SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
PMV42ENER Nexperia USA Inc. pmv42ener 0.4300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv42 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 4.5V, 10V 36mohm @ 4.4a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 281 pf @ 15 v - 500MW (TA), 5W (TC)
2N7002KT7G onsemi 2N7002KT7G 0.2300
RFQ
ECAD 38 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,500 n 채널 60 v 320MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.3V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 24.5 pf @ 20 v - 300MW (TA)
IXFD15N100-8X IXYS IXFD15N100-8X -
RFQ
ECAD 3727 0.00000000 ixys - 대부분 쓸모없는 IXFD15N100 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
IRFH8324TR2PBF Infineon Technologies IRFH8324TR2PBF 0.6600
RFQ
ECAD 82 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 30 v 23A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 4.1MOHM @ 20A, 10V 2.35V @ 50µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2380 pf @ 10 v - 3.6W (TA), 54W (TC)
IRF7311PBF Infineon Technologies IRF7311PBF -
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572034 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 20V 6.6a 29mohm @ 6a, 4.5v 700MV @ 250µA 27NC @ 4.5V 900pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFR220NTRR Infineon Technologies irfr220ntrr -
RFQ
ECAD 5433 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5A (TC) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
IXFT140N10P IXYS ixft140n10p 11.2400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 상자 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT140 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 140A (TC) 10V 11mohm @ 70a, 10V 5V @ 4MA 155 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v - 600W (TC)
2SJ403 Sanyo 2SJ403 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-2SJ403-600057 귀 99 8541.29.0095 1
IRFPC40 Vishay Siliconix IRFPC40 -
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC40 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPC40 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 6.8A (TC) 10V 1.2ohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFD120 Vishay Siliconix IRFD120 -
RFQ
ECAD 6501 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD120 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.3A (TA) 10V 270mohm @ 780ma, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
IPI80N06S405AKSA2 Infineon Technologies IPI80N06S405AKSA2 1.3805
RFQ
ECAD 2182 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N06 MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 5.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 60µA 81 NC @ 10 v ± 20V 6500 pf @ 25 v - 107W (TC)
AO6800L_003 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6800L_003 -
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 AO680 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 30V 3.4a 60mohm @ 3.4a, 10V 1.5V @ 250µA 10nc @ 10v 235pf @ 15V 논리 논리 게이트
TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03CP ROG 1.7100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM060 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 v ± 20V 1160 pf @ 25 v - 54W (TC)
BUK7609-55A,118 NXP USA Inc. BUK7609-55A, 118 -
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 62 NC @ 0 v ± 20V 3271 pf @ 25 v - 211W (TC)
TSM05N03CW Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW 0.5075
RFQ
ECAD 2585 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA TSM05 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM05N03CWTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 5 v ± 20V 555 pf @ 15 v - 3W (TA)
DMT10H009SSS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SSS-13 0.4606
RFQ
ECAD 2155 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - DMT10 MOSFET (금속 (() - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 12A (TA), 42A (TC) 10V 9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 29.8 nc @ 10 v ± 20V 2085 pf @ 50 v - 1.4W (TA)
IPD30N06S2L23ATMA1 Infineon Technologies IPD30N06S2L23ATMA1 -
RFQ
ECAD 7362 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD30N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 30A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 22a, 10V 2V @ 50µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1091 pf @ 25 v - 100W (TC)
IAUC40N08S5L140ATMA1 Infineon Technologies IAUC40N08S5L140ATMA1 0.5310
RFQ
ECAD 5402 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-33 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 40A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 20a, 10V 2V @ 15µA 18.6 NC @ 10 v ± 20V 1078 pf @ 40 v - 56W (TC)
IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies IPB720P15LMATMA1 6.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB720P MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 150 v 4.6A (TA), 41A (TC) 4.5V, 10V 72mohm @ 37a, 10V 2V @ 5.55MA 224 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 75 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
FQI11N40TU onsemi fqi11n40tu -
RFQ
ECAD 1266 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI1 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 11.4A (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 147W (TC)
NVMFS5C645NWFT1G onsemi NVMFS5C645NWFT1G -
RFQ
ECAD 3777 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVMFS5C645NWFT1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 20A (TA), 92A (TC) 10V 4.6mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 20.4 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
ART450FEU Ampleon USA Inc. ART450FEU 151.1700
RFQ
ECAD 9435 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 활동적인 ART450 - 60
FQU7N10LTU onsemi fqu7n10ltu -
RFQ
ECAD 4381 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu7 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 100 v 5.8A (TC) 5V, 10V 350mohm @ 2.9a, 10V 2V @ 250µA 6 nc @ 5 v ± 20V 290 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
NTJD4001NT1G onsemi ntjd4001nt1g 0.3800
RFQ
ECAD 106 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD4001 MOSFET (금속 (() 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 250ma 1.5ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa 1.3NC @ 5V 33pf @ 5v -
FQPF630 onsemi FQPF630 1.4100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF6 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 6.3A (TC) 10V 400mohm @ 3.15a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 550 pf @ 25 v - 38W (TC)
MCH6604-TL-E onsemi MCH6604-TL-E -
RFQ
ECAD 5040 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6604 MOSFET (금속 (() 800MW 6mcph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 250ma 7.8ohm @ 50ma, 4v - 1.57NC @ 10V 6.6pf @ 10V 논리 논리 게이트
PD84008-E STMicroelectronics PD84008-E -
RFQ
ECAD 9171 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 25 v PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 형성 된 리드 리드) PD84008 870MHz LDMOS PowerSO-10RF (형성) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 7a 250 MA 2W 16.2db - 7.5 v
DMP2225L-7 Diodes Incorporated DMP2225L-7 -
RFQ
ECAD 7820 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2225 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.6A (TA) 2.5V, 4.5V 110mohm @ 2.6a, 4.5v 1.25V @ 250µA 5.3 NC @ 4.5 v ± 12V 250 pf @ 10 v - 1.08W (TA)
IRF530NS Infineon Technologies IRF530NS -
RFQ
ECAD 3116 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF530NS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 17A (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 920 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 70W (TC)
BLF8G27LS-100GVQ Ampleon USA Inc. BLF8G27LS-100GVQ -
RFQ
ECAD 8299 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 튜브 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-1244C blf8 2.5GHz ~ 2.7GHz LDMOS CDFM6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 24 - 900 MA 25W 17dB - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고