SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon Technologies IAUS300N08S5N011TATMA1 8.9100
RFQ
 ECAD 5880 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 16-Powersop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-16-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 80 v 300A (TJ) 6V, 10V 1.1MOHM @ 100A, 10V 3.8V @ 275µA 231 NC @ 10 v ± 20V 16250 pf @ 40 v - 375W (TC)
R6524ENJTL Rohm Semiconductor R6524ENJTL 6.6500
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6524 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 750µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 245W (TC)
PBHV8115TLH215 NXP Semiconductors PBHV8115TLH215 0.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-PBHV8115TLH215-954 4,000
PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc. PSMP055N08NS1_T0_00601 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMP055N08 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMP055N08NS1_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 111A (TC) 7V, 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 3.75V @ 250µA 48 NC @ 7 v ± 20V 4773 pf @ 40 v - 136W (TC)
FDD86081-F085 onsemi FDD86081-F085 -
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 6.7A (TA), 21.4A (TC) 10V 31.5mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 36µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 493 pf @ 50 v - 3W (TA), 31.3W (TC)
FMG50AQ120N6 SanRex Corporation FMG50AQ120N6 307.1500
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 Sanrex Corporation - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4076-FMG50AQ120N6 귀 99 8541.10.0080 30 n 채널 1200 v 50A (TC) 20V 28mohm @ 50a, 20V 5V @ 1.5MA 290 NC @ 20 v +22V, -7V 9000 pf @ 20 v - 440W (TC)
IPT65R190CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT65R190CFD7XTMA1 1.6315
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() 희생 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v - - - - - - -
IRFR220 Harris Corporation IRFR220 0.5900
RFQ
 ECAD 528 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 528 n 채널 200 v 4.6A (TC) 800mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 50W (TC)
YJG85G06AK Yangjie Technology YJG85G06AK 0.5770
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJG85G06AKTR 귀 99 5,000
PHB27NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB27NQ10T, 118 -
RFQ
 ECAD 7872 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PHB27 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800
MMFTP3160-AQ Diotec Semiconductor MMFTP3160-AQ 0.1157
RFQ
 ECAD 8609 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMFTP3160-AQTR 8541.21.0000 3,000 p 채널 30 v 2.6a 4.5V, 10V 90mohm @ 2.6a, 10V 2V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 410 pf @ 10 v - 1.4W
SQJ402EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ402EP-T1_BE3 1.5700
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj402ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 32A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 10.7a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2286 pf @ 25 v - 83W (TC)
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z65C, S1F 48.8100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-4 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L (X) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 100A (TC) 18V 22mohm @ 50a, 18V 5V @ 11.7ma 128 nc @ 18 v +25V, -10V 4850 pf @ 400 v - 342W (TC)
DMTH45M5LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LFVWQ-13 0.3197
RFQ
 ECAD 7031 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMTH45M5LFVWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 18A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2.3V @ 250µA 13.9 NC @ 10 v ± 20V 978 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 51W (TC)
RM70P30LD Rectron USA RM70P30LD 0.2800
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM70P30LDTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 3450 pf @ 25 v - 90W (TC)
DMN2710UFBQ-7B Diodes Incorporated DMN2710UFBQ-7B -
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMN2710UFBQ-7BTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 6V 42 pf @ 16 v - 720MW (TA)
PJQ5466A1-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq5466a1-au_r2_000a1 0.9500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5466 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq5466a1-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.4A (TA), 48A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 100W (TC)
NVMFS5833NLT1G onsemi NVMFS5833NLT1G -
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5833 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 16A (TA) 10V 7.5mohm @ 40a, 10V 3.5V @ 250µA 32.5 nc @ 10 v ± 20V 1714 pf @ 25 v - 3.7W (TA)
PSMN5R3-25MLDX NXP USA Inc. psmn5r3-25mldx 1.0000
RFQ
 ECAD 5003 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 25 v 70A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 12.7 NC @ 10 v ± 20V 858 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 51W (TC)
TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z, LQ 3.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 4-vSfn s 패드 TK210V65 MOSFET (금속 (() 4-DFN-EP (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 15A (TA) 10V 210mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 610µA 25 nc @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 300 v - 130W (TC)
PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4463ap-au_r2_000a1 0.7900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4463 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 60 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 879 pf @ 30 v - 2.1W (TA)
IPP80CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP80CN10NGXKSA1 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-123 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 13A (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10V 4V @ 12µA 11 NC @ 10 v ± 20V 716 pf @ 50 v - 31W (TC)
FDD850N10L Fairchild Semiconductor FDD850N10L -
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 15.7A (TC) 5V, 10V 75mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 28.9 NC @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 25 v - 50W (TC)
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated DMT6004LPS-13 1.5200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT6004 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 22A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 96.3 NC @ 10 v ± 20V 4515 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 105W (TC)
SPA20N60CFD Infineon Technologies SPA20N60CFD 3.0600
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 20.7A (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 35W (TC)
IRFU5305PBF International Rectifier IRFU5305PBF -
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-IRFU5305PBF-600047 귀 99 0000.00.0000 1 p 채널 55 v 31A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 110W (TC)
NVMFS5C442NWFET1G onsemi NVMFS5C442NWFET1G 1.0181
RFQ
 ECAD 1941 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVMFS5C442NWFET1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 29A (TA), 140A (TC) 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 90µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
FQB9N25CTM Fairchild Semiconductor FQB9N25CTM 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 8.8A (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 710 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 74W (TC)
IRL2203NPBF International Rectifier IRL2203NPBF -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 116A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 1V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 16V 3290 pf @ 25 v - 180W (TC)
IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT65R080CFD7XTMA1 3.3605
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-Powersfn - PG-HSOF-8-3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 - 650 v - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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