)
R5009ANJTL Rohm Semiconductor R5009ANJTL 1.9610
RFQ
ECAD 8356 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5009 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 9A (TA) 10V 720mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 1mA 21 NC @ 10 v ± 30V 650 pf @ 25 v - 50W (TC)
BSS138W E6433 Infineon Technologies BSS138W E6433 -
RFQ
ECAD 1565 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 280MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.4V @ 26µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 43 pf @ 25 v - 500MW (TA)
STD75N3LLH6 STMicroelectronics std75n3llh6 -
RFQ
ECAD 9004 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD75N MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 37.5a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRFR3711PBF Infineon Technologies IRFR3711PBF -
RFQ
ECAD 4764 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552178 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
FDPF18N20FT onsemi fdpf18n20ft 1.6300
RFQ
ECAD 4568 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF18 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 1180 pf @ 25 v - 41W (TC)
CPMF-1200-S080B Wolfspeed, Inc. CPMF-1200-S080B -
RFQ
ECAD 3269 0.00000000 Wolfspeed, Inc. Z-Fet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 sicfet ((카바이드) 주사위 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 1200 v 50A (TJ) 20V 110mohm @ 20a, 20V 4V @ 1MA 90.8 NC @ 20 v +25V, -5V 1915 pf @ 800 v - 313MW (TJ)
FDD13AN06A0-F085 onsemi FDD13AN06A0-F085 1.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD13AN06 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9.9A (TA), 50A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
IRFD122 Harris Corporation IRFD122 0.4400
RFQ
ECAD 2599 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOSFET (금속 (() 4-DIP, Hexdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 196 년 n 채널 100 v 1.1A (TC) 10V 400mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 1W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고