SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
SUD50N02-09P-E3 Vishay Siliconix SUD50N02-09P-E3 -
RFQ
ECAD 9366 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 20A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 20V 1300 pf @ 10 v - 6.5W (TA), 39.5W (TC)
SI7703EDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8628 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7703 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 800µA 18 nc @ 4.5 v ± 12V Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA)
J310_D27Z onsemi J310_D27Z -
RFQ
ECAD 8980 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J310 450MHz JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 60ma 10 MA - 12db 3db 10 v
NTB75N03R onsemi NTB75N03R -
RFQ
ECAD 6624 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB75 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 25 v 9.7A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 13.2 NC @ 10 v ± 20V 1333 PF @ 20 v - 1.25W (TA), 74.4W (TC)
BFL4036 onsemi BFL4036 -
RFQ
ECAD 9548 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 BFL40 MOSFET (금속 (() TO-220FI (LS) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 500 v 9.6A (TA) 10V 520mohm @ 7a, 10V 5V @ 1MA 38.4 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 30 v - 2W (TA), 37W (TC)
ALD110900PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110900PAL 6.4900
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110900 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1032 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 500ohm @ 4v 20mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
DMP3011SSS-13 Diodes Incorporated DMP3011SSS-13 0.9300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3011 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 11A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 25V 2380 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
IRFH8324TR2PBF Infineon Technologies IRFH8324TR2PBF 0.6600
RFQ
ECAD 82 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 30 v 23A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 4.1MOHM @ 20A, 10V 2.35V @ 50µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2380 pf @ 10 v - 3.6W (TA), 54W (TC)
NVD6824NLT4G onsemi NVD6824NLT4G -
RFQ
ECAD 5273 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD682 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 8.5A (TA), 41A (TC) 4.5V, 10V 20MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 3468 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 90W (TC)
IRFR220NTRR Infineon Technologies irfr220ntrr -
RFQ
ECAD 5433 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5A (TC) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
MRFE6P3300HR3 NXP USA Inc. mrfe6p3300hr3 -
RFQ
ECAD 9840 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 66 v 섀시 섀시 NI-860C3 mrfe6 857MHz ~ 863MHz LDMOS NI-860C3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 1.6 a 270W 20.4dB - 32 v
IRFR9014 Vishay Siliconix IRFR9014 -
RFQ
ECAD 9841 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9014 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7110DN-T1-E3 1.8500
RFQ
ECAD 8508 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7110 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13.5A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 21.1a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
FQPF33N10L onsemi fqpf33n10l 1.4900
RFQ
ECAD 956 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF3 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 18A (TC) 5V, 10V 52mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 40 nc @ 5 v ± 20V 1630 pf @ 25 v - 41W (TC)
STP25NM60N STMicroelectronics STP25NM60N -
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP25N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5020-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 25V 2400 pf @ 50 v - 160W (TC)
IRFD120 Vishay Siliconix IRFD120 -
RFQ
ECAD 6501 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD120 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.3A (TA) 10V 270mohm @ 780ma, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
MCH6604-TL-E onsemi MCH6604-TL-E -
RFQ
ECAD 5040 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6604 MOSFET (금속 (() 800MW 6mcph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 250ma 7.8ohm @ 50ma, 4v - 1.57NC @ 10V 6.6pf @ 10V 논리 논리 게이트
MMBFJ310 onsemi MMBFJ310 -
RFQ
ECAD 1959 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ3 450MHz JFET SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 n 채널 60ma 10 MA - 12db 3db 10 v
BSP179H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP179H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 8081 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 210MA (TA) 0V, 10V 18ohm @ 210ma, 10V 1V @ 94µA 6.8 NC @ 5 v ± 20V 135 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
IXTH200N075T IXYS IXTH200N075T -
RFQ
ECAD 6808 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH200 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 75 v 200a (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 25 v - 430W (TC)
BLF8G22LS-140J Ampleon USA Inc. BLF8G22LS-140J -
RFQ
ECAD 1345 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-502B blf8 2.11GHz LDMOS SOT502B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067454118 귀 99 8541.29.0095 100 - 900 MA 33W 18.5dB - 28 v
RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor Ru1c001untcl 0.4000
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-85 Ru1c001 MOSFET (금속 (() umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 100MA (TA) 1.2V, 4.5V 3.5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 100µA ± 12V 7.1 pf @ 10 v - 150MW (TA)
IPI120N04S4-01M Infineon Technologies IPI120N04S4-01M -
RFQ
ECAD 2230 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 IPI120N 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001251474 귀 99 8541.29.0095 500 -
AON4807_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4807_001 -
RFQ
ECAD 4458 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 AON480 MOSFET (금속 (() 1.9W 8-DFN (3x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 p 채널 (채널) 30V 4a 68mohm @ 4a, 10V 2.3V @ 250µA 10nc @ 10v 290pf @ 15V 논리 논리 게이트
BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP89H6327XTSA1 0.6600
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP89H6327 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 350MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 350ma, 10V 1.8V @ 108µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
N0604N-S19-AY Renesas Electronics America Inc N0604N-S19-ay 2.8100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 N0604N-S19 MOSFET (금속 (() TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 -1161-N0604N-S19-ay 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 82A (TA) 10V 6.5mohm @ 41a, 10V - 75 NC @ 10 v ± 20V 4150 pf @ 25 v - 1.5W (TA), 156W (TC)
SI3981DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3981DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3981 MOSFET (금속 (() 800MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.6a 185mohm @ 1.9a, 4.5v 1.1V @ 250µA 5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
PMCM6501UPEZ Nexperia USA Inc. pmcm6501upez 0.5900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP PMCM6501 MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,500 p 채널 20 v 7.3A (TJ) 2.5V, 4.5V - - 19.1 NC @ 4.5 v ± 8V - 556MW
FCP360N65S3R0 onsemi FCP360N65S3R0 2.7700
RFQ
ECAD 431 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP360 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-FCP360N65S3R0-488 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 360mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 1mA 18 nc @ 10 v ± 30V 730 pf @ 400 v - 83W (TC)
NTD4970N-35G onsemi NTD4970N-35G -
RFQ
ECAD 8195 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK NTD4970 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 8.5A (TA), 36A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 8.2 NC @ 4.5 v ± 20V 774 pf @ 15 v - 1.38W (TA), 24.6W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고