SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI2303CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-BE3 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2303 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 1.9A (TA), 2.7A (TC) 4.5V, 10V 190mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 155 pf @ 15 v - 1W (TA), 2.3W (TC)
9G85-BSS138 onsemi 9G85-BSS138 -
RFQ
 ECAD 9657 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-9G85-BSS138TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 220MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 1mA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 27 pf @ 25 v - 360MW (TA)
SCT4026DRC15 Rohm Semiconductor SCT4026DRC15 22.1000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT4026 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4026DRC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 750 v 56A (TC) 18V 34mohm @ 29a, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 NC @ 18 v +21V, -4V 2320 pf @ 500 v - 176W
FDMS5361L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS5361L-F085 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 56 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDMS5361L-F085-600039 1 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 16.5a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1980 pf @ 25 v - 75W (TC)
AUIRFSL4115 International Rectifier auirfsl4115 2.4500
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 150 v 99A (TC) 10V 12.1MOHM @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5270 pf @ 50 v - 375W (TC)
AUIRF2903Z International Rectifier AUIRF2903Z 2.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 160A (TC) 10V 2.4mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6320 pf @ 25 v - 290W (TC)
SPS04N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPS04N60C3BKMA1 -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK SPS04N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 650 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200µA 25 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_BE3 0.9000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2310 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SQ2310ES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 8V 485 pf @ 10 v - 2W (TC)
IPB65R225C7ATMA2 Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA2 1.5955
RFQ
 ECAD 1321 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R225 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 225mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 240µA 20 nc @ 10 v ± 20V 996 pf @ 400 v - 63W (TC)
SPP08P06PHXKSA1 Infineon Technologies spp08p06phxksa1 -
RFQ
 ECAD 5450 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp08p MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 300mohm @ 6.2a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 25 v - 42W (TC)
STD4NK50ZD STMicroelectronics STD4NK50ZD -
RFQ
 ECAD 1768 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std4n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 v ± 30V 310 pf @ 25 v - 45W (TC)
R6020JNJGTL Rohm Semiconductor R6020JNJGTL 4.8900
RFQ
 ECAD 940 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6020 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 20A (TC) 15V 234mohm @ 10a, 15V 7V @ 3.5mA 45 nc @ 15 v ± 30V 1500 pf @ 100 v - 252W (TC)
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3H137TU, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3H137 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 34 v 2A (TA) 4V, 10V 240mohm @ 1a, 10V 1.7v @ 1ma 3 NC @ 10 v ± 20V 119 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DMP3099LQ-13 Diodes Incorporated DMP3099LQ-13 0.0550
RFQ
 ECAD 8688 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3099 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.8a, 10V 2.1V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 563 pf @ 25 v - 1.08W
IXFV26N60P IXYS ixfv26n60p -
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 ixys Polarhv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV26 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 270mohm @ 500ma, 10V 5V @ 4MA 72 NC @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies IPA50R800CEXKSA2 0.9600
RFQ
 ECAD 343 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R800 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.1A (TC) 13V 800mohm @ 1.5a, 13v 3.5V @ 130µA 12.4 NC @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 26.4W (TC)
FQA16N50 onsemi FQA16N50 -
RFQ
 ECAD 5078 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 500 v 16A (TC) 10V 320mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 25 v - 200W (TC)
STW48N60DM2 STMicroelectronics STW48N60DM2 10.6600
RFQ
 ECAD 4222 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW48 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 79mohm @ 20a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 25V 3250 pf @ 100 v - 300W (TC)
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j53fe (te85l, f) -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6J53 MOSFET (금속 (() ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 20 v 1.8A (TA) 1.5V, 2.5V 1A 1A, 2.5V 136MOHM 1V @ 1mA 10.6 NC @ 4 v ± 8V 568 pf @ 10 v - 500MW (TA)
AOB280L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB280L 2.4890
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB280 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 20.5A (TA), 140A (TC) 6V, 10V 2.2MOHM @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 224 NC @ 10 v ± 20V 11135 pf @ 40 v - 2.1W (TA), 333W (TC)
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies IPD600N25N3GATMA1 3.0100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD600 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 25A (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 90µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 100 v - 136W (TC)
RRQ045P03TR Rohm Semiconductor RRQ045P03TR 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RRQ045 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 4.5A (TA) 4V, 10V 35mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 5 v ± 20V 1350 pf @ 10 v - 600MW (TA)
DMN95H2D2HCTI Diodes Incorporated DMN95H2D2HCTI -
RFQ
 ECAD 9449 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 DMN95 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 6A (TC) 10V 2.2ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 20.3 NC @ 10 v ± 30V 1487 pf @ 25 v - 40W (TC)
CEN1232 BK Central Semiconductor Corp CEN1232 BK -
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 Central Semiconductor Corp * 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
PMPB14XPX Nexperia USA Inc. PMPB14XPX 0.5300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB14 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12.7A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 8.6a, 4.5v 950MV @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 8V 2303 pf @ 6 v - 3.9W (TA)
IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R360P7ATMA1 1.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140µA 13 nc @ 10 v ± 20V 555 pf @ 400 v - 41W (TC)
STW75NF20 STMicroelectronics STW75NF20 4.9700
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW75 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5959-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 75A (TC) 10V 34mohm @ 37a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 20V 3260 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRF730ASTRRPBF Vishay Siliconix IRF730ARSTRPBF -
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 74W (TC)
STD2NK90Z-1 STMicroelectronics STD2NK90Z-1 1.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA std2 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 900 v 2.1A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.05a, 10V 4.5V @ 50µA 27 NC @ 10 v ± 30V 485 pf @ 25 v - 70W (TC)
NTTFS4C65NTWG onsemi nttfs4c65ntwg -
RFQ
 ECAD 2808 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4 - 8-wdfn (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 7.7A (TA) - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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