SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NTMFS5C645NLT1G onsemi NTMFS5C645NLT1G 2.8900
RFQ
ECAD 5500 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 22A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
AON1605 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON1605 0.0638
RFQ
ECAD 8179 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn AON16 MOSFET (금속 (() 3-DFN (1.0 x 0.60) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 700MA (TA) 1.5V, 4.5V 710mohm @ 400ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 8V 50 pf @ 10 v - 900MW (TA)
IRF6218STRLPBF Infineon Technologies IRF6218STRLPBF -
RFQ
ECAD 7475 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 150 v 27A (TC) 10V 150mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2210 pf @ 25 v - 250W (TC)
STP100N8F6 STMicroelectronics STP100N8F6 1.6100
RFQ
ECAD 41 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP100 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15553-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 5955 pf @ 25 v - 176W (TC)
DMP4047SSD-13 Diodes Incorporated DMP4047SSD-13 0.6900
RFQ
ECAD 51 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP4047 MOSFET (금속 (() 1.3W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 40V 5.1A 45mohm @ 4.4a, 10V 3V @ 250µA 21.5NC @ 10V 1154pf @ 20V 논리 논리 게이트
ALD110814PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110814PCL 6.5006
RFQ
ECAD 2638 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110814 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1028 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 5.4v 1.42V @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
SI4848DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4848DY-T1-E3 1.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4848 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 2.7A (TA) 6V, 10V 85mohm @ 3.5a, 10V 2V @ 250µA (Min) 21 NC @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
IXFH94N30T IXYS IXFH94N30T 12.9570
RFQ
ECAD 9525 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH94 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 94A (TC) 10V 36mohm @ 47a, 10V 5V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 20V 11400 pf @ 25 v - 890W (TC)
BUK9M6R6-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M6R6-30EX 0.9500
RFQ
ECAD 7909 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk9m6 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 70A (TC) 5V 5.3MOHM @ 20A, 10V 2.1v @ 1ma 18 nc @ 5 v ± 10V 2001 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQA90N10V2 onsemi FQA90N10V2 -
RFQ
ECAD 7185 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA9 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 105A (TC) 10V 10mohm @ 52.5a, 10V 4V @ 250µA 191 NC @ 10 v ± 30V 6150 pf @ 25 v - 330W (TC)
STU5N60M2 STMicroelectronics stu5n60m2 1.4100
RFQ
ECAD 831 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu5n60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 3.7A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.85a, 10V 4V @ 250µA 4.5 nc @ 10 v ± 25V 165 pf @ 100 v - 45W (TC)
DMP3012LPS-13 Diodes Incorporated DMP3012LPS-13 0.3497
RFQ
ECAD 4143 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP3012 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13.2A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 139 NC @ 10 v ± 20V 6807 pf @ 15 v - 1.29W (TA)
FDZ5047N onsemi FDZ5047N -
RFQ
ECAD 8222 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 36-VFBGA FDZ50 MOSFET (금속 (() 36-BGA (5x5.5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 22a, 10V 3V @ 250µA 73 NC @ 5 v ± 20V 4993 pf @ 15 v - 2.8W (TA)
CEDM8001VL TR PBFREE Central Semiconductor Corp CEDM8001VL TR PBFREE -
RFQ
ECAD 7274 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 CEDM8001 MOSFET (금속 (() SOT-883VL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 8ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 250µA 0.66 nc @ 4.5 v 10V 45 pf @ 3 v - 100MW (TA)
SIR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir696dp-t1-ge3 1.3600
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir696 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 125 v 60A (TC) 7.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1410 pf @ 75 v - 104W (TC)
2N7002K-TP Micro Commercial Co 2N7002K-TP 0.2800
RFQ
ECAD 31 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 340MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 40 pf @ 10 v - 350MW (TA)
NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc np60n04vuk-e1-ay 1.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NP60N04 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 60A (TC) 10V 3.85mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 3680 pf @ 25 v - 1.2W (TA), 105W (TC)
FDH44N50 onsemi FDH44N50 8.0200
RFQ
ECAD 1231 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FDH44 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 44A (TC) 10V 120mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 30V 5335 pf @ 25 v - 750W (TC)
NVMTS001N06CTXG onsemi NVMTS001N06CTXG 7.7000
RFQ
ECAD 8380 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMTS001 MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 53.7a (TA), 376A (TC) 10V 910mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V 8705 pf @ 30 v - 5W (TA), 244W (TC)
NTD60N02R onsemi NTD60N02R -
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 8.5A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1330 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 58W (TC)
IPU04N03LA Infineon Technologies IPU04N03LA -
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU04N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014621 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 80µa 41 NC @ 5 v ± 20V 5199 pf @ 15 v - 115W (TC)
IRF7450 Infineon Technologies IRF7450 -
RFQ
ECAD 5080 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7450 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 200 v 2.5A (TA) 10V 170mohm @ 1.5a, 10V 5.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 940 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
G06N06S2 Goford Semiconductor G06N06S2 0.2669
RFQ
ECAD 4744 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.1W (TC) 8-SOP - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-G06N06S2TR 귀 99 8541.29.0000 4,000 2 n 채널 60V 6A (TC) 25mohm @ 6a, 10V 2.4V @ 250µA 46NC @ 10V 1600pf @ 30V 기준
2SK306400L Panasonic Electronic Components 2SK306400L -
RFQ
ECAD 8975 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() smini3-g1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 100MA (TA) 5V 50ohm @ 10ma, 5V 2V @ 1µa ± 20V - 150MW (TA)
HUF75637S3ST onsemi HUF75637S3st -
RFQ
ECAD 1226 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 44A (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 108 NC @ 20 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 155W (TC)
STP210N75F6 STMicroelectronics STP210N75F6 4.4100
RFQ
ECAD 46 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP210 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 3.7mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 171 NC @ 10 v ± 20V 11800 pf @ 25 v - 300W (TC)
STH80N10F7-2 STMicroelectronics STH80N10F7-2 -
RFQ
ECAD 8007 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH80N MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 9.5mohm @ 40a, 10V 4.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 50 v - 110W (TC)
AOTF288L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF288L 0.8800
RFQ
ECAD 9042 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF288 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 10.5A (TA), 43A (TC) 6V, 10V 9.2MOHM @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1871 pf @ 40 v - 2.1W (TA), 35.5W (TC)
AUIRFU8405 International Rectifier auirfu8405 1.0300
RFQ
ECAD 510 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 1.98mohm @ 90a, 10V 3.9V @ 100µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5171 pf @ 25 v - 163W (TC)
IRLH5030TR2PBF Infineon Technologies irlh5030tr2pbf -
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() pqfn (5x6) 단일 다이 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 13A (TA), 100A (TC) 9mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 150µA 94 NC @ 10 v 5185 pf @ 50 v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고