SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈
IRFR120TRRPBF Vishay Siliconix irfr120trrpbf 0.6733
RFQ
ECAD 5467 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
KGF6N05D-400 Renesas Electronics America Inc KGF6N05D-400 -
RFQ
ECAD 6341 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-UFLGA, CSP KGF6 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA) 20-WLCSP (2.48x1.17) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 5.5V 12A (TA) 3MOHM @ 6A, 4.5V 900MV @ 250µA 4NC @ 3.5V 630pf @ 5.5v -
IRF9Z34 Vishay Siliconix IRF9Z34 -
RFQ
ECAD 5320 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z34 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 88W (TC)
NP20P06SLG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP20P06SLG-E1-ay 1.4600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NP20P06 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3ZK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 10 v - 1.2W (TA), 38W (TC)
PTVA123501FCV1XWSA1 Infineon Technologies PTVA123501FCV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 4901 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모 쓸모 105 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 1.2GHz ~ 1.4GHz LDMOS H-37248-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001145562 귀 99 8541.29.0095 50 이중 10µA 350W 17dB -
PH3830L,115 NXP USA Inc. Ph3830L, 115 -
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 ph38 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 98A (TC) 5V, 10V 3.8mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 33 NC @ 5 v ± 20V 3190 pf @ 10 v - 62.5W (TC)
BUK7Y25-80E/GFX NXP USA Inc. BUK7Y25-80E/GFX -
RFQ
ECAD 6852 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 39A (TC) 10V 25mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 25.9 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 95W (TC)
IRFU220BTU Fairchild Semiconductor IRFU220BTU 0.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-IRFU220BTU-600039 1
AOK10N90 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK10N90 -
RFQ
ECAD 2897 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK10 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 900 v 10A (TC) 10V 980mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 3160 pf @ 25 v - 403W (TC)
SQJA84EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja84ep-t1_ge3 1.2100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA84 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 46A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 55W (TC)
SPI20N60CFDHKSA1 Infineon Technologies SPI20N60CFDHKSA1 -
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA spi20n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 20.7A (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 208W (TC)
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1 1.1200
RFQ
ECAD 5670 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG16N10 MOSFET (금속 (() 29W PG-TDSON-8-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 100V 16A 61mohm @ 16a, 10V 2.1V @ 90µA 11nc @ 10V 845pf @ 25v 논리 논리 게이트
DMT3002LPS-13 Diodes Incorporated DMT3002LPS-13 0.5733
RFQ
ECAD 5417 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT3002 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 77 NC @ 10 v ± 16V 5000 pf @ 15 v - 1.2W (TA), 136W (TC)
DMN67D7L-7 Diodes Incorporated DMN67D7L-7 0.2600
RFQ
ECAD 649 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN67 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.821 NC @ 10 v ± 40V 22 pf @ 25 v - 570MW (TA)
STP1N105K3 STMicroelectronics STP1N105K3 1.5600
RFQ
ECAD 565 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 stp1n MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1050 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 600ma, 10V 4.5V @ 50µA 13 nc @ 10 v ± 30V 180 pf @ 100 v - 60W (TC)
IPB10N03LB G Infineon Technologies IPB10N03LB g -
RFQ
ECAD 1529 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB10N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9.6mohm @ 50a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1639 pf @ 15 v - 58W (TC)
DMG1013UW-7 Diodes Incorporated DMG1013UW-7 0.3500
RFQ
ECAD 423 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMG1013 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 820MA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.622 NC @ 4.5 v ± 6V 59.76 pf @ 16 v - 310MW (TA)
FDB6035L Fairchild Semiconductor FDB6035L 3.4000
RFQ
ECAD 800 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 58A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 75W (TC)
BS170RLRMG onsemi BS170RLRMG -
RFQ
ECAD 1711 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BS170 MOSFET (금속 (() TO-92 (TO-226) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 10 v - 350MW (TA)
2301 Goford Semiconductor 2301 0.0270
RFQ
ECAD 120 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 56mohm @ 1.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 12 nc @ 2.5 v ± 10V 405 pf @ 10 v - 1W (TA)
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1, RQ (s -
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK45P03 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 45A (TA) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 22.5a, 10V 2.3V @ 200µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 10 v - -
IXTK62N25 IXYS IXTK62N25 -
RFQ
ECAD 4158 0.00000000 ixys 메가모스 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK62 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 62A (TC) 10V 35mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 390W (TC)
IXTP4N70X2M IXYS ixtp4n70x2m 3.3100
RFQ
ECAD 26 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IXTP4 MOSFET (금속 (() TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 850mohm @ 2a, 10V 4.5V @ 250µA 11.8 nc @ 10 v ± 30V 386 pf @ 25 v - 30W (TC)
FDP047N08-F102 onsemi FDP047N08-F102 1.7431
RFQ
ECAD 6802 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP047 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 164A (TC) 10V 4.7ohm @ 80a, 10V 4.5V @ 250µA 152 NC @ 10 v ± 20V 9415 pf @ 25 v - 268W (TC)
NTMFS4846NT1G onsemi NTMFS4846NT1G -
RFQ
ECAD 2944 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 12.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 11.5V 3.4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 53 NC @ 11.5 v ± 20V 3250 pf @ 12 v - 890MW (TA), 55.5W (TC)
APTM20DHM16TG Microsemi Corporation APTM20DHM16TG -
RFQ
ECAD 4225 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM20 MOSFET (금속 (() 390W SP4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 200V 104a 19mohm @ 52a, 10V 5V @ 2.5MA 140NC @ 10V 7220pf @ 25v -
FDD5614P onsemi FDD5614P -
RFQ
ECAD 5259 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD5614 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 15A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 759 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 42W (TC)
DMTH43M8LFGQ-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ-13 1.1600
RFQ
ECAD 2237 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMTH43 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 24A (TA), 100A (TC) 5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 40.1 NC @ 10 v ± 20V 2798 pf @ 20 v - 2.62W (TA), 65.2W (TC)
2SK3367-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3367-AZ 1.2800
RFQ
ECAD 753 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
SPB16N50C3ATMA1 Infineon Technologies SPB16N50C3ATMA1 -
RFQ
ECAD 7074 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB16N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 560 v 16A (TC) 10V 280mohm @ 10a, 10V 3.9V @ 675µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 160W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고