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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HUF75229P3 | - |  | 5223 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | HUF75 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 50 v | 44A (TC) | 10V | 22mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 20 v | ± 20V | 1060 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | |||||||||||||
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| IPB123N10N3GATMA1 | 2.1100 | | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB123 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 58A (TC) | 6V, 10V | 12.3mohm @ 46a, 10V | 3.5V @ 46µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 50 v | - | 94W (TC) | ||||||||||||
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 | NP60N06VDK-e1-ay | 1.5200 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NP60N06 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (MP-3ZP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 25 v | - | 1.2W (TA), 105W (TC) | ||||||||||||
 | SI2366DS-T1-BE3 | 0.4600 | | 8433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SI236DS-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.5A (TA), 5.8A (TC) | 4.5V, 10V | 36mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 335 pf @ 15 v | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||||||||||||
 | ZXMP6A17E6QTA | 0.7200 | | 2 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | ZXMP6A17 | MOSFET (금속 (() | SOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 2.3A (TA) | 4.5V, 10V | 125mohm @ 2.3a, 10V | 3V @ 250µA | 17.7 NC @ 10 v | ± 20V | 637 pf @ 30 v | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||
| IXTM21N50L | - | | 5150 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | - | - | - | IXTM21 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | - | - | - | - | - | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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