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Fets, Mosfets (55612)
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 | BLF6G10LS-135R, 112 | - | | 5420 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-502B | BLF6G10 | 871.5MHz ~ 891.5MHz | LDMOS | SOT502B | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 20 | 32A | 950 MA | 26.5W | 21db | - | 28 v | |||||||||||||||||
 | CTLDM3590 TR | 0.5300 | | 9 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | MOSFET (금속 (() | TLM3D6D8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 160MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 3ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.46 nc @ 4.5 v | 8V | 9 pf @ 15 v | - | 125MW (TA) | ||||||||||||||
 | SIA430DJT-T1-GE3 | 0.5500 | | 4319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA430 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 싱글 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 10 v | - | 19.2W (TC) | ||||||||||||||
 | irfr6215trlpbf | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR6215 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 150 v | 13A (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 110W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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