전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 4108R-1-472LF | 1.5150 | ![]() | 3785 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4100r | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.465 "L x 0.300"W (11.81mm x 7.62mm) | 0.185 "(4.69mm) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 4108R | ± 100ppm/° C | 8-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 45 | 4.7k | 외딴 | 4 | - | 50ppm/° C | 8 | 250MW | ||
740x043101JP | 0.0600 | ![]() | 5313 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 740 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | 740x043 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 100 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | |||
![]() | Exb-U18364JX | 0.0543 | ![]() | 1172 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | Exb-U18 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0502 (1406 메트릭) 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0502 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 360K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||
![]() | 4816P-1-330 | 0.5698 | ![]() | 6155 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 250ppm/° C | 16-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 118-4816P-1-330tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 2,000 | 33 | 외딴 | 8 | - | ± 100ppm/° C | 16 | 160MW | ||
![]() | RMK33N1K21B24K3B | 17.8690 | ![]() | 1487 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 716-RMK33N1K21B24K3B | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | |||||||||||||||||||
![]() | WA06X204_JTL | - | ![]() | 3497 | 0.00000000 | Walsin Technology Corporation | WA | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 4639-WA06X204_JTLTR | 귀 99 | 1 | 200k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||||
![]() | S42C083241JP | 0.0680 | ![]() | 4227 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083241JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 240 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | RAVF164DJT100R | 0.1000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | |||
![]() | exb-v4v220jv | 0.3400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 0606,, | EXB-V4 | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 22 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
MC4-5006JE | 4.8300 | ![]() | 97 | 0.00000000 | 옴 옴 | MC4 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 180 ° C | - | 0.750 "L x 0.750"W (19.05mm x 19.05mm) | 0.030 "(0.76mm) | 표면 표면 | 8-smd | ± 100ppm/° C | 8-SMD 딥 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 25 | 500m | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 750MW | |||||
![]() | ACASN5009S5001P1AT | 0.2596 | ![]() | 9242 | 0.00000000 | Vishay Dale | aca- 정밀도 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, 전압 분배기 (TCR 일치) | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606 (1616 Metric), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 25ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.10.0020 | 1,000 | 50, 5k | 외딴 | 2 | ± 0.05% | ± 15ppm/° C | 8 | 125MW | ||||
![]() | exb-u28301jx | 0.0165 | ![]() | 7639 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | Exb-U28 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 300 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||
![]() | TC124-FR-0716R9L | 0.0297 | ![]() | 9361 | 0.00000000 | Yageo | TC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | TC124-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 16.9 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
![]() | S41X043360GP | 0.0240 | ![]() | 2223 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043360GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 36 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | 4820p-T01-820 | - | ![]() | 8406 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.540 "LX 0.220"W (13.72mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4820p | ± 100ppm/° C | 20-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 40 | 82 | 외딴 | 10 | - | - | 20 | 160MW | ||
![]() | RACF164DJT15K0 | - | ![]() | 7744 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | racf | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.030 "(0.75mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 15k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | YC124-JR-07560RL | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yageo | YC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | YC124-JR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 560 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
![]() | S42X083100FP | 0.0560 | ![]() | 4328 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083100FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 10 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | TA33-2KD32K4D | 10.2561 | ![]() | 4064 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 716-TA33-2KD32K4D | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | Y4485V0082BA0W | 30.3652 | ![]() | 4711 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | DSMZ | 쟁반 | 활동적인 | ± 0.1% | -65 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.160 "L x 0.106"W (4.06mm x 2.69mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 1610 J-Lead (3 터미널) | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 25 | 5K, 10K | 전압 전압 | 2 | ± 0.05% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 50MW | ||||
![]() | YC164-FR-071K82L | 0.0166 | ![]() | 7805 | 0.00000000 | Yageo | YC164 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | YC164-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.82K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
4608x-102-510LF | 0.5900 | ![]() | 757 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | 4608x | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 4608x102510LF | 귀 99 | 8533.21.0050 | 200 | 51 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 300MW | ||
![]() | WA04X270JTL | - | ![]() | 4942 | 0.00000000 | Walsin Technology Corporation | WA | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 4639-WA04X270JTLTR | 귀 99 | 1 | 27 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||
![]() | CAY16A-1000F4LF | 0.0261 | ![]() | 1178 | 0.00000000 | Bourns Inc. | CAY16A-LF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 118-CAY16A-1000F4LFTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | AF162-JR-07510RL | 0.0441 | ![]() | 6784 | 0.00000000 | Yageo | AF162 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 510 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
![]() | 4416P-T02-330 | - | ![]() | 7397 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4400p | 튜브 | 활동적인 | ± 1ohm | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.410 "L x 0.295"W (10.41mm x 7.50mm) | 0.114 "(2.90mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 4416p | ± 250ppm/° C | 16-sol | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 50 | 33 | 버스 | 15 | - | 50ppm/° C | 16 | 160MW | ||
![]() | Exb-U2H121JV | 0.0560 | ![]() | 8498 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 | Exb-U2 | ± 200ppm/° C | 1506 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 120 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
![]() | AF164-FR-0727RL | 0.0643 | ![]() | 3597 | 0.00000000 | Yageo | AF164 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 27 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | YC324-FK-07165KL | 0.0697 | ![]() | 7353 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 165k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
![]() | 752091223GPTR13 | 1.2166 | ![]() | 1215 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 9-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 22k | 버스 | 8 | - | - | 9 | 80MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고