SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
IRL1404PBF Infineon Technologies IRL1404PBF -
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10V 3V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 20V 6590 pf @ 25 v - 200W (TC)
AUIRF6215 Infineon Technologies AUIRF6215 3.5800
RFQ
ECAD 740 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AUIRF6215 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521586 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 110W (TC)
PMV42ENER Nexperia USA Inc. pmv42ener 0.4300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv42 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 4.5V, 10V 36mohm @ 4.4a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 281 pf @ 15 v - 500MW (TA), 5W (TC)
2N7002KT7G onsemi 2N7002KT7G 0.2300
RFQ
ECAD 38 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,500 n 채널 60 v 320MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.3V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 24.5 pf @ 20 v - 300MW (TA)
NTD23N03R-1G onsemi NTD23N03R-1g -
RFQ
ECAD 2871 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD23 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 3.8A (TA), 17.1A (TC) 4V, 5V 45mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 3.76 NC @ 4.5 v ± 20V 225 pf @ 20 v - 1.14W (TA), 22.3W (TC)
IRL3714ZLPBF Infineon Technologies IRL3714ZLPBF -
RFQ
ECAD 4113 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3714ZLPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 35W (TC)
NTP125N02RG onsemi NTP125N02RG -
RFQ
ECAD 2684 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP125 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 24 v 15.9A (TA) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 20V 3440 pf @ 20 v - 1.98W (TA), 113.6W (TC)
AON6160 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6160 -
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 Aon61 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 1.58mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 7790 pf @ 30 v - 215W (TC)
2SJ403 Sanyo 2SJ403 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-2SJ403-600057 귀 99 8541.29.0095 1
BUK661R8-30C,118 Nexperia USA Inc. BUK661R8-30C, 118 -
RFQ
ECAD 9924 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK661 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 168 NC @ 10 v ± 16V 10918 pf @ 25 v - 263W (TC)
IRFI520N Infineon Technologies irfi520n -
RFQ
ECAD 7202 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfi520n 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 7.6A (TC) 10V 200mohm @ 4.3a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 30W (TC)
IRF3711ZCL Infineon Technologies IRF3711ZCL -
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3711ZCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
IRFU9120PBF Vishay Siliconix IRFU9120PBF 1.7700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9120 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9120pbf 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
NVMFWS025P04M8LT1G onsemi NVMFWS025P04M8LT1G 0.4117
RFQ
ECAD 8301 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVMFWS025P04M8LT1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 40 v 9.4A (TA), 34.6A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 255µA 16.3 NC @ 10 v ± 20V 1058 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 44.1W (TC)
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. A2T21H360-23NR6 -
RFQ
ECAD 7885 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v OM-1230-4L2L A2T21 2.11GHz ~ 2.2GHz LDMOS OM-1230-4L2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 150 이중 10µA 500 MA 373W 16.8dB - 28 v
DMC62D2SV-7 Diodes Incorporated DMC62D2SV-7 0.0722
RFQ
ECAD 3741 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMC62D2SV-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 60V 480MA (TA), 320MA (TA) 1.7ohm @ 200ma, 10v, 4ohm @ 200ma, 10v 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA 1.04NC @ 10V, 1.1NC @ 10V 41pf @ 30v, 40pf @ 25v 기준
FDS7079ZN3 onsemi FDS7079ZN3 -
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS70 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 5 v ± 25V 3630 pf @ 15 v - 3.13W (TA)
FQA13N50CF onsemi fqa13n50cf -
RFQ
ECAD 3578 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA13 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-FQA13N50CF 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 500 v 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 218W (TC)
FDS6812A onsemi FDS6812A -
RFQ
ECAD 1659 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS68 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19NC @ 4.5V 1082pf @ 10v 논리 논리 게이트
IRF9520NSTRR Infineon Technologies IRF9520NSTRR -
RFQ
ECAD 4393 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 480mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 48W (TC)
ZXMN6A10N8TA Diodes Incorporated zxmn6a10n8ta -
RFQ
ECAD 2238 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - Digi-Reel® 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN6 MOSFET (금속 (() 도 8- - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v - - - -
IRFU3711ZPBF Infineon Technologies IRFU3711ZPBF -
RFQ
ECAD 6111 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2.45V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2160 pf @ 10 v - 79W (TC)
SI3477DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3477DV-T1-GE3 0.7500
RFQ
ECAD 9052 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3477 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 17.5mohm @ 9a, 4.5v 1V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 10V 2600 pf @ 6 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
FDD6685 onsemi FDD6685 1.2200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD668 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 11A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 11a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 5 v ± 25V 1715 pf @ 15 v - 52W (TA)
AOY514 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY514 -
RFQ
ECAD 8105 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOY51 MOSFET (금속 (() TO-251B 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 30 v 17A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1187 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FDS8876 onsemi FDS8876 -
RFQ
ECAD 5940 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS88 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
LET9060TR STMicroelectronics let9060tr -
RFQ
ECAD 7866 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 80 v PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 형성 된 리드 리드) let9060 960MHz LDMOS PowerSO-10RF (형성) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 600 12a 300 MA 60W 17.2db - 28 v
MAGX-000035-045000 MACOM Technology Solutions MAGX-000035-045000 -
RFQ
ECAD 2416 0.00000000 Macom 기술 솔루션 - 대부분 쓸모없는 65 v - 0Hz ~ 3.5GHz - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1465-1499 귀 99 8541.29.0095 25 3A 100 MA 900MW 18db - 50 v
MRF6S18140HSR3 NXP USA Inc. MRF6S18140HSR3 -
RFQ
ECAD 2799 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 표면 표면 NI-880S MRF6 1.88GHz LDMOS NI-880S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 1.2 a 29W 16db - 28 v
IRFH5010TR2PBF Infineon Technologies IRFH5010TR2PBF -
RFQ
ECAD 9162 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 13A (TA), 100A (TC) 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 150µA 98 NC @ 10 v 4340 pf @ 25 v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고