전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Y1691V0427VV9L | 66.1192 | ![]() | 7568 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | 300144z | 대부분 | 활동적인 | ± 0.005% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.295 "L x 0.100"W (7.49mm x 2.54mm) | 0.330 "(8.38mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 25 | 8.456K, 10K | 전압 전압 | 2 | ± 0.005% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 100MW | ||||
![]() | AF122-FR-0711K8L | 0.0562 | ![]() | 8956 | 0.00000000 | Yageo | AF122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 11.8K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
![]() | RT1400B6TR7 | - | ![]() | 9825 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.450 "L x 0.150"W (11.43mm x 3.81mm) | 0.058 "(1.47mm) | 표면 표면 | 27-lbga | ± 200ppm/° C | 27-BGA (11.43x3.81) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 25, 50 | 이중 이중 | 18 | - | - | 27 | 50MW | |||
![]() | MNR18ERAPJ101 | - | ![]() | 7224 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 250ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | |||
![]() | CN24J7R5CT | 0.0100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Cal-Chip Electronics, Inc. | CN | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 10,000 | 7.5 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | exb-v8v274jv | 0.2500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | exb-v8 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 270K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
![]() | MNR14E0ABJ514 | - | ![]() | 2364 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 510K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | MNR04M0ABJ301 | - | ![]() | 5161 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 300ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 300 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | SOMC1401470RGEA | 1.4014 | ![]() | 7270 | 0.00000000 | Vishay Dale | SOMC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.090 "(2.29mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 470 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 80MW | ||||
![]() | MNR15ERRPJ122 | 0.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.026 "(0.65mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.2k | 버스 | 8 | - | - | 10 | 31MW | |||
![]() | LT5400BHMS8E-3#PBF | 12.0200 | ![]() | 309 | 0.00000000 | 아날로그 아날로그 Inc. | LT5400 | 튜브 | 활동적인 | ± 15% | -40 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.118 "L x 0.118"W (3.00mm x 3.00mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 | LT5400 | ± 25ppm/° C | 8-MSOP-EP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 50 | 10K, 100K | 외딴 | 4 | ± 0.025% | ± 0.2ppm/° C | 8 | 800MW | ||
![]() | EXB-18V124JX | 0.0426 | ![]() | 2505 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0502 (1406 메트릭), 긴 측면 터미널 | exb-18 | ± 200ppm/° C | 0502 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 120K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
![]() | VSSR1603511GUF | 2.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | vssr | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.193 "L x 0.154"W (4.90mm x 3.91mm) | 0.069 "(1.76mm) | 표면 표면 | 16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | 16-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSSR16-510-GI | 귀 99 | 8533.21.0010 | 98 | 510 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 100MW | ||
![]() | 752091104GPTR13 | 1.2166 | ![]() | 7203 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 9-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 100k | 버스 | 8 | - | - | 9 | 80MW | |||
![]() | RMK33N21KB20K5B016 | 17.8690 | ![]() | 1769 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 716-RMK33N21KB20K5B016 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | |||||||||||||||||||
![]() | RF062PJ204CS | 0.0646 | ![]() | 1124 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) | 0.013 "(0.33mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 20,000 | 200k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31.25MW | |||
![]() | 752241104GTR7 | - | ![]() | 4962 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 24-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 100k | 버스 | 22 | - | - | 24 | 80MW | |||
![]() | S41X083392FP | 0.0311 | ![]() | 2531 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083392FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 3.9k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
![]() | MNR14E0ABJ164 | - | ![]() | 2167 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 160K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | 4420p-2-152 | 1.3012 | ![]() | 4266 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4400p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.510 "L x 0.295"W (12.95mm x 7.50mm) | 0.114 "(2.90mm) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 4420p | ± 100ppm/° C | 20-sol | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 1,500 | 1.5K | 버스 | 19 | - | 50ppm/° C | 20 | 160MW | ||
![]() | TAS348BW | 31.3293 | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 716-TAS348BW | 귀 99 | 8533.21.0050 | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | RAVF164DJT620R | 0.0057 | ![]() | 9248 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 620 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | |||
![]() | Y1747V0425BT9R | 21.8375 | ![]() | 3176 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | smnz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.157"W (5.00mm x 3.99mm) | 0.073 "(1.86mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0010 | 1,000 | 3.32k | 외딴 | 4 | ± 0.01% | ± 1ppm/° C | 8 | 100MW | ||||
744C083271JP | - | ![]() | 4696 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 744 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 | 744C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 270 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | |||
![]() | MNR14E0ABJ101 | - | ![]() | 4113 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | 766163393G | - | ![]() | 4977 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 49 | 39K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 160MW | |||
![]() | 768203101GPTR13 | 1.2041 | ![]() | 6760 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.540 "L x 0.220"W (13.70mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 100 | 외딴 | 10 | - | - | 20 | 200MW | |||
![]() | CRA06P043110KJTA | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA06 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 110K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||||
![]() | ERA-38VWY2002 | - | ![]() | 4117 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 시대 -38 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | ERA38VWY2002 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 77061151 | - | ![]() | 1863 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | ± 100ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 150 | 버스 | 5 | - | - | 6 | 100MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고