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 | 4820p-1-223LF | 0.6368 | | 9973 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.540 "LX 0.220"W (13.72mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4820p | ± 100ppm/° C | 20-SOM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.10.0057 | 2,000 | 22k | 외딴 | 10 | - | - | 20 | 160MW | ||
 | 740x043101JP | 0.0600 | | 5313 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 740 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | 740x043 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 100 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | ||
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| exb-u38563jv | 0.0571 | | 3767 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | Exb-U3 | ± 200ppm/° C | 1206 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 56K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
| 752243100JP | - | | 3338 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 60-752243100JP | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | |||||||||||||||||||
 | Y1747V0201QT0W | 60.9956 | | 8670 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | smnz | 쟁반 | 활동적인 | ± 0.02% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.157"W (5.00mm x 3.99mm) | 0.073 "(1.86mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0010 | 25 | 100, 10k | 외딴 | 4 | ± 0.01% | ± 1ppm/° C | 8 | 100MW | ||||
| 4816P-1-330 | 0.5698 | | 6155 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 250ppm/° C | 16-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 118-4816P-1-330tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 2,000 | 33 | 외딴 | 8 | - | ± 100ppm/° C | 16 | 160MW | ||
 | WA06X204_JTL | - | | 3497 | 0.00000000 | Walsin Technology Corporation | WA | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 4639-WA06X204_JTLTR | 귀 99 | 1 | 200k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||||
 | 4310R-101-301 | 0.7662 | | 5805 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300R | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.984 "L x 0.085"W (24.99mm x 2.16mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | 4310R | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 20 | 300 | 버스 | 9 | - | 50ppm/° C | 10 | 200MW | ||
| AF122-FR-075K49L | 0.0592 | | 1365 | 0.00000000 | Yageo | AF122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 5.49K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
| AF122-FR-0720KL | 0.0592 | | 5120 | 0.00000000 | Yageo | AF122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 20k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
| AF164-JR-075K1L | 0.0288 | | 9195 | 0.00000000 | Yageo | AF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 5.1k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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