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저항 저항, 네트워크 (38855)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
CRA12E083510KJTR Vishay Dale CRA12E083510KJTR -
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 Vishay Dale CRA12 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.200 "L x 0.120"W (5.08mm x 3.05mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 2,000 510K 외딴 4 - - 8 125MW
EXB-U34753JV Panasonic Electronic Components Exb-U34753JV 0.0458
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 Exb-U34 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 귀 99 8533.21.0020 5,000 75K 외딴 2 - - 4 63MW
ORNV20021002UF Vishay Dale Thin Film ORNV20021002UF 3.3600
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 Vishay Dale ale ornv 튜브 활동적인 ± 0.1% -55 ° C ~ 125 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) 0.068 "(1.73mm) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 25ppm/° C - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 98 10K, 20K 전압 전압 5 ± 0.05% ± 5ppm/° C 8 100MW
TA33-360RB Vishay Sfernice TA33-360RB 12.6714
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 Vishay Sfernice * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 716-TA33-360RB 귀 99 8533.21.0020 100
TA33-100KFD0016 Vishay Sfernice TA33-100KFD0016 8.8982
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 Vishay Sfernice * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 716-TA33-100KFD0016 귀 99 8533.21.0020 100
RP102PJ431CS Samsung Electro-Mechanics RP102PJ431CS -
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 삼성 삼성 기계 RP 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.46mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 10,000 430 외딴 2 - - 4 62.5MW
EXB-24V362JX Panasonic Electronic Components exb-24v362jx 0.0120
RFQ
 ECAD 1463 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 exb-24 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 exb24v362jx 귀 99 8533.21.0020 10,000 3.6k 외딴 2 - - 4 62.5MW
S40X043130JP CTS Resistor Products S40X043130JP 0.0901
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043130JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 13 외딴 2 - - 4 31MW
EXB-U34304JV Panasonic Electronic Components exb-u34304jv 0.0458
RFQ
 ECAD 5622 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 Exb-U34 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 귀 99 8533.21.0020 5,000 300K 외딴 2 - - 4 63MW
YC124-FR-07340RL YAGEO YC124-FR-07340RL 0.0374
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 Yageo YC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 YC124-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 340 외딴 4 - - 8 62.5MW
RAVF164DJT51R0 Stackpole Electronics Inc RAVF164DJT51R0 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stackpole Electronics Inc RAVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 51 외딴 4 - - 8 100MW
VSSR1603101JUF Vishay Dale Thin Film vssr1603101juf 2.6300
RFQ
 ECAD 5719 0.00000000 Vishay Dale ale vssr 튜브 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.193 "L x 0.154"W (4.90mm x 3.91mm) 0.069 "(1.76mm) 표면 표면 16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C 16-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSSR16-100-JI 귀 99 8533.21.0010 98 100 외딴 8 - - 16 100MW
YC104-FR-0727RL YAGEO YC104-FR-0727RL 0.0287
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 Yageo YC104 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0502 (1406 메트릭) 볼록, 긴 측면 터미널 YC104-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 27 외딴 4 - - 8 31MW
CAT16A-471J4LF Bourns Inc. CAT16A-471J4LF 0.0188
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 Bourns Inc. CAT16A-LF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.061"W (3.20mm x 1.55mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 118-CAT16A-471J4LFTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 470 외딴 4 - - 8 63MW
4310R-101-560LF Bourns Inc. 4310R-101-560LF 2.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Bourns Inc. 4300R 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.984 "L x 0.085"W (24.99mm x 2.16mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip 4310R ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0050 20 56 버스 9 - 50ppm/° C 10 200MW
YC164-JR-071R3L YAGEO YC164-JR-071R3L 0.0171
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 Yageo YC164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 YC164-JR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.3 외딴 4 - - 8 62.5MW
PRA100I3-10KBLBT Vishay Sfernice PRA100I3-10KBLBT 13.5152
RFQ
 ECAD 6254 0.00000000 Vishay Sfernice * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 716-PRA100I3-10KBLBTTR 귀 99 8533.21.0020 100
S42C083223FP CTS Resistor Products S42C083223FP 0.0914
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083223FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 22k 외딴 4 - - 8 63MW
EXB-U2H204JV Panasonic Electronic Components Exb-U2H204JV 0.0560
RFQ
 ECAD 4703 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 Exb-U2 ± 200ppm/° C 1506 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 200k 외딴 8 - - 16 63MW
768163823GP CTS Resistor Products 768163823GP 1.2132
RFQ
 ECAD 1317 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 82k 외딴 8 - - 16 200MW
770103105P CTS Resistor Products 770103105p 0.6528
RFQ
 ECAD 6616 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-103-R1MEGP 귀 99 8533.21.0050 1,000 1m 외딴 5 - - 10 100MW
CAY16-3R0J2LF Bourns Inc. CAY16-3R0J2LF -
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 Bourns Inc. CAY16 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 0606,, CAY16 ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 3 외딴 2 - - 4 62.5MW
CAT16-751J4LF Bourns Inc. CAT16-751J4LF 0.0212
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 Bourns Inc. CAT16 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.061"W (3.20mm x 1.55mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 CAT16 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 750 외딴 4 - - 8 62.5MW
S42X083201FP CTS Resistor Products S42X083201FP 0.0560
RFQ
 ECAD 6442 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083201FPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 200 외딴 4 - - 8 63MW
4116R-1-303LF Bourns Inc. 4116R-1-303LF 0.8873
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 Bourns Inc. 4100r 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.865 "LX 0.300"W (21.97mm x 7.62mm) 0.185 "(4.69mm) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4116R ± 100ppm/° C 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0060 25 30K 외딴 8 - 50ppm/° C 16 250MW
N5302 Bourns Inc. N5302 -
RFQ
 ECAD 5102 0.00000000 Bourns Inc. - 대부분 쓸모없는 - 118-N5302 쓸모없는 1
TC124-JR-1336RL YAGEO TC124-JR-1336RL 0.0123
RFQ
 ECAD 6532 0.00000000 Yageo TC 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 1 (무제한) 13-TC124-JR-1336RL 귀 99 8533.21.0010 40,000 36 외딴 4 - - 8 63MW
EXB-U2H623JV Panasonic Electronic Components Exb-U2H623JV 0.0560
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 Exb-U2 ± 200ppm/° C 1506 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 62k 외딴 8 - - 16 63MW
CNF22JTFY0750 Viking Tech CNF22JTFY0750 -
RFQ
 ECAD 1225 0.00000000 바이킹 바이킹 CNF 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.047 "L x 0.039"W (1.20mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0504 (1210 Metric), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0504 - rohs 준수 1 (무제한) 2577-CNF22JTFY0750TB 8533.10.0070 1 75 외딴 2 - - 4 63MW
YC164-JR-135K6L YAGEO YC164-JR-135K6L 0.0103
RFQ
 ECAD 1916 0.00000000 Yageo YC 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 1 (무제한) 13-YC164-JR-135K6L 귀 99 8533.21.0010 20,000 5.6k 외딴 4 - - 8 63MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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