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 | ORNA2-1T1 | 2.3543 | | 2531 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | orn dimider | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) | 0.068 "(1.73mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 25ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 1,000 | 5K, 10K | 외딴 | 4 | ± 0.05% | ± 5ppm/° C | 8 | 100MW | |||
 | CRA06P083330RJTA | - | | 1616 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA06 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 330 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||||
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 | RAVF104DJT4R30 | 0.0066 | | 1371 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 300ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 4.3 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
| RAVF162DJT27R0 | 0.0136 | | 2411 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.026 "(0.65mm) | 표면 표면 | 0606 (1616 Metric), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 27 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
 | EXB-18V824JX | 0.0426 | | 3371 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0502 (1406 메트릭), 긴 측면 터미널 | exb-18 | ± 200ppm/° C | 0502 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 820K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
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 | SOMC1603120RGEA | 1.4014 | | 4348 | 0.00000000 | Vishay Dale | SOMC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.090 "(2.29mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 120 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 160MW | ||||
 | YC324-FK-07768RL | 0.0697 | | 9686 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 768 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
 | MNR02M0APJ330 | - | | 4500 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 33 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
 | 745c101152Jtr | - | | 2898 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 745 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | 745C101 | ± 250ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 1.5K | 버스 | 8 | - | - | 10 | 63MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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