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저항 저항, 네트워크 (38855)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
4607X-101-332LF Bourns Inc. 4607X-101-332LF 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.698 "L x 0.098"W (17.73mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 7-sip 4607x ± 100ppm/° C 7-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 200 3.3k 버스 6 - - 7 200MW
YC324-FK-07750KL YAGEO YC324-FK-07750KL 0.0697
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 Yageo YC324 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 YC324-FK ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 750K 외딴 4 - - 8 125MW
RAVF328NJT1K00 Stackpole Electronics Inc RAVF328NJT1K00 0.0300
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 Stackpole Electronics Inc RAVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 1K 버스 8 - - 10 62.5MW
4108R-1-224LF Bourns Inc. 4108R-1-224LF 1.5150
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 Bourns Inc. 4100r 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.264"W (11.81mm x 6.71mm) 0.185 "(4.69mm) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ± 100ppm/° C 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 118-4108R-1-224LF 귀 99 8533.21.0010 45 220K 외딴 4 - 50ppm/° C 8 250MW
EXB-24N913JX Panasonic Electronic Components exb-24n913jx 0.0134
RFQ
 ECAD 8423 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 귀 99 8533.21.0020 10,000
766143334GPTR7 CTS Resistor Products 766143334GPTR7 1.2910
RFQ
 ECAD 2319 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 330K 외딴 7 - - 14 160MW
4608X-102-684LF Bourns Inc. 4608X-102-684LF 0.0985
RFQ
 ECAD 9996 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-sip 4608x ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 1,000 680K 외딴 4 - - 8 300MW
YC162-JR-0722KL YAGEO YC162-JR-0722KL 0.0126
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Yageo YC162 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0606,, YC162-JR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 22k 외딴 2 - - 4 62.5MW
CAY16-102J4AS Bourns Inc. CAY16-102J4AS -
RFQ
 ECAD 5459 0.00000000 Bourns Inc. Cay16- AS 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 CAY16 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 118-CAY16-102J4AST 귀 99 8533.21.0020 5,000 1K 외딴 4 - - 8 63MW
CAT16-682J4LF Bourns Inc. CAT16-682J4LF 0.1000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Bourns Inc. CAT16 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.061"W (3.20mm x 1.55mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 CAT16 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 5,000 6.8k 외딴 4 - - 8 62.5MW
4820P-T02-473 Bourns Inc. 4820p-T02-473 0.7353
RFQ
 ECAD 4298 0.00000000 Bourns Inc. 4800p 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.540 "LX 0.220"W (13.72mm x 5.59mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) 4820p ± 100ppm/° C 20-SOM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0010 40 47K 버스 19 - - 20 80MW
YC164-FR-072K7L YAGEO YC164-FR-072K7L 0.0166
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 Yageo YC164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 YC164-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 2.7k 외딴 4 - - 8 62.5MW
752103103GP CTS Resistor Products 752103103GP 1.4693
RFQ
 ECAD 4376 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 10k 외딴 5 - - 10 160MW
RT1200B7 CTS Resistor Products RT1200B7 -
RFQ
 ECAD 2239 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C pci® 0.315 "L x 0.157"W (8.00mm x 4.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 36-lbga ± 200ppm/° C 36-BGA (8x4) - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 10 이중 이중 16 - - 36 50MW
TA33-4K22D4K22 Vishay Sfernice TA33-4K22D4K22 10.6623
RFQ
 ECAD 9725 0.00000000 Vishay Sfernice * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 716-TA33-4K2D4K22 귀 99 8533.21.0020 100
YC324-FK-07150KL YAGEO YC324-FK-07150KL 0.0697
RFQ
 ECAD 3069 0.00000000 Yageo YC324 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 YC324-FK ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 150K 외딴 4 - - 8 125MW
YC248-FR-0724KL YAGEO YC248-FR-0724KL 0.0663
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 Yageo YC248 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 YC248-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 24K 외딴 8 - - 16 62.5MW
YC324-FK-0759KL YAGEO YC324-FK-0759KL 0.0697
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 Yageo YC324 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 YC324-FK ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 59K 외딴 4 - - 8 125MW
YC124-JR-076R8L YAGEO YC124-JR-076R8L 0.0185
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 Yageo YC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 YC124-JR ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 6.8 외딴 4 - - 8 62.5MW
RMK33N2KF3K5D Vishay Sfernice RMK33N2KF3K5D 16.8844
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 Vishay Sfernice * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 716-RMK33N2KF3K5D 귀 99 8533.21.0020 100
4308M-102-821LF Bourns Inc. 4308m-102-821LF 0.8242
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 Bourns Inc. 4300m 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.784 "L x 0.085"W (19.91mm x 2.16mm) 0.250 "(6.35mm) 구멍을 구멍을 8-sip 4308m ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0050 250 820 외딴 4 - 50ppm/° C 8 400MW
S41X083220GP CTS Resistor Products S41X083220GP 0.0269
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083220GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 22 외딴 4 - - 8 31MW
EXB-28N240JX Panasonic Electronic Components exb-28n240jx 0.0114
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 - 귀 99 8533.21.0020 10,000 24 외딴 4 - - 8 63MW
S41X083101FP CTS Resistor Products S41X083101FP 0.0311
RFQ
 ECAD 8887 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083101FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 100 외딴 4 - - 8 31MW
4306M-101-202 Bourns Inc. 4306m-101-202 -
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Bourns Inc. 4300m 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.584 "L x 0.085"W (14.83mm x 2.16mm) 0.250 "(6.35mm) 구멍을 구멍을 6-sip 4306m ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0050 250 2K 버스 5 - 50ppm/° C 6 250MW
4416T-2-2700FA Bourns Inc. 4416T-2-2700FA -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Bourns Inc. - 튜브 쓸모없는 - rohs 비준수 1 (무제한) 118-4416T-2-2700FA 쓸모없는 1
TA33-4K22D4K22D Vishay Sfernice TA33-4K22D4K22D 10.6623
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 Vishay Sfernice * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 716-TA33-4K2D4K22D 귀 99 8533.21.0020 100
S41X083750GP CTS Resistor Products S41X083750GP 0.0269
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083750GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 75 외딴 4 - - 8 31MW
S40X043512JP CTS Resistor Products S40X043512JP 0.0901
RFQ
 ECAD 4127 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043512JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 5.1k 외딴 2 - - 4 31MW
RACF648RJT22K0 Stackpole Electronics Inc RACF648RJT22K0 -
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 Stackpole Electronics Inc racf 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.252 "L x 0.122"W (6.40mm x 3.10mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 22k 버스 8 - - 10 62.5MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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