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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI80N06S407AKSA2 | 2.0000 |  | 500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N06 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 10V | 7.4mohm @ 80a, 10V | 4V @ 40µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||
 | DMTH47M2LPSWQ-13 | 0.2771 | | 9785 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn | DMTH47 | MOSFET (금속 (() | PowerDi5060-8 (유형 ux) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH47M2LPSWQ-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 73A (TC) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 891 pf @ 20 v | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||
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 | IRF7457PBF | 0.5200 | | 1338 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 435 | n 채널 | 20 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 42 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3100 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
 | IPW50R140CPFKSA1 | 4.5928 | | 3574 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW50R140 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 550 v | 23A (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10V | 3.5V @ 930µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 2540 pf @ 100 v | - | 192W (TC) | ||||||||||||
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 | FDS6682 | - | | 4662 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 14a, 10V | 3V @ 250µA | 31 NC @ 5 v | ± 20V | 2310 pf @ 15 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
 | AOT9N40 | - | | 5019 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT9 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 8A (TC) | 10V | 800mohm @ 4a, 10V | 4.5V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 30V | 760 pf @ 25 v | - | 132W (TC) | ||||||||||||
 | IRF7413TRPBF | - | | 8428 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 11mohm @ 7.3a, 10V | 3V @ 250µA | 79 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||
 | IRFB4510PBF | 1.0000 | | 8609 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 62A (TC) | 10V | 13.5mohm @ 37a, 10V | 4V @ 100µa | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 3180 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||
 | RDX100N60FU6 | - | | 2763 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RDX100 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 10A (TA) | 10V | 650mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | SQM50028EM_GE3 | 3.0300 | | 742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | SQM50028 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2MOHM @ 30A, 10V | 3.5V @ 250µA | 185 NC @ 10 v | ± 20V | 11900 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||
| AUIRF3808S | - | | 8699 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 106A (TC) | 7mohm @ 82a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 5310 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||
| IXRB5-506MINIPACK2 | - | | 8359 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | IXRB5-506 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SIHB065N60E-GE3 | 6.8400 | | 6078 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB065 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 74 NC @ 10 v | ± 30V | 2700 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||
 | BSC027N06LS5ATMA1 | 2.6800 | | 36 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC027 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 50a, 10V | 2.3V @ 49µA | 30 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4400 pf @ 30 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||
 | BSL716SNH6327XTSA1 | - | | 8200 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 2.5A (TA) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.5a, 10V | 1.8V @ 218µA | 13.1 NC @ 10 v | ± 20V | 315 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
 | AOWF15S60 | 1.3703 | | 1492 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOWF15 | MOSFET (금속 (() | TO-262F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 7.5a, 10V | 3.8V @ 250µA | 15.6 NC @ 10 v | ± 30V | 717 pf @ 100 v | - | 27.8W (TC) | ||||||||||||
| HUF75637S3S | - | | 8119 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 44A (TC) | 10V | 30mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250µA | 108 NC @ 20 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 155W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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