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저항 저항, 네트워크 (38855)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
RAVF104DFT240K Stackpole Electronics Inc RAVF104DFT240K 0.0210
RFQ
 ECAD 3890 0.00000000 Stackpole Electronics Inc RAVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 240K 외딴 4 - - 8 62.5MW
S40X043331JP CTS Resistor Products S40X043331JP 0.0901
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043331JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 330 외딴 2 - - 4 31MW
YC248-FR-0715RL YAGEO YC248-FR-0715RL 0.0663
RFQ
 ECAD 2793 0.00000000 Yageo YC248 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 YC248-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 15 외딴 8 - - 16 62.5MW
CAY16A-680J4LF Bourns Inc. CAY16A-680J4LF 0.0200
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 Bourns Inc. CAY16A-LF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 118-CAY16A-680J4LFTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 68 외딴 4 - - 8 63MW
4816P-2-223LF Bourns Inc. 4816P-2-223LF 1.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Bourns Inc. 4800p 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) 4816p ± 100ppm/° C 16-SOM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 22k 버스 15 - - 16 80MW
YC248-FR-07324KL YAGEO YC248-FR-07324KL 0.0663
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 Yageo YC248 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 YC248-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 324K 외딴 8 - - 16 62.5MW
752203331GPTR7 CTS Resistor Products 752203331GPTR7 1.6161
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 20-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 330 외딴 10 - - 20 160MW
CRA06E083562RFTA Vishay Dale CRA06E083562RFTA -
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 Vishay Dale CRA06 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 5,000 562 외딴 4 - - 8 62.5MW
Y4485V0075QT9R VPG Foil Resistors Y4485V0075QT9R 15.3625
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 vpg 저항 포일 DSMZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.02% -65 ° C ~ 125 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.160 "L x 0.106"W (4.06mm x 2.69mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 1610 J-Lead (3 터미널) ± 0.2ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 400, 2k 전압 전압 2 ± 0.01% ± 0.1ppm/° C 3 50MW
RT2712B7TR7 CTS Resistor Products RT2712B7TR7 -
RFQ
 ECAD 6395 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 - - - - -
AF162-JR-071K8L YAGEO AF162-JR-071K8L 0.0419
RFQ
 ECAD 9087 0.00000000 Yageo AF162 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C DDRAM, SDRAM 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.8K 외딴 2 - - 4 62.5MW
MDP16031K00GE04 Vishay Dale MDP16031K00GE04 8.7300
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 Vishay Dale MDP 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.850 "L x 0.250"W (21.59mm x 6.35mm) 0.155 "(3.94mm) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ± 100ppm/° C 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0060 25 1K 외딴 8 - - 16 250MW
YC162-FR-071K33L YAGEO YC162-FR-071K33L 0.0168
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 Yageo YC162 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0606,, YC162-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.33k 외딴 2 - - 4 62.5MW
4608X-AP1-182LF Bourns Inc. 4608x-AP1-182LF 0.1660
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-sip 4608x ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 1,000 1.8K 버스 7 - - 8 200MW
CSC06A033K30GPA Vishay Dale CSC06A033K30GPA 1.9037
RFQ
 ECAD 9415 0.00000000 Vishay Dale CSC 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.590 "L x 0.098"W (14.99mm x 2.49mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 2,000 3.3k 외딴 3 - ± 50ppm/° C 6 300MW
PRA135I2-500KBLNT Vishay Sfernice pra135i2-500kblnt 11.2793
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 Vishay Sfernice * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 716-PRA135I2-500KBLNTTR 귀 99 8533.21.0020 100
TC124-FR-07191RL YAGEO TC124-FR-07191RL 0.0297
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 Yageo TC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 TC124-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 191 외딴 4 - - 8 62.5MW
EXB-N8N622JX Panasonic Electronic Components exb-n8n622jx 0.0175
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 귀 99 8533.21.0020 10,000
S42C083130JP CTS Resistor Products S42C083130JP 0.0680
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083130JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 13 외딴 4 - - 8 63MW
EXB-S8V911J Panasonic Electronic Components EXB-S8V911J 0.1351
RFQ
 ECAD 4436 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.087"W (5.08mm x 2.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 2009, 오목한, 오목한 측면 터미널 Exb-S8 ± 200ppm/° C 2009 년 년 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 2,500 910 외딴 4 - - 8 100MW
RPS104PJ682CS Samsung Electro-Mechanics rps104pj682cs -
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 삼성 삼성 기계 RPS 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.46mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 10,000 6.8k 외딴 4 - - 8 62.5MW
ORNTV50012502TF Vishay Dale Thin Film ORNTV50012502TF 2.2344
RFQ
 ECAD 5772 0.00000000 Vishay Dale ale ornv 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1% -55 ° C ~ 125 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) 0.068 "(1.73mm) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 25ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 5K, 25K 전압 전압 5 ± 0.05% ± 5ppm/° C 8 100MW
TA33-140KJ Vishay Sfernice TA33-140KJ 8.0483
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 Vishay Sfernice * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 716-TA33-140KJ 귀 99 8533.21.0020 100
Y1747V0191BT9W Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y1747V0191BT9W 47.2648
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) smnz 쟁반 활동적인 ± 0.1% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.157"W (5.00mm x 3.99mm) 0.073 "(1.86mm) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 0.2ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0010 25 1K 외딴 4 ± 0.01% ± 1ppm/° C 8 100MW
768163151GP CTS Resistor Products 768163151GP 1.2132
RFQ
 ECAD 2060 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 150 외딴 8 - - 16 200MW
S42C083914JP CTS Resistor Products S42C083914JP 0.0680
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083914JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 910K 외딴 4 - - 8 63MW
AF122-FR-07118KL YAGEO AF122-FR-07118KL 0.0562
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 Yageo AF122 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C DDRAM, SDRAM 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 118K 외딴 2 - - 4 62.5MW
CRB3A4E330JT KYOCERA AVX crb3a4e330jt -
RFQ
 ECAD 3590 0.00000000 Kyocera avx CRB, Kyocera 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 250ppm/° C 1206 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 33 외딴 4 - - 8 62.5MW
741C083332JP CTS Resistor Products 741C083332JP 0.0184
RFQ
 ECAD 3375 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 3.3k 외딴 4 - - 8 63MW
RNA4A8E163JT KYOCERA AVX RNA4A8E163JT -
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 Kyocera avx RNA4A, Kyocera 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.157 "L x 0.083"W (4.00mm x 2.10mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1608, 오목한, 긴 측면 터미널 - - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 16k 버스 8 - - 10 62.5MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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