전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
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![]() | CNF42JTFY0150 | - | ![]() | 1653 | 0.00000000 | 바이킹 바이킹 | CNF | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 2577-CNF42JTFY0150TB | 8533.10.0070 | 1 | 15 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||
![]() | CNF43JTFX0220 | - | ![]() | 9466 | 0.00000000 | 바이킹 바이킹 | CNF | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.061"W (3.20mm x 1.55mm) | 0.026 "(0.65mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 2577-CNF43JTFX0220TB | 8533.10.0070 | 1 | 22 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||||
![]() | RSK33N100RB | 13.0795 | ![]() | 2819 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 716-RSK33N100RB | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | 4B06B-CU9-100 | - | ![]() | 4483 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 118-4B06B-CU9-100 | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 4B07B-AS9-000 | - | ![]() | 3618 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 118-4B07B-AS9-000 | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | AF122-FR-07200RL | 0.0562 | ![]() | 7310 | 0.00000000 | Yageo | AF122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 200 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
![]() | PRAHT182I4100KBWGT | 19.1066 | ![]() | 8435 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 716-PRAHT182I4100KBWGTTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | WA04X820_JTL | - | ![]() | 6537 | 0.00000000 | Walsin Technology Corporation | WA | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 4639-WA04X820_JTLTR | 귀 99 | 1 | 82 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||
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![]() | 742C0834023FP | 0.0487 | ![]() | 2507 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 742 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | 742C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 402k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | MNR14ERAPJ131 | - | ![]() | 6579 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 130 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | Y0006V0093ft0L | 46.4732 | ![]() | 8518 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | 300144 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.295 "L x 0.100"W (7.49mm x 2.54mm) | 0.320 "(8.13mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 25 | 10K, 14K | 전압 전압 | 2 | ± 0.01% | ± 0.5ppm/° C | 3 | 100MW | ||||
![]() | MU10K00/10K00QTL | 11.8928 | ![]() | 1968 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | 무 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.02% | -65 ° C ~ 150 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 1210 (3225 메트릭), J-Lead | ± 5ppm/° C | SMD | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 800 | 10K, 10K | 전압 전압 | 2 | ± 0.01% | ± 5ppm/° C | 3 | 50MW | |||||
![]() | MU1K000/1K000BA | 10.1755 | ![]() | 2081 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | 무 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -65 ° C ~ 150 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 1210 (3225 메트릭), J-Lead | ± 5ppm/° C | SMD | - | 1 (무제한) | 2266-MU1K000/1K000BA | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | 1K, 1K | 전압 전압 | 2 | ± 0.05% | ± 5ppm/° C | 3 | 50MW | ||||
![]() | 4306R-101-103LF | 1.7100 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300R | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.584 "L x 0.085"W (14.83mm x 2.16mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | 4306R | ± 100ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 35 | 10k | 버스 | 5 | - | 50ppm/° C | 6 | 200MW | ||
![]() | WA06X75R0FTL | - | ![]() | 8280 | 0.00000000 | Walsin Technology Corporation | WA | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 100ppm/° C | 1206 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 4639-WA06X75R0FTLTR | 귀 99 | 1 | 75 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||||
![]() | cay10a-105j2as | 0.0168 | ![]() | 6148 | 0.00000000 | Bourns Inc. | cay10a-as | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 250ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 1m | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |||
![]() | TAS284BW | 39.6478 | ![]() | 8772 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 716-TAS284BW | 귀 99 | 8533.21.0050 | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | YC358TJK-072K2L | 0.0951 | ![]() | 4266 | 0.00000000 | Yageo | YC358 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2512 (6432 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | yc358tjk | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 2.2k | 버스 | 8 | - | - | 10 | 62.5MW | ||
![]() | 4B04B-524-200 | - | ![]() | 9006 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 118-4B04B-524-200 | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | RT2235B7TR7 | - | ![]() | 1459 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | Dram, Sdram, Ide | 0.315 "L x 0.157"W (8.00mm x 4.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 32-lbga | ± 200ppm/° C | 32-BGA (8x4) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 50 | 이중 이중 | 16 | - | - | 32 | 50MW | |||
![]() | EXB-U28512JX | 0.0165 | ![]() | 1617 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | Exb-U28 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 5.1k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||
![]() | 4816P-2-331 | 0.5698 | ![]() | 6716 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | 16-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 118-4816P-2-331TR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 2,000 | 330 | 버스 | 15 | - | 50ppm/° C | 16 | 80MW | ||
![]() | WA06X160_JTL | - | ![]() | 1271 | 0.00000000 | Walsin Technology Corporation | WA | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 4639-WA06X160_JTLTR | 귀 99 | 1 | 16 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||||
![]() | Exb-U14911JX | 0.0460 | ![]() | 2774 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | EXB-U14 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0302 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 910 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | ||||||
![]() | Exb-U18823JX | 0.0543 | ![]() | 9767 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | Exb-U18 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0502 (1406 메트릭) 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0502 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 82k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||
![]() | RF064PJ511CS | 0.0776 | ![]() | 8763 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) | 0.013 "(0.33mm) | 표면 표면 | 0502 (1406 메트릭), 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 20,000 | 510 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |||
![]() | exb-28n301jx | 0.0114 | ![]() | 3327 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | - | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 300 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||
![]() | YC124-JR-1375RL | 0.0071 | ![]() | 1538 | 0.00000000 | Yageo | YC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | 1 (무제한) | 13-YC124-JR-1375RL | 귀 99 | 8533.21.0010 | 40,000 | 75 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||
![]() | N6319 | - | ![]() | 1017 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 118-N6319 | 쓸모없는 | 1 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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