전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TC164-JR-07390RL | 0.1300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Yageo | TC164 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | TC164-JR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 390 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
![]() | CAT16-510J8LF | - | ![]() | 2582 | 0.00000000 | Bourns Inc. | CAT16 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.030 "(0.75mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | CAT16 | ± 200ppm/° C | 2406 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.10.0057 | 4,000 | 51 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | ||
![]() | 767141822G | - | ![]() | 8705 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 8.2k | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
![]() | 752241472GTR | - | ![]() | 9504 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 24-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q1019572 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 4.7k | 버스 | 22 | - | - | 24 | 80MW | ||
![]() | 4420P-T02-201 | 1.2659 | ![]() | 7860 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4400p | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.510 "L x 0.295"W (12.95mm x 7.50mm) | 0.114 "(2.90mm) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 4420p | ± 100ppm/° C | 20-sol | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 40 | 200 | 버스 | 19 | - | 50ppm/° C | 20 | 160MW | ||
![]() | exb-v8v5r1jv | 0.1000 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | exb-v8 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 5.1 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
![]() | YC124-JR-0791KL | 0.0080 | ![]() | 2616 | 0.00000000 | Yageo | YC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | YC124-JR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 91K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
![]() | vssr2401101jtf | 1.1332 | ![]() | 7145 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | vssr | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.66mm x 3.91mm) | 0.069 "(1.76mm) | 표면 표면 | 24-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | 24-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,500 | 100 | 버스 | 23 | - | - | 24 | 100MW | |||
![]() | exb-v8v824jv | 0.3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | exb-v8 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 820K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
![]() | MNR18ERAPJ180 | - | ![]() | 1342 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 250ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 18 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | |||
![]() | exb-v4v6r2jv | - | ![]() | 8894 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 0606,, | EXB-V4 | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 6.2 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
EXB-F6V334G | - | ![]() | 3854 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.586 "L x 0.100"W (14.88mm x 2.54mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | exb-f6 | ± 200ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0050 | 100 | 330K | 외딴 | 3 | - | - | 6 | 200MW | |||||
![]() | CRA12E08320K0JTR | - | ![]() | 5286 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA12 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.200 "L x 0.120"W (5.08mm x 3.05mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 2,000 | 20k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||||
![]() | 768163824G | - | ![]() | 6608 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 768-163-R820K | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 820K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 200MW | ||
![]() | MNR18ERAPJ103 | - | ![]() | 5431 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 250ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 10k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | |||
![]() | 4310m-101-273 | 0.7727 | ![]() | 1747 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300m | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.984 "L x 0.085"W (24.99mm x 2.16mm) | 0.250 "(6.35mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | 4310m | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 250 | 27K | 버스 | 9 | - | 50ppm/° C | 10 | 250MW | ||
![]() | ORNTV25021002T0 | 2.9400 | ![]() | 8394 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | ornv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) | 0.068 "(1.73mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | 10K, 25K | 전압 전압 | 5 | ± 0.05% | ± 5ppm/° C | 8 | 100MW | |||
![]() | TC124-FR-0784R5L | 0.0297 | ![]() | 9799 | 0.00000000 | Yageo | TC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | TC124-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 84.5 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
744C083824JTR | - | ![]() | 4067 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 744 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 | 744C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 820K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | |||
![]() | 4306R-101-301LF | 0.6342 | ![]() | 1806 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300R | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.584 "L x 0.085"W (14.83mm x 2.16mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | 4306R | ± 100ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 35 | 300 | 버스 | 5 | - | 50ppm/° C | 6 | 200MW | ||
![]() | DFNA4991CT1 | 1.6226 | ![]() | 1788 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | DFN | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.25% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "L x 0.157"W (4.00mm x 4.00mm) | 0.037 "(0.95mm) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 4.99k | 외딴 | 4 | ± 0.025% | ± 3ppm/° C | 8 | 50MW | ||||
![]() | exb-n8v1r5jx | 0.0211 | ![]() | 1431 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | exb-n8 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 1.5 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
![]() | rps104pj432cs | - | ![]() | 6729 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RPS | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.46mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 10,000 | 4.3k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
![]() | 767145102AP | 1.6290 | ![]() | 8527 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 1.5K, 3.3K | 이중 이중 | 24 | - | - | 14 | 100MW | |||
![]() | ORNTV20021002T3 | 2.5200 | ![]() | 9812 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | ornv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) | 0.068 "(1.73mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 300 | 10K, 20K | 전압 전압 | 5 | ± 0.05% | ± 5ppm/° C | 8 | 100MW | |||
4606x-101-271 | - | ![]() | 4828 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.598 "L x 0.098"W (15.19mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | 4606x | ± 100ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 4606x-1-271 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 100 | 270 | 버스 | 5 | - | - | 6 | 200MW | ||
![]() | 767143820GP | 1.1988 | ![]() | 2886 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 82 | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 200MW | |||
![]() | RM064PJ510CS | 0.0840 | ![]() | 1533 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | Rm | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) | 0.013 "(0.33mm) | 표면 표면 | 0502 (1406 메트릭), 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 20,000 | 51 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |||
![]() | exb-18v820jx | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0502 (1406 메트릭), 긴 측면 터미널 | exb-18 | ± 200ppm/° C | 0502 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 82 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
![]() | RM062PJ512CS | 0.0700 | ![]() | 2655 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | Rm | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) | 0.013 "(0.33mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 20,000 | 5.1k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31.25MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고