- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS123 | 0.3200 |  | 8558 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS123 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 200ma | 4.5V, 10V | 5ohm @ 200ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 1.8 nc @ 10 v | ± 20V | 14 pf @ 25 v | - | 350MW (TA) | ||||||||||||
 | IPA082N10NF2SXKSA1 | 1.6400 | | 435 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220 20 팩 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 46A (TC) | 6V, 10V | 8.2MOHM @ 30A, 10V | 3.8V @ 46µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 50 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||
 | irf7663trpbf | - | | 9108 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | MOSFET (금속 (() | Micro8 ™ | 다운로드 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 20 v | 8.2A (TA) | 2.5V, 4.5V | 20mohm @ 7a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 45 NC @ 5 v | ± 12V | 2520 pf @ 10 v | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||
 | NVMFS5C426NAFT3G | 1.4681 | | 5211 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 41A (TA), 235A (TC) | 10V | 1.3mohm @ 50a, 10V | 3.5V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 128W (TC) | ||||||||||||
 | BSL806NL6327 | 1.0000 | | 9381 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | BSL806 | MOSFET (금속 (() | 500MW | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 2.3a | 57mohm @ 2.3a, 2.5v | 750MV @ 11µA | 1.7nc @ 2.5v | 259pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
| NVMFS027N10MCLT1G | 1.0500 | | 4809 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 7.9A (TA), 28A (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 7a, 10V | 3V @ 38µA | 11.5 nc @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 50 v | - | 3.5W (TA), 46W (TC) | |||||||||||||
 | GTVA311801FA-V1-R250 | 404.3900 | | 250 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 125 v | 표면 표면 | H-37265J-2 | GTVA311801 | 2.7GHz ~ 3.1GHz | 헴 | H-37265J-2 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 3A001B3 | 8541.29.0075 | 250 | - | 20 MA | 180W | 15db | - | 50 v | |||||||||||||||||
 | sir422dp-t1-ge3 | 1.1800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir422 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1785 pf @ 20 v | - | 5W (TA), 34.7W (TC) | |||||||||||||
 | IRF634NPBF | - | | 2506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF634 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF634NPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 8A (TC) | 10V | 435mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 88W (TC) | |||||||||||
 | FDBL0090N40 | 1.0000 | | 9399 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | MOSFET (금속 (() | 8-HPSOF | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 10V | 0.9mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 188 NC @ 10 v | ± 20V | 12000 pf @ 25 v | - | 357W (TJ) | ||||||||||||||||
 | CPH6411-TL-E | 0.3000 | | 24 | 0.00000000 | Sanyo | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6-CPH | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TA) | 20mohm @ 3a, 4.5v | - | 13 nc @ 4.5 v | 1200 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||
 | MMIX2F60N50P3 | 39.6840 | | 6365 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polar3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-smd 모듈, 9 개의 리드 | mmix2f60 | MOSFET (금속 (() | 320W | 24-SMPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 n 채널 (채널) | 500V | 30A (TC) | 110mohm @ 30a, 10V | 5V @ 4MA | 96NC @ 10V | 6250pf @ 25v | - | |||||||||||||||
 | ATF-58143-BLKG | - | | 1255 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | 조각 | 쓸모없는 | 5 v | SC-82A, SOT-343 | ATF-58143 | 2GHz | Phemt Fet | SOT-343 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 100ma | 30 MA | 19dbm | 16.5dB | 0.5dB | 3 v | ||||||||||||||||||
 | BLF8G22LS-220J | - | | 9828 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-502B | blf8 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | SOT502B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934067531118 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | - | 1.62 a | 55W | 17dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | SIA911DJ-T1-E3 | - | | 2606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA911 | MOSFET (금속 (() | 6.5W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.5A | 94mohm @ 2.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12.8nc @ 8v | 355pf @ 10V | - | ||||||||||||||
| PTRA094808NF-V1-R5 | 98.1384 | | 4710 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 105 v | 표면 표면 | HBSOF-6-2 | PTRA094808 | 859MHz ~ 960MHz | LDMOS | PG-HBSOF-6-2 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | 10µA | 450 MA | 300W | 17.5dB | - | 48 v | |||||||||||||||||
 | AOY66923 | 1.2800 | | 6 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOY669 | MOSFET (금속 (() | TO-251B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1835 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 100 v | 16.5A (TA), 58A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 20a, 10V | 2.6V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1725 pf @ 50 v | - | 6.2W (TA), 73W (TC) | |||||||||||
 | FDU8796_F071 | - | | 1477 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | FDU87 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 25 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2610 pf @ 13 v | - | 88W (TC) | |||||||||||||
 | AON3806 | - | | 2017 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | AON380 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 8-DFN (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 6A | 26mohm @ 6.8a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 500pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
 | irfr3711ztrl | - | | 7845 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 93A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10V | 2.45V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2160 pf @ 10 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||
 | TK62J60W, S1VQ | 16.3700 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | TK62J60 | MOSFET (금속 (() | TO-3P (N) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 61.8A (TA) | 10V | 38mohm @ 30.9a, 10V | 3.7v @ 3.1ma | 180 NC @ 10 v | ± 30V | 6500 pf @ 300 v | - | 400W (TC) | |||||||||||||
 | EPC2035 | 0.9300 | | 13 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 1.7A (TA) | 5V | 45mohm @ 1a, 5V | 2.5V @ 800µA | 1.15 nc @ 5 v | +6V, -4V | 115 pf @ 30 v | - | - | ||||||||||||
 | IXTT48P20P | 13.1300 | | 152 | 0.00000000 | ixys | Polarp ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT48 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 200 v | 48A (TC) | 10V | 85mohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 250µA | 103 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 25 v | - | 462W (TC) | ||||||||||||
 | SPI35N10 | - | | 6256 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | SPI35N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 44mohm @ 26.4a, 10V | 4V @ 83µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1570 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||
 | EPC2020 | 7.8700 | | 2 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 500 | n 채널 | 60 v | 90A (TA) | 5V | 2.2mohm @ 31a, 5V | 2.5V @ 16MA | 16 nc @ 5 v | +6V, -4V | 1780 pf @ 30 v | - | - | ||||||||||||
 | SI4534DY-T1-GE3 | 1.4100 | | 3233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4534 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA), 3.6W (TC) | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SI4534DY-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 60V | 6.2A (TA), 8A (TC), 3A (TA), 4.1A (TC) | 29mohm @ 5a, 10v, 120mohm @ 3.1a, 10v | 3V @ 250µA | 11nc @ 10V, 22NC @ 10V | 420pf @ 30v, 650pf @ 30v | - | ||||||||||||||
 | PJD35P03_L2_00001 | 0.5900 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJD35 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD35P03_L2_00001DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8.4A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1169 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 35W (TC) | |||||||||||
| 2SK3818-DL-E | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | AO5404E_001 | - | | 4330 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | AO5404 | MOSFET (금속 (() | SC-89-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 500MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 550mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 1 NC @ 4.5 v | ± 8V | 45 pf @ 10 v | - | 280MW (TA) | |||||||||||||
 | ZVN2110GTC | - | | 9059 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 500MA (TA) | 10V | 4ohm @ 1a, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 75 pf @ 25 v | - | 2W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)