전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | IXFX120N30P3 | 18.3200 | ![]() | 9873 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polar3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXFX120 | MOSFET (금속 (() | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -ixfx120n30p3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 300 v | 120A (TC) | 10V | 27mohm @ 60a, 10V | 5V @ 4MA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 8630 pf @ 25 v | - | 1130W (TC) | |||||||||||
![]() | EPC2050 | 6.0700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 2,500 | n 채널 | 350 v | 6.3A (TA) | 5V | 180mohm @ 6a, 5V | 2.5V @ 1mA | 4 NC @ 5 v | +6V, -4V | 628 pf @ 280 v | - | - | ||||||||||||
![]() | IPS04N03LA g | - | ![]() | 6542 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | IPS04N | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 50a, 10V | 2V @ 80µa | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 5199 pf @ 15 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||
![]() | IRFZ44VZSPBF | 1.1439 | ![]() | 5081 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ44 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 57A (TC) | 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | ||||||||||||
![]() | A2T21H360-23NR6 | - | ![]() | 7885 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | OM-1230-4L2L | A2T21 | 2.11GHz ~ 2.2GHz | LDMOS | OM-1230-4L2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 150 | 이중 | 10µA | 500 MA | 373W | 16.8dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
DMC62D2SV-7 | 0.0722 | ![]() | 3741 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET (금속 (() | 500MW (TA) | SOT-563 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 31-DMC62D2SV-7TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 보완 p 채널 및 | 60V | 480MA (TA), 320MA (TA) | 1.7ohm @ 200ma, 10v, 4ohm @ 200ma, 10v | 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA | 1.04NC @ 10V, 1.1NC @ 10V | 41pf @ 30v, 40pf @ 25v | 기준 | ||||||||||||||||
![]() | BSP179H6327XTSA1 | - | ![]() | 8081 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 210MA (TA) | 0V, 10V | 18ohm @ 210ma, 10V | 1V @ 94µA | 6.8 NC @ 5 v | ± 20V | 135 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | |||||||||||||
![]() | fqa13n50cf | - | ![]() | 3578 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA13 | MOSFET (금속 (() | 3pn | 다운로드 | ROHS3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-FQA13N50CF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 500 v | 15A (TC) | 10V | 480mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 30V | 2055 PF @ 25 v | - | 218W (TC) | |||||||||||
![]() | FDS6812A | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS68 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 6.7a | 22mohm @ 6.7a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 19NC @ 4.5V | 1082pf @ 10v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
![]() | Ruu002n05t106 | 0.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | Ruu002 | MOSFET (금속 (() | UMT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 200MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 2.2ohm @ 200ma, 4.5v | 1V @ 1mA | ± 8V | 25 pf @ 10 v | - | 200MW (TA) | |||||||||||||
![]() | RF5L05750CF2 | 135.0000 | ![]() | 1030 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 50 v | 표면 표면 | C2 | RF5L05750 | 1.5GHz | LDMOS | C2 | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-RF5L05750CF2 | 100 | n 채널 | - | 2500W | 20dB | - | |||||||||||||||||||
![]() | PJD2NA60_R2_00001 | 0.7100 | ![]() | 6377 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | pjd2n | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD2NA60_R2_00001DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 2A (TA) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 5.7 NC @ 10 v | ± 30V | 257 pf @ 25 v | - | - | |||||||||||
![]() | 2SK3462 (TE16L1, NQ) | - | ![]() | 7650 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 2SK3462 | MOSFET (금속 (() | PW-Mold | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 250 v | 3A (TA) | 10V | 1.7ohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 1mA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 267 pf @ 10 v | - | 20W (TC) | ||||||||||||||
![]() | SI2316DS-T1-E3 | 0.8200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.9A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.4a, 10V | 800mv @ 250µa (최소) | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 215 pf @ 15 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||
![]() | fqd13n10ltm | 0.7500 | ![]() | 3363 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD13N10 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 10A (TC) | 5V, 10V | 180mohm @ 5a, 10V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 20V | 520 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||
![]() | PTAC210802FCV1XWSA1 | - | ![]() | 4896 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP001028964 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF734L | - | ![]() | 3534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF734 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF734L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 4.9A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | - | ||||||||||||
![]() | NVH4L075N065SC1 | 10.6802 | ![]() | 9757 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVH4L075N065SC1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 650 v | 38A (TC) | 15V, 18V | 85mohm @ 15a, 18V | 4.3V @ 5mA | 61 NC @ 18 v | +22V, -8V | 1196 pf @ 325 v | - | 148W (TC) | ||||||||||||
![]() | SUM90N06-4M4P-E3 | - | ![]() | 3536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM90 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 4.5V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 6190 pf @ 30 v | - | 3.75W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMT32M5LFG-13 | 1.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMT32 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TA) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 67.7 NC @ 10 v | ± 20V | 4066 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA) | ||||||||||||
![]() | STI360N4F6 | - | ![]() | 1417 | 0.00000000 | stmicroelectronics | AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ vi | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI360N | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.8mohm @ 60a, 10V | 4.5V @ 250µA | 340 nc @ 10 v | ± 20V | 17930 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
![]() | IXFH13N80Q | - | ![]() | 2623 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH13 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 800 v | 13A (TC) | 10V | 700mohm @ 6.5a, 10V | 4.5V @ 4mA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 3250 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||
![]() | IRLR2908PBF | - | ![]() | 3616 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 80 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 23a, 10V | 2.5V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1890 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | |||||||||||||
![]() | fdme510pzt | 0.9100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerufdfn | FDME510 | MOSFET (금속 (() | 마이크로 마이크로 1.6x1.6 얇은 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 20 v | 6A (TA) | 1.5V, 4.5V | 37mohm @ 6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 22 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1490 pf @ 10 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||
![]() | fqi9n50ctu | - | ![]() | 1168 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | FQI9 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 9A (TC) | 10V | 800mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1030 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | |||||||||||||
![]() | NVMFWS025P04M8LT1G | 0.4117 | ![]() | 8301 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVMFWS025P04M8LT1GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | p 채널 | 40 v | 9.4A (TA), 34.6A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 15a, 10V | 2.4V @ 255µA | 16.3 NC @ 10 v | ± 20V | 1058 pf @ 20 v | - | 3.5W (TA), 44.1W (TC) | ||||||||||||
![]() | irfr9024ntrr | - | ![]() | 9291 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 55 v | 11A (TC) | 10V | 175mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | |||||||||||||
![]() | AO4718 | - | ![]() | 2807 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SRFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO47 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 15 v | Schottky Diode (Body) | 3.1W (TA) | |||||||||||||
![]() | IRF7451 | - | ![]() | 8589 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7451 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 150 v | 3.6A (TA) | 10V | 90mohm @ 2.2a, 10V | 5.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 30V | 990 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
![]() | IXTH200N075T | - | ![]() | 6808 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH200 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 75 v | 200a (TC) | 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 6800 pf @ 25 v | - | 430W (TC) |
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