SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
YC162-FR-072K7L YAGEO YC162-FR-072K7L 0.0168
RFQ
ECAD 7378 0.00000000 Yageo YC162 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0606,, YC162-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 2.7k 외딴 2 - - 4 62.5MW
768141821G CTS Resistor Products 768141821G -
RFQ
ECAD 8787 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-141-R820 귀 99 8533.21.0010 48 820 버스 13 - - 14 100MW
S41X043510FP CTS Resistor Products S41X043510FP 0.0283
RFQ
ECAD 4657 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043510FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 51 외딴 2 - - 4 63MW
4114R-3-181/391 Bourns Inc. 4114R-3-181/391 0.7108
RFQ
ECAD 7954 0.00000000 Bourns Inc. 4100r 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.765 "L x 0.300"W (19.43mm x 7.62mm) 0.185 "(4.69mm) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4114R ± 100ppm/° C 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0060 25 180, 390 이중 이중 24 - 50ppm/° C 14 125MW
RP102PJ103CS Samsung Electro-Mechanics rp102pj103cs -
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 삼성 삼성 기계 RP 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 10,000 10k 외딴 2 - - 4 62.5MW
CAT25-680JALF Bourns Inc. CAT25-680JALF -
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 Bourns Inc. CAT25 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.157 "L x 0.083"W (4.00mm x 2.10mm) 0.026 "(0.65mm) 표면 표면 1608, 오목한, 긴 측면 터미널 CAT25 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.10.0057 4,000 68 버스 8 - - 10 62.5MW
CRA06P083390KJTA Vishay Dale CRA06P083390KJTA -
RFQ
ECAD 1340 0.00000000 Vishay Dale CRA06 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 5,000 390K 외딴 4 - - 8 62.5MW
S42C083221JP CTS Resistor Products S42C083221JP 0.0680
RFQ
ECAD 9436 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083221JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 220 외딴 4 - - 8 63MW
742C043331JTR CTS Resistor Products 742C043331JTR -
RFQ
ECAD 6873 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 0606,, 742C043 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 330 외딴 2 - - 4 63MW
S42C043164GP CTS Resistor Products S42C043164GP 0.0600
RFQ
ECAD 4946 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043164GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 160K 외딴 2 - - 4 63MW
RM102PJ1R1CS Samsung Electro-Mechanics RM102PJ1R1CS 0.0121
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 삼성 삼성 기계 Rm 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.46mm) 표면 표면 0404 (1010 미터), 오목합니다 ± 300ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 10,000 1.1 외딴 2 - - 4 62.5MW
EXB-24V223JX Panasonic Electronic Components EXB-24V223JX 0.0120
RFQ
ECAD 6979 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 exb-24 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 22k 외딴 2 - - 4 62.5MW
YC124-FR-07560RL YAGEO YC124-FR-07560RL 0.0374
RFQ
ECAD 6831 0.00000000 Yageo YC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 YC124-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 560 외딴 4 - - 8 62.5MW
CAT16-3902F4LF Bourns Inc. CAT16-3902F4LF 0.0213
RFQ
ECAD 3778 0.00000000 Bourns Inc. CAT16 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 CAT16 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.10.0057 5,000 39K 외딴 4 - - 8 62.5MW
RPS102PJ164CS Samsung Electro-Mechanics rps102pj164cs -
RFQ
ECAD 3512 0.00000000 삼성 삼성 기계 RPS 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.46mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 10,000 160K 외딴 2 - - 4 62.5MW
YC124-JR-0718RL YAGEO YC124-JR-0718RL 0.0080
RFQ
ECAD 9777 0.00000000 Yageo YC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 YC124-JR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 18 외딴 4 - - 8 62.5MW
RAVF104DFT100R Stackpole Electronics Inc RAVF104DFT100R 0.0210
RFQ
ECAD 7174 0.00000000 Stackpole Electronics Inc RAVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 100 외딴 4 - - 8 62.5MW
YC164-FR-0759RL YAGEO YC164-FR-0759RL 0.0166
RFQ
ECAD 2149 0.00000000 Yageo YC164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 YC164-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 59 외딴 4 - - 8 62.5MW
RAVF104DJT5R60 Stackpole Electronics Inc RAVF104DJT5R60 0.0066
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 Stackpole Electronics Inc RAVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 300ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 5.6 외딴 4 - - 8 62.5MW
Y0006V0009TT0L Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y0006V0009TT0L 46.4732
RFQ
ECAD 2246 0.00000000 Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) 300144 대부분 활동적인 ± 0.01% -55 ° C ~ 125 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.295 "L x 0.100"W (7.49mm x 2.54mm) 0.320 "(8.13mm) 구멍을 구멍을 방사형 -3 리드 ± 2ppm/° C - 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8533.21.0050 25 20k 전압 전압 2 ± 0.01% ± 0.5ppm/° C 3 100MW
CAT16-223J4LF Bourns Inc. CAT16-223J4LF 0.1000
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Bourns Inc. CAT16 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.061"W (3.20mm x 1.55mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 CAT16 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 5,000 22k 외딴 4 - - 8 62.5MW
4610X-101-680LF Bourns Inc. 4610x-101-680LF 0.1067
RFQ
ECAD 1363 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.998 "L x 0.098"W (25.35mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 10-sip 4610x ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 1,000 68 버스 9 - - 10 200MW
MORNTA2502AT5 Vishay Dale Thin Film Mornta2502AT5 4.1000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Dale ale 아침 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.118 "L x 0.118"W (3.00mm x 3.00mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ± 25ppm/° C 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0060 500 25K 외딴 4 ± 0.05% ± 1ppm/° C 8 50MW
4816P-1-751 Bourns Inc. 4816P-1-751 0.5698
RFQ
ECAD 2197 0.00000000 Bourns Inc. 4800p 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) 4816p ± 100ppm/° C 16-SOM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0010 2,000 750 외딴 8 - - 16 160MW
TC164-FR-0735K7L YAGEO TC164-FR-0735K7L 0.0163
RFQ
ECAD 6549 0.00000000 Yageo TC164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 TC164-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 35.7k 외딴 4 - - 8 62.5MW
Y1685V0060BT0R Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y1685V0060BT0R 11.3750
RFQ
ECAD 8921 0.00000000 Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) VFCD1505 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1% -55 ° C ~ 125 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.150 "L x 0.050"W (3.81mm x 1.27mm) 0.025 "(0.64mm) 표면 표면 1505 (3812 메트릭) ± 0.2ppm/° C - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 2.5K, 10K 전압 전압 2 ± 0.01% ± 0.4ppm/° C 3 50MW
4611M-101-102LF Bourns Inc. 4611m-101-102LF 0.2069
RFQ
ECAD 5068 0.00000000 Bourns Inc. 4600m 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.098 "L x 0.098"W (27.89mm x 2.49mm) 0.250 "(6.35mm) 구멍을 구멍을 11-sip 4611m ± 100ppm/° C 11-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 500 1K 버스 10 - 50ppm/° C 11 250MW
YC248-FR-07750RL YAGEO YC248-FR-07750RL 0.0663
RFQ
ECAD 3937 0.00000000 Yageo YC248 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 YC248-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 750 외딴 8 - - 16 62.5MW
YC248-FR-071K91L YAGEO YC248-FR-071K91L 0.0663
RFQ
ECAD 2556 0.00000000 Yageo YC248 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 YC248-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.91K 외딴 8 - - 16 62.5MW
766145121APTR13 CTS Resistor Products 766145121APTR13 1.5832
RFQ
ECAD 7487 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 180, 390 이중 이중 24 - - 14 80MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고