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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ORNV10025002T5 | 2.3100 |  | 9905 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | ornv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) | 0.068 "(1.73mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 500 | 10K, 50K | 전압 전압 | 5 | ± 0.05% | ± 5ppm/° C | 8 | 100MW | |||
| Y1747V0442QT9R | 26.0875 | | 7396 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | smnz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.02% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.157"W (5.00mm x 3.99mm) | 0.073 "(1.86mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,500 | 5.631K | 외딴 | 4 | ± 0.01% | ± 1ppm/° C | 8 | 100MW | ||||
 | AF164-FR-07187KL | 0.0643 | | 3831 | 0.00000000 | Yageo | AF164 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 187k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
 | YC248-FR-07348KL | 0.0663 | | 2882 | 0.00000000 | Yageo | YC248 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 | YC248-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 348K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | ||
| YC248-FR-071K02L | 0.0663 | | 2530 | 0.00000000 | Yageo | YC248 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 | YC248-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.02k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | ||
 | MNR04M0ABJ241 | - | | 1878 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 300ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 240 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
 | 4814P-T01-470 | 0.5607 | | 2242 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 튜브 | 활동적인 | ± 1ohm | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4814p | ± 250ppm/° C | 14-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 50 | 47 | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 160MW | ||
 | 742x08349R9FP | 0.0412 | | 9144 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 742 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | 742x083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 49.9 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
 | YC124-FR-07100KL | 0.3500 | | 2565 | 0.00000000 | Yageo | YC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | YC124-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 100k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
 | MSP08A03100KGEJ | 3.8956 | | 3388 | 0.00000000 | Vishay Dale | MSP | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.790 "L x 0.090"W (20.07mm x 2.29mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0050 | 28 | 100k | 외딴 | 4 | - | ± 50ppm/° C | 8 | 300MW | ||||
 | exb-2hv243jv | 0.0348 | | 1370 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 | exb-2hv | ± 200ppm/° C | 1506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | exb2hv243jv | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 24K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | |
 | YC324-FK-072K94L | 0.0697 | | 5763 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 2.94K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
 | RK102PJ120CS | 0.0118 | | 4907 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RK | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.46mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 미터), 오목합니다 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 10,000 | 12 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
| ORNV10025001T5 | 2.3100 | | 9679 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | ornv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) | 0.068 "(1.73mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 500 | 5K, 10K | 전압 전압 | 5 | ± 0.05% | ± 5ppm/° C | 8 | 100MW | |||
| 4310H-101-471LF | 0.9336 | | 1659 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300H | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.984 "L x 0.085"W (24.99mm x 2.16mm) | 0.350 "(8.89mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | 4310H | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 250 | 470 | 버스 | 9 | - | 50ppm/° C | 10 | 300MW | ||
 | YC162-FR-0729K4L | 0.0168 | | 4873 | 0.00000000 | Yageo | YC162 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0606,, | YC162-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 29.4k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
 | TC124-FR-07649KL | 0.0297 | | 2816 | 0.00000000 | Yageo | TC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | TC124-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 649K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
 | 752083681G | - | | 1225 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 8-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q1140407 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 680 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 160MW | ||
 | LT5400BCMS8E-5#TRPBF | 5.2250 | | 2310 | 0.00000000 | 아날로그 아날로그 Inc. | LT5400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 15% | 0 ° C ~ 70 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.118 "L x 0.118"W (3.00mm x 3.00mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 | LT5400 | ± 25ppm/° C | 8-MSOP-EP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 2,500 | 1m | 외딴 | 4 | ± 0.025% | ± 0.2ppm/° C | 8 | 800MW | ||
| YC162-FR-07127RL | 0.0168 | | 1414 | 0.00000000 | Yageo | YC162 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0606,, | YC162-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 127 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
 | CSC10A01270RGPA | 2.0164 | | 1549 | 0.00000000 | Vishay Dale | CSC | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.990 "L x 0.098"W (25.15mm x 2.49mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 270 | 버스 | 9 | - | ± 50ppm/° C | 10 | 200MW | |||
 | CRA06E0831K00JTA | - | | 7494 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA06 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||||
 | 4820p-1-181 | 0.6368 | | 5834 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.540 "LX 0.220"W (13.72mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4820p | ± 100ppm/° C | 20-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 180 | 외딴 | 10 | - | - | 20 | 160MW | ||
 | TC164-FR-0712K1L | 0.0163 | | 1190 | 0.00000000 | Yageo | TC164 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | TC164-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 12.1k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
| RSK33N47K5F | 9.2645 | | 8431 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 716-RSK33N47K5F | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | ||||||||||||||||||
 | RAVF104DJT470R | 0.1000 | | 342 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 470 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
 | 4420p-1-102 | 1.3012 | | 5885 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4400p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.510 "L x 0.295"W (12.95mm x 7.50mm) | 0.114 "(2.90mm) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 4420p | ± 100ppm/° C | 20-sol | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 1,500 | 1K | 외딴 | 10 | - | 50ppm/° C | 20 | 160MW | ||
 | 767161680G | - | | 2937 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 68 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
| RT2407B7PTR7 | - | | 6678 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 27-lbga | ± 200ppm/° C | 27-BGA (9x3) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 35 | 이중 이중 | 18 | - | - | 27 | 50MW | ||||
| TC124-FR-0717R8L | 0.0297 | | 9938 | 0.00000000 | Yageo | TC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | TC124-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 17.8 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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