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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
2SJ208-T1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ208-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000
BSS223PWL6327 Infineon Technologies BSS223PWL6327 -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 인피온 인피온 Optimos® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() PG-SOT323-3-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 390MA (TA) 2.5V, 4.5V 1.2ohm @ 390ma, 4.5v 1.2V @ 1.5µA 0.62 nc @ 4.5 v ± 12V 56 pf @ 15 v - 250MW (TA)
RJJ0621DPP-0P#T2 Renesas Electronics America Inc RJJ0621DPP-0P#T2 1.4400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
UPA1524H-AZ Renesas Electronics America Inc UPA1524H-AZ -
RFQ
 ECAD 8683 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 35
CPH6614-TL-E onsemi CPH6614-TL-E 0.1400
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1
BSP324L6327 Infineon Technologies BSP324L6327 0.2900
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 25ohm @ 170ma, 10V 2.3V @ 94µA 5.9 NC @ 10 v ± 20V 154 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IPB80N03S4L03 Infineon Technologies IPB80N03S4L03 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 295 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 45µA 75 NC @ 10 v ± 16V 5100 pf @ 25 v - 94W (TC)
SPB10N10LG Infineon Technologies spb10n10lg 0.4200
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 10.3A (TC) 10V 154mohm @ 8.1a, 10V 2V @ 21µA 22 nc @ 10 v ± 20V 444 pf @ 25 v - 50W (TC)
PSMN1R9-40PL127 NXP USA Inc. PSMN1R9-40PL127 1.6700
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 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 psmn1r9 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 194
RJK4007DPP-00#T2 Renesas Electronics America Inc RJK4007DPP-00#T2 1.3300
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
UPA2780GR-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2780GR-E1-A 1.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
BTC30010-1TAA Infineon Technologies BTC30010-1TAA 2.8900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) PG-263-7-8 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1,000
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L, LXHQ 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ60S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 60A (TA) 6V, 10V 11.2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1mA 156 NC @ 10 v +10V, -20V 7760 pf @ 10 v - 100W (TC)
RF1S540 Harris Corporation RF1S540 1.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 25 v - 150W (TC)
PSMNR70-40SSHJ Nexperia USA Inc. psmnr70-40sshj 6.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 psmnr70 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 425A (TA) 10V 0.7mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 202 NC @ 10 v ± 20V 15719 pf @ 25 v Schottky Diode (Body) 375W (TA)
FCHD125N65S3R0-F155 onsemi FCHD125N65S3R0-F155 7.0100
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCHD125 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 4.5V @ 590µA 46 NC @ 10 v ± 30V 1940 pf @ 400 v - 181W (TC)
NTHL027N65S3HF onsemi NTHL027N65S3HF 21.5700
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL027 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 75A (TC) 10V 27.4mohm @ 35a, 10V 5V @ 3MA 225 NC @ 10 v ± 30V 7630 pf @ 400 v - 595W (TC)
NTHLD040N65S3HF onsemi NTHLD040N65S3HF 17.3700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® III 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHLD040 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 65A (TC) 10V 40mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 2.1ma 159 NC @ 10 v ± 30V 5945 pf @ 400 v - 446W (TC)
NTMYS010N04CLTWG onsemi NTMYS010N04CLTWG 3.1100
RFQ
 ECAD 8014 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK NTMYS010 MOSFET (금속 (() LFPAK4 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 14A (TA), 38A (TC) 4.5V, 10V 10.3mohm @ 20a, 10V 2V @ 20µA 7.3 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 28W (TC)
SIHFL110TR-GE3 Vishay Siliconix SIHFL110TR-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SIHFL110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.5A (TC) 10V 540mohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SIHB6N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB6N80E-GE3 1.3550
RFQ
 ECAD 1217 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB6 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 5.4A (TC) 10V 940mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 30V 827 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIHF530STRL-GE3 Vishay Siliconix SIHF530STRL-GE3 1.0700
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
RJK1053DPB-WS#J5 Renesas Electronics America Inc RJK1053DPB-WS#J5 -
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 쟁반 쓸모없는 - 559-RJK1053DPB-WS#J5 쓸모없는 1
RJK0456DPB-WS#J5 Renesas Electronics America Inc RJK0456DPB-WS#J5 -
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 쟁반 쓸모없는 다운로드 559-RJK0456DPB-WS#J5 쓸모없는 1
RJK03M4DPA-WS#J5A Renesas Electronics America Inc RJK03M4DPA-WS#J5A -
RFQ
 ECAD 8508 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 쟁반 쓸모없는 - 559-RJK03M4DPA-WS#J5A 쓸모없는 1
NVMFS015N10MCLT1G onsemi NVMFS015N10MCLT1G 1.3200
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS015 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 10.5A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 12.2mohm @ 14a, 10V 2.2V @ 282µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1338 pf @ 50 v - 3W (TA), 79W (TC)
BVSS138LT3G onsemi BVSS138LT3G -
RFQ
 ECAD 4834 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BVSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 3.5ohm @ 200ma, 5V 1.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
SCT20N120H STMicroelectronics SCT20N120H 16.5900
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SCT20 sicfet ((카바이드) H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 20A (TC) 20V 290mohm @ 10a, 20V 3.5V @ 1mA 45 NC @ 20 v +25V, -10V 650 pf @ 400 v - 175W (TC)
STD18N60M6 STMicroelectronics STD18N60M6 2.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD18 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 4.75V @ 250µA 16.8 nc @ 10 v ± 25V 650 pf @ 100 v - 110W (TC)
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F, S4X 0.8300
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK4K1A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 4.1ohm @ 1a, 10V 4V @ 190µA 8 nc @ 10 v ± 30V 270 pf @ 300 v - 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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