SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
IXFQ26N50Q IXYS IXFQ26N50Q -
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ26 MOSFET (금속 (() to-3p - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 26A (TC) - - - -
IPA70R900P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA70R900P7SXKSA1 1.1000
RFQ
 ECAD 989 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA70R900 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60µA 6.8 NC @ 400 v ± 16V 211 PF @ 400 v - 20.5W (TC)
RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor Ru1c002zptcl 0.2900
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-85 Ru1c002 MOSFET (금속 (() umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 200MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 100µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 10V 115 pf @ 10 v - 150MW (TA)
AUIRFZ44NSTRL Infineon Technologies auirfz44nstrl 1.1600
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 49A (TC) 17.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v 1470 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
PTFB211503FL-V2-R250 Wolfspeed, Inc. PTFB211503FL-V2-R250 88.3548
RFQ
 ECAD 9069 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFB211503 2.17GHz LDMOS H-34288-4/2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 250 - 1.2 a 32W 18db - 30 v
ZVN3320FTC Diodes Incorporated zvn3320ftc -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 200 v 60MA (TA) 10V 25ohm @ 100ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 330MW (TA)
SSF6911S Good-Ark Semiconductor SSF6911S 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 60 v 2A (TC) 4.5V, 10V 190mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 615 pf @ 30 v - 1.56W (TC)
IPP65R660CFD Infineon Technologies IPP65R660CFD 1.0000
RFQ
 ECAD 4306 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 6A (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 615 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
IXFP72N20X3 IXYS IXFP72N20X3 8.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP72 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 72A (TC) 10V 20mohm @ 36a, 10V 4.5V @ 1.5MA 55 NC @ 10 v ± 20V 3780 pf @ 25 v - 320W (TC)
BSL806NL6327 Infineon Technologies BSL806NL6327 1.0000
RFQ
 ECAD 9381 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL806 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.3a 57mohm @ 2.3a, 2.5v 750MV @ 11µA 1.7nc @ 2.5v 259pf @ 10V 논리 논리 게이트
NTMFS5C604NLT3G onsemi NTMFS5C604NLT3G 7.2500
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 40A (TA), 287A (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 8900 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 200W (TC)
GTVA311801FA-V1-R250 Wolfspeed, Inc. GTVA311801FA-V1-R250 404.3900
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Wolfspeed, Inc. 간 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 H-37265J-2 GTVA311801 2.7GHz ~ 3.1GHz 헴 H-37265J-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 3A001B3 8541.29.0075 250 - 20 MA 180W 15db - 50 v
STL51N3LLH5 STMicroelectronics STL51N3LLH5 0.7800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ v 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL51 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 51A (TC) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 6.3a, 10V 2.5V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 22V 724 pf @ 25 v - 62.5W (TC)
STI40N65M2 STMicroelectronics STI40N65M2 4.3700
RFQ
 ECAD 811 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI40 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 32A (TC) 10V 99mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 56.5 nc @ 10 v ± 25V 2355 pf @ 100 v - 250W (TC)
DMP3013SFK-7 Diodes Incorporated DMP3013SFK-7 0.2393
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - DMP3013 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 10.5A (TA) - - - - - -
IXTP10N60P IXYS ixtp10n60p 3.3768
RFQ
 ECAD 3775 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP10 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 740mohm @ 5a, 10V 5.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 1610 pf @ 25 v - 200W (TC)
HUF76132S3 Harris Corporation HUF76132S3 1.0000
RFQ
 ECAD 2738 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
FDS2070N3 Fairchild Semiconductor FDS2070N3 1.9800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 4.1A (TA) 6V, 10V 78mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 1884 pf @ 75 v - 3W (TA)
PMZ600UNEZ Nexperia USA Inc. pmz600unez 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ600 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 600MA (TA) 1.2V, 4.5V 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 21.3 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
AUIRFN8458TRXTMA1 Infineon Technologies auirfn8458trxtma1 1.1568
RFQ
 ECAD 8275 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn AUIRFN8458 MOSFET (금속 (() 34W (TC) 8-pqfn (5x6) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 40V 43A (TC) 10mohm @ 26a, 10V 3.9V @ 25µA 33NC @ 10V 2250pf @ 25V -
IRF7842TR Infineon Technologies IRF7842TR -
RFQ
 ECAD 8215 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 18A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 17a, 10V 2.25V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4500 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
YJQ55P02A Yangjie Technology yjq55p02a 0.2040
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-yjq55p02atr 귀 99 5,000
STD12N50DM2 STMicroelectronics STD12N50DM2 1.9400
RFQ
 ECAD 1669 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD12 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 350mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 25V 628 pf @ 100 v - 110W (TC)
STI18N60M2 STMicroelectronics STI18N60M2 -
RFQ
 ECAD 8374 0.00000000 stmicroelectronics * 튜브 쓸모없는 STI18N - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50
SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir422dp-t1-ge3 1.1800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir422 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 6.6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1785 pf @ 20 v - 5W (TA), 34.7W (TC)
RJK03M9DNS-00#J5 Renesas Electronics America Inc RJK03M9DNS-00#J5 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-HWSON (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 14A (TA) 11.1MOHM @ 7A, 10V - 6 NC @ 4.5 v 980 pf @ 10 v - 10W (TC)
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L, EFF 1.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 10-smd,, 없음 MOSFET (금속 (() TCSPAC-153001 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 12 v 13.5A (TA) 2.5V, 4.5V 2.75mohm @ 6a, 4.5v 1.4V @ 1.11ma 25 nc @ 4 v ± 8V - 800MW (TA)
SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies SPD30N03S2L-07 -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 spd30n MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 30a, 10V 2V @ 85µA 68 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 25 v - 136W (TC)
A3G26D055N-1805 NXP USA Inc. A3G26D055N-1805 675.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 v 표면 표면 6-ldfn n 패드 100MHz ~ 2.69GHz 간 6-PDFN (7x6.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 - 40 MA 8W 13.9dB - 48 v
SIA911DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA911DJ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2606 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA911 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 94mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 12.8nc @ 8v 355pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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