SIC
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저항 저항, 네트워크 (38855)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
4814P-1-394LF Bourns Inc. 4814P-1-394LF 0.5436
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 Bourns Inc. 4800p 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) 4814p ± 100ppm/° C 14-SOM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 390K 외딴 7 - - 14 160MW
EXB-U14394JX Panasonic Electronic Components EXB-U14394JX 0.0460
RFQ
 ECAD 5693 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 EXB-U14 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 귀 99 8533.21.0020 10,000 390K 외딴 2 - - 4 31MW
AF122-FR-07549RL YAGEO AF122-FR-07549RL 0.0562
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Yageo AF122 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C DDRAM, SDRAM 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 549 외딴 2 - - 4 62.5MW
TC124-FR-07825KL YAGEO TC124-FR-07825KL 0.0297
RFQ
 ECAD 9584 0.00000000 Yageo TC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 TC124-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 825K 외딴 4 - - 8 62.5MW
C6202 Bourns Inc. C6202 -
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 Bourns Inc. - 대부분 쓸모없는 - 118-C6202 쓸모없는 1
Y0006V0001DD0L Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y0006V0001DD0L 33.7932
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) 300144 대부분 활동적인 ± 0.5% -55 ° C ~ 125 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.295 "L x 0.100"W (7.49mm x 2.54mm) 0.320 "(8.13mm) 구멍을 구멍을 방사형 -3 리드 ± 2ppm/° C - 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8533.21.0050 25 10k 전압 전압 2 ± 0.5% ± 0.5ppm/° C 3 100MW
766161393GPTR13 CTS Resistor Products 766161393GPTR13 1.1757
RFQ
 ECAD 8725 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 39K 버스 15 - - 16 80MW
TC164-FR-072K4L YAGEO TC164-FR-072K4L 0.0163
RFQ
 ECAD 3106 0.00000000 Yageo TC164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 TC164-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 2.4k 외딴 4 - - 8 62.5MW
YC162-FR-0716KL YAGEO YC162-FR-0716KL 0.0168
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 Yageo YC162 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0606,, YC162-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 16k 외딴 2 - - 4 62.5MW
4116R-2-502 Bourns Inc. 4116R-2-502 1.0263
RFQ
 ECAD 7709 0.00000000 Bourns Inc. 4100r 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.865 "LX 0.300"W (21.97mm x 7.62mm) 0.185 "(4.69mm) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4116R ± 100ppm/° C 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0060 25 5K 버스 15 - 50ppm/° C 16 125MW
767143223GPTR13 CTS Resistor Products 767143223GPTR13 1.1757
RFQ
 ECAD 3414 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 22k 외딴 7 - - 14 200MW
SM104RD-0149E Ohmite SM104RD-0149E 2.7800
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 옴 옴 슬림-분배기 콕스 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 110 ° C 전압 전압 (TCR 일치) - - 구멍을 구멍을 3-sip - - 다운로드 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2485-SM104RD-0149E 귀 99 8533.21.0090 1 500k, 500m 전압 전압 2 - - 3 1W
CRA04P08362R0JTD Vishay Dale CRA04P08362R0JTD -
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 Vishay Dale CRA04 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 10,000 62 외딴 4 - - 8 62.5MW
4816P-T02-822LF Bourns Inc. 4816P-T02-822LF 0.5121
RFQ
 ECAD 4659 0.00000000 Bourns Inc. 4800p 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) 4816p ± 100ppm/° C 16-SOM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 8.2k 버스 15 - - 16 80MW
YC124-FR-073K16L YAGEO YC124-FR-073K16L 0.0377
RFQ
 ECAD 6235 0.00000000 Yageo YC 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 1 (무제한) 13-YC124-FR-073K16L 귀 99 8533.21.0010 10,000 3.16k 외딴 4 - - 8 63MW
4820P-2-202 Bourns Inc. 4820p-2-202 0.6368
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 Bourns Inc. 4800p 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.540 "LX 0.220"W (13.72mm x 5.59mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) 4820p ± 100ppm/° C 20-SOM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8533.10.0057 2,000 2K 버스 19 - - 20 80MW
LT5400BIMS8E-4#PBF Analog Devices Inc. LT5400BIMS8E-4#PBF 11.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. LT5400 튜브 활동적인 ± 15% -40 ° C ~ 85 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.118 "L x 0.118"W (3.00mm x 3.00mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 LT5400 ± 25ppm/° C 8-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 50 1K 외딴 4 ± 0.025% ± 0.2ppm/° C 8 800MW
YC102-JR-07200RL YAGEO YC102-JR-07200RL 0.0262
RFQ
 ECAD 7974 0.00000000 Yageo YC102 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 YC102-JR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 200 외딴 2 - - 4 31MW
CSC09A011K00GEK Vishay Dale CSC09A011K00GEK 2.8300
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 Vishay Dale CSC 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.890 "L x 0.098"W (22.61mm x 2.49mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 9-SIP ± 100ppm/° C 9-SIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CSC1.0kW 귀 99 8533.21.0050 1,000 1K 버스 8 - ± 50ppm/° C 9 200MW
TC124-FR-0778R7L YAGEO TC124-FR-0778R7L 0.0297
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 Yageo TC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 TC124-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 78.7 외딴 4 - - 8 62.5MW
CAY10-242J4LF Bourns Inc. CAY10-242J4LF 0.0089
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Bourns Inc. Cay10 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 Cay10 ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 2.4k 외딴 4 - - 8 62.5MW
WA04Y104JTL Walsin Technology Corporation WA04Y104JTL -
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 Walsin Technology Corporation WA04Y 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0404 (1010 미터), 오목합니다 ± 200ppm/° C 0404 - rohs 준수 1 (무제한) 4639-WA04Y104JTLTR 귀 99 1 100k 외딴 2 - - 4 63MW
4612X-102-390LF Bourns Inc. 4612X-102-390LF 0.1280
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1ohm -55 ° C ~ 125 ° C - 1.198 "L x 0.098"W (30.43mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 12-sip 4612x ± 250ppm/° C 12-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 500 39 외딴 6 - - 12 300MW
77083473P CTS Resistor Products 77083473p 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-83-R47KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 47K 외딴 4 - - 8 100MW
CAY16-3301F4LF Bourns Inc. CAY16-3301F4LF 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Bourns Inc. CAY16 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 CAY16 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 3.3k 외딴 4 - - 8 62.5MW
ORNV20011002TS Vishay Dale Thin Film ORNV20011002TS 2.9400
RFQ
 ECAD 5947 0.00000000 Vishay Dale ale ornv 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1% -55 ° C ~ 125 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) 0.068 "(1.73mm) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 25ppm/° C - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 100 2K, 10K 전압 전압 5 ± 0.05% ± 5ppm/° C 8 100MW
TC124-FR-07226RL YAGEO TC124-FR-07226RL 0.0297
RFQ
 ECAD 9321 0.00000000 Yageo TC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 TC124-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 226 외딴 4 - - 8 62.5MW
S41X083130GP CTS Resistor Products S41X083130GP 0.0269
RFQ
 ECAD 5300 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083130GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 13 외딴 4 - - 8 31MW
CRA06E08320R0JTA Vishay Dale CRA06E08320R0JTA -
RFQ
 ECAD 6721 0.00000000 Vishay Dale CRA06 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 5,000 20 외딴 4 - - 8 62.5MW
RF064PJ123CS Samsung Electro-Mechanics RF064PJ123CS 0.0776
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 삼성 삼성 기계 RF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) 0.013 "(0.33mm) 표면 표면 0502 (1406 메트릭), 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 20,000 12k 외딴 4 - - 8 31.25MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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