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Fets, Mosfets (55612)
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 | zxmn6a10n8ta | - | | 2238 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | Digi-Reel® | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ZXMN6 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
 | IRFU3711ZPBF | - | | 6111 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 20 v | 93A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10V | 2.45V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2160 pf @ 10 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||
| SI3477DV-T1-GE3 | 0.7500 | | 9052 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3477 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 17.5mohm @ 9a, 4.5v | 1V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 10V | 2600 pf @ 6 v | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||||||||||
 | AOY514 | - | | 8105 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOY51 | MOSFET (금속 (() | TO-251B | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 30 v | 17A (TA), 46A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1187 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||
| FDS8876 | - | | 5940 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS88 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 12.5A (TA) | 4.5V, 10V | 8.2mohm @ 12.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1650 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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