SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IXFX15N100 IXYS IXFX15N100 -
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX15 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 적용 적용 수 할 IXFX15N100-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 15A (TC) 10V 700mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 4mA 220 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 360W (TC)
IRFBE30PBF Vishay Siliconix irfbe30pbf 2.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBE30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfbe30pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRL3302SPBF Infineon Technologies IRL3302SPBF -
RFQ
 ECAD 5875 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 39A (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 31 NC @ 4.5 v ± 10V 1300 pf @ 15 v - 57W (TC)
AUIRF3315S International Rectifier AUIRF3315S -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 150 v 21A (TC) 10V 82mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
AOI409 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI409 0.4292
RFQ
 ECAD 3892 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOI40 MOSFET (금속 (() TO-251A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,500 p 채널 60 v 26A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 60W (TC)
FQD7N20LTF onsemi fqd7n20ltf -
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 5.5A (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.75a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
MCH3478-TL-H onsemi MCH3478-TL-H -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MCH34 MOSFET (금속 (() 3mcph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 165mohm @ 1a, 4.5v - 1.7 NC @ 4.5 v ± 12V 130 pf @ 10 v - 800MW (TA)
IXTT3N200P3HV IXYS IXTT3N200P3HV 52.2600
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 ixys p3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT3 MOSFET (금속 (() TO-268HV (IXTT) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -IXTT3N200P3HV 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 2000 v 3A (TC) 10V 8ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1860 pf @ 25 v - 520W (TC)
IRLU014 Vishay Siliconix irlu014 -
RFQ
 ECAD 5104 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu014 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRLU014 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
NTK3134NT1H onsemi NTK3134NT1H -
RFQ
 ECAD 8740 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 NTK3134 - SOT-723 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 - 890MA (TA) 1.5V, 4.5V - - ± 6V - -
2N6901 Microsemi Corporation 2N6901 -
RFQ
 ECAD 1597 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 1.69A (TC) 5V 2.6ohm @ 1.07a, 5V 2V @ 1mA 1 nc @ 5 v ± 10V - 8.33W (TC)
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L (T6L1, NQ 0.7102
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ30S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 30A (TA) 6V, 10V 21.8mohm @ 15a, 10V 3V @ 1mA 80 nc @ 10 v +10V, -20V 3950 pf @ 10 v - 68W (TC)
IRFP3415PBF Infineon Technologies IRFP3415PBF 4.0300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP3415 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 150 v 43A (TC) 10V 42mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 200W (TC)
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S5L2R6ATMA1 1.5100
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPC100 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 50a, 10V 2V @ 30µA 55 NC @ 10 v ± 16V 2925 pf @ 25 v - 75W (TC)
SQM200N04-1M7L_GE3 Vishay Siliconix SQM200N04-1M7L_GE3 3.3700
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) SQM200 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 200a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 291 NC @ 10 v ± 20V 11168 pf @ 20 v - 375W (TC)
RJK6035DPP-A0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK6035DPP-A0#T2 3.0500
RFQ
 ECAD 4825 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RJK6035 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1161-RJK6035DPP-A0#T2 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v - 8V, 10V - - ± 30V - -
IXFH30N60Q IXYS IXFH30N60Q -
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH30 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 230mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 4mA 125 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v - 500W (TC)
IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R099CPXKSA1 9.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 31A (TC) 10V 99mohm @ 18a, 10V 3.5v @ 1.2ma 80 nc @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 100 v - 255W (TC)
AO4724 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4724 -
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SRFET ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO47 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.7A (TA) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 10.5a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 1.7W (TA)
IRF6216TRPBF Infineon Technologies IRF6216TRPBF -
RFQ
 ECAD 1347 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 150 v 2.2A (TA) 10V 240mohm @ 1.3a, 10V 5V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1280 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IXFH13N100 IXYS IXFH13N100 -
RFQ
 ECAD 4176 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH13 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 12.5A (TC) 10V 900mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 300W (TC)
NTD15N06LT4 onsemi NTD15N06LT4 -
RFQ
 ECAD 5816 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD15 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 15A (TA) 5V 100mohm @ 7.5a, 5V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 15V 440 pf @ 25 v - 1.5W (TA), 48W (TJ)
NVMFS5C430NLAFT3G onsemi NVMFS5C430NLAFT3G 1.4382
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 38A (TA), 200a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
IRL1404ZS Infineon Technologies IRL1404ZS -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 2.7V @ 250µA 110 NC @ 5 v ± 16V 5080 pf @ 25 v - 230W (TC)
FDD86369 onsemi FDD86369 1.6000
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD863 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 90A (TC) 10V 7.9mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 40 v - 150W (TJ)
NVTFS005N04CTAG onsemi NVTFS005N04CTAG 1.5900
RFQ
 ECAD 8183 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS005 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 17A (TA), 69A (TC) 10V 5.6mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 40µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
NTTFS4800NTAG onsemi NTTFS4800NTAG -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 5A (TA), 32A (TC) 4.5V, 11.5V 20MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 20V 964 pf @ 15 v - 860MW (TA), 33.8W (TC)
IRFP460A Vishay Siliconix IRFP460A -
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 30V 3100 pf @ 25 v - 280W (TC)
G700P06T Goford Semiconductor G700P06T 0.6800
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 25A (TC) 4.5V, 10V 70mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1428 pf @ 30 v - 100W (TC)
SI5913DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5913DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1184 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5913 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TC) 2.5V, 10V 84mohm @ 3.7a, 10V 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 330 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.7W (TA), 3.1W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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