전화 : +86-0755-83501315
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![]() | MDP140330R0GE04 | 5.2722 | ![]() | 9484 | 0.00000000 | Vishay Dale | MDP | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.750 "L x 0.250"W (19.05mm x 6.35mm) | 0.155 "(3.94mm) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ± 100ppm/° C | 14-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 30 | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 250MW | ||||
![]() | CSC08A01510RGPA | 1.9538 | ![]() | 5190 | 0.00000000 | Vishay Dale | CSC | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.790 "L x 0.098"W (20.07mm x 2.49mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 510 | 버스 | 7 | - | ± 50ppm/° C | 8 | 200MW | |||
![]() | Y5076V0690AA9L | 52.1440 | ![]() | 5334 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | VHD200 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.05% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.398 "LX 0.185"W (10.11mm x 4.70mm) | 0.525 "(13.33mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 25 | 500, 5k | 전압 전압 | 2 | ± 0.05% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 50MW | |||||
![]() | 4820p-1-390 | 0.6368 | ![]() | 6840 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1ohm | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.540 "LX 0.220"W (13.72mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4820p | ± 250ppm/° C | 20-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.10.0057 | 2,000 | 39 | 외딴 | 10 | - | - | 20 | 160MW | ||
![]() | AF164-JR-0720KL | 0.0288 | ![]() | 9412 | 0.00000000 | Yageo | AF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 20k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |||||
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![]() | YC248-FR-0780R6L | 0.0663 | ![]() | 4771 | 0.00000000 | Yageo | YC248 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 | YC248-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 80.6 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | ||
![]() | S42C043622FP | 0.0693 | ![]() | 4032 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043622FPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 6.2k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | RT2408B7tr13 | - | ![]() | 8652 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 27-lbga | ± 200ppm/° C | 27-BGA (9x3) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 25, 60 | 이중 이중 | 18 | - | - | 27 | 50MW | |||
![]() | RF062PJ620CS | 0.0646 | ![]() | 9152 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) | 0.013 "(0.33mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 20,000 | 62 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31.25MW | |||
![]() | 768203105GPTR13 | 1.2041 | ![]() | 7484 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.540 "L x 0.220"W (13.70mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 1m | 외딴 | 10 | - | - | 20 | 200MW | |||
![]() | RT1402B7 | - | ![]() | 5279 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 대부분 | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 27-lbga | ± 200ppm/° C | 27-BGA (9x3) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 50 | 이중 이중 | 18 | - | - | 27 | 50MW | ||||
![]() | EXB-24V134JX | 0.0120 | ![]() | 9459 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | exb-24 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | EXB24V134JX | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 130K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |
![]() | CRA06P08310K0JTA | - | ![]() | 1106 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA06 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 10k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||||
![]() | CRA06S043820RJTA | - | ![]() | 6914 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA06 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.063 "L x 0.059"W (1.60mm x 1.50mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 820 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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