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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTMFS5C645NLT1G | 2.8900 | ![]() | 5500 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 22A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 50 v | - | 3.7W (TA), 79W (TC) | ||||
![]() | AON1605 | 0.0638 | ![]() | 8179 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-ufdfn | AON16 | MOSFET (금속 (() | 3-DFN (1.0 x 0.60) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 700MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 710mohm @ 400ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 0.75 nc @ 4.5 v | ± 8V | 50 pf @ 10 v | - | 900MW (TA) | ||||
![]() | IRF6218STRLPBF | - | ![]() | 7475 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 150 v | 27A (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2210 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||
STP100N8F6 | 1.6100 | ![]() | 41 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP100 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15553-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 100A (TC) | 10V | 9mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 5955 pf @ 25 v | - | 176W (TC) | ||||
![]() | DMP4047SSD-13 | 0.6900 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMP4047 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 40V | 5.1A | 45mohm @ 4.4a, 10V | 3V @ 250µA | 21.5NC @ 10V | 1154pf @ 20V | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | ALD110814PCL | 6.5006 | ![]() | 2638 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD110814 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1028 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 5.4v | 1.42V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | SI4848DY-T1-E3 | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4848 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 2.7A (TA) | 6V, 10V | 85mohm @ 3.5a, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 21 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | IXFH94N30T | 12.9570 | ![]() | 9525 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 트렌치 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH94 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 300 v | 94A (TC) | 10V | 36mohm @ 47a, 10V | 5V @ 4MA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 11400 pf @ 25 v | - | 890W (TC) | ||||
![]() | BUK9M6R6-30EX | 0.9500 | ![]() | 7909 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | buk9m6 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 5V | 5.3MOHM @ 20A, 10V | 2.1v @ 1ma | 18 nc @ 5 v | ± 10V | 2001 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||
![]() | FQA90N10V2 | - | ![]() | 7185 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA9 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 100 v | 105A (TC) | 10V | 10mohm @ 52.5a, 10V | 4V @ 250µA | 191 NC @ 10 v | ± 30V | 6150 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | |||||
![]() | stu5n60m2 | 1.4100 | ![]() | 831 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | stu5n60 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 3.7A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.85a, 10V | 4V @ 250µA | 4.5 nc @ 10 v | ± 25V | 165 pf @ 100 v | - | 45W (TC) | ||||
![]() | DMP3012LPS-13 | 0.3497 | ![]() | 4143 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMP3012 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 13.2A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 10a, 10V | 2.1V @ 250µA | 139 NC @ 10 v | ± 20V | 6807 pf @ 15 v | - | 1.29W (TA) | ||||
![]() | FDZ5047N | - | ![]() | 8222 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 36-VFBGA | FDZ50 | MOSFET (금속 (() | 36-BGA (5x5.5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TA) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 22a, 10V | 3V @ 250µA | 73 NC @ 5 v | ± 20V | 4993 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA) | |||||
![]() | CEDM8001VL TR PBFREE | - | ![]() | 7274 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | CEDM8001 | MOSFET (금속 (() | SOT-883VL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | p 채널 | 20 v | 100MA (TA) | 1.5V, 4V | 8ohm @ 10ma, 4v | 1.1V @ 250µA | 0.66 nc @ 4.5 v | 10V | 45 pf @ 3 v | - | 100MW (TA) | ||||
![]() | sir696dp-t1-ge3 | 1.3600 | ![]() | 4035 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir696 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 125 v | 60A (TC) | 7.5V, 10V | 11.5mohm @ 20a, 10V | 4.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1410 pf @ 75 v | - | 104W (TC) | |||||
![]() | 2N7002K-TP | 0.2800 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 340MA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 40 pf @ 10 v | - | 350MW (TA) | |||||
![]() | np60n04vuk-e1-ay | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NP60N04 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 10V | 3.85mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 3680 pf @ 25 v | - | 1.2W (TA), 105W (TC) | ||||
![]() | FDH44N50 | 8.0200 | ![]() | 1231 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FDH44 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 44A (TC) | 10V | 120mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 108 NC @ 10 v | ± 30V | 5335 pf @ 25 v | - | 750W (TC) | ||||
![]() | NVMTS001N06CTXG | 7.7000 | ![]() | 8380 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NVMTS001 | MOSFET (금속 (() | 8-DFNW (8.3x8.4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 53.7a (TA), 376A (TC) | 10V | 910mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 113 NC @ 10 v | ± 20V | 8705 pf @ 30 v | - | 5W (TA), 244W (TC) | ||||
![]() | NTD60N02R | - | ![]() | 8119 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 25 v | 8.5A (TA), 32A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1330 pf @ 20 v | - | 1.25W (TA), 58W (TC) | ||||
![]() | IPU04N03LA | - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU04N | MOSFET (금속 (() | P-to251-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000014621 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 50a, 10V | 2V @ 80µa | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 5199 pf @ 15 v | - | 115W (TC) | |||
![]() | IRF7450 | - | ![]() | 5080 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7450 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 200 v | 2.5A (TA) | 10V | 170mohm @ 1.5a, 10V | 5.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 940 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||
![]() | G06N06S2 | 0.2669 | ![]() | 4744 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2.1W (TC) | 8-SOP | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-G06N06S2TR | 귀 99 | 8541.29.0000 | 4,000 | 2 n 채널 | 60V | 6A (TC) | 25mohm @ 6a, 10V | 2.4V @ 250µA | 46NC @ 10V | 1600pf @ 30V | 기준 | |||||||
![]() | 2SK306400L | - | ![]() | 8975 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | smini3-g1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 100MA (TA) | 5V | 50ohm @ 10ma, 5V | 2V @ 1µa | ± 20V | - | 150MW (TA) | |||||||||
![]() | HUF75637S3st | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 44A (TC) | 10V | 30mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250µA | 108 NC @ 20 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 155W (TC) | |||||
STP210N75F6 | 4.4100 | ![]() | 46 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP210 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 120A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 60a, 10V | 4V @ 250µA | 171 NC @ 10 v | ± 20V | 11800 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||
STH80N10F7-2 | - | ![]() | 8007 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STH80N | MOSFET (금속 (() | H2PAK-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 40a, 10V | 4.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 50 v | - | 110W (TC) | |||||
![]() | AOTF288L | 0.8800 | ![]() | 9042 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF288 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 10.5A (TA), 43A (TC) | 6V, 10V | 9.2MOHM @ 20A, 10V | 3.4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1871 pf @ 40 v | - | 2.1W (TA), 35.5W (TC) | ||||
![]() | auirfu8405 | 1.0300 | ![]() | 510 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 1.98mohm @ 90a, 10V | 3.9V @ 100µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 5171 pf @ 25 v | - | 163W (TC) | ||||||||
![]() | irlh5030tr2pbf | - | ![]() | 4696 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모 쓸모 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 13A (TA), 100A (TC) | 9mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 150µA | 94 NC @ 10 v | 5185 pf @ 50 v | - |
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