SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X, S5X 3.8400
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK22A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 22A (TA) 10V 150mohm @ 11a, 10V 3.5v @ 1.1ma 50 nc @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 300 v - 45W (TC)
TK380A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A65Y, S4X 1.8300
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK380A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9.7A (TC) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 360µA 20 nc @ 10 v ± 30V 590 pf @ 300 v - 30W (TC)
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL, LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPN5R203 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 38A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 19a, 10V 2.1V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1975 pf @ 15 v - 610MW (TA), 61W (TC)
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Tk28n65w5, S1f 6.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK28N65 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 27.6A (TA) 10V 130mohm @ 13.8a, 10V 4.5V @ 1.6MA 90 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 230W (TC)
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL, L1Q 1.5800
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPH1R405 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 45 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 v ± 20V 6300 pf @ 22.5 v - 960MW (TA), 132W (TC)
TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL, L1Q 3.0600
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerwdfn TPWR6003 MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 0.6mohm @ 50a, 10V 2.1v @ 1ma 110 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 15 v - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL, L1Q 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPH3R70 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 45a, 10V 2.5V @ 1mA 67 NC @ 10 v ± 20V 6300 pf @ 50 v - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL, L1Q 2.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPH1R306 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.34mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 30 v - 960MW (TA), 170W (TC)
TK10A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50W, S5X 1.9200
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK10A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 9.7A (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 30W (TC)
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5, LQ 5.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 4-vSfn s 패드 TK28V65 MOSFET (금속 (() 4-DFN-EP (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 27.6A (TA) 10V 140mohm @ 13.8a, 10V 4.5V @ 1.6MA 90 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 240W (TC)
R6547KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6547KNZ4C13 15.3400
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6547 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6547KNZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 47A (TC) 10V 80mohm @ 25.8a, 10V 5V @ 1.72ma 100 nc @ 10 v ± 20V 4100 pf @ 25 v - 480W (TC)
R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6076KNZ4C13 20.3900
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6076 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6076KNZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 76A (TC) 10V 42MOHM @ 44.4A, 10V 5V @ 1MA 165 NC @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 25 v - 735W (TC)
BSS138-G onsemi BSS138-G 0.5100
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 220MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 1mA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 27 pf @ 25 v - 360MW (TA)
STF22N60DM6 STMicroelectronics STF22N60DM6 1.5867
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF22 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 230mohm @ 7.5a, 10V 4.75V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 25V 800 pf @ 100 v - 30W (TC)
STF36N60M6 STMicroelectronics STF36N60M6 6.3400
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF36 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 99mohm @ 15a, 10V 4.75V @ 250µA 44.3 NC @ 10 v ± 25V 1960 pf @ 100 v - 40W (TC)
STFU25N60M2-EP STMicroelectronics STFU25N60M2-EP 1.7165
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFU25 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 188mohm @ 9a, 10V 4.75V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1090 pf @ 100 v - 30W (TC)
STU6N60DM2 STMicroelectronics stu6n60dm2 0.6333
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu6n60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.5a, 10V 4.75V @ 250µA 6.2 NC @ 10 v ± 25V 274 pf @ 100 v - 60W (TC)
ZXMN3B01FTC Diodes Incorporated zxmn3b01ftc 0.1721
RFQ
 ECAD 3752 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 zxmn3b01ftcdi 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 1.7A (TA) 2.5V, 4.5V 150mohm @ 1.7a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 2.93 NC @ 4.5 v ± 12V 258 pf @ 15 v - 625MW (TA)
DMP2079LCA3-7 Diodes Incorporated DMP2079LCA3-7 0.1027
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP2079 MOSFET (금속 (() x4-dsn1006-3 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2079LCA3-7DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 3.4A (TA) 1.8V, 8V 78mohm @ 500ma, 8v 1.2V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v -12V 152 pf @ 10 v - 810MW
DMP2109UVT-13 Diodes Incorporated DMP2109UVT-13 0.0874
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP2109 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2109UVT-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 10V 443 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
DMP3007SCGQ-13 Diodes Incorporated DMP3007777SCGQ-13 0.5835
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3007 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP3007SCGQ-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 64.2 NC @ 10 v ± 25V 2826 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMP4011SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP4011SK3Q-13 0.5555
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP4011 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMP4011SK3Q-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 14A (TA), 74A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2747 pf @ 20 v - 1.8W (TA), 5W (TC)
DMT10H009LH3 Diodes Incorporated DMT10H009LH3 0.8644
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK DMT10 MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMT10H009LH3DI 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 84A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 20.2 NC @ 4.5 v ± 20V 2309 pf @ 50 v - 96W (TC)
DMT10H009LPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009LPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT10 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 10A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 40.2 NC @ 10 v ± 20V 2309 pf @ 50 v - 1.3W (TA)
DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H015SK3-13 0.4122
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMT10 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMT10H015SK3-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 54A (TC) 6V, 10V 14mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 30.1 NC @ 10 v ± 20V 2343 pf @ 50 v - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
DMT6012LFV-13 Diodes Incorporated DMT6012LFV-13 0.2478
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT6012 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (유형 UX) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT6012LFV-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 43.3A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 22.2 NC @ 10 v ± 20V 1522 pf @ 30 v - 1.95W (TA), 33.78W (TC)
DMTH41M8SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH41M8SPSQ-13 1.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH41 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 1.8mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 79.5 nc @ 10 v ± 20V 6968 pf @ 20 v - 3.03W
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW120R220M1HXKSA1 9.4500
RFQ
 ECAD 368 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IMW120 sicfet ((카바이드) PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001946188 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 13A (TC) 15V, 18V 286mohm @ 4a, 18V 5.7v @ 1.6ma 8.5 NC @ 18 v +23V, -7v 289 pf @ 800 v - 75W (TC)
IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZ120R090M1HXKSA1 14.1900
RFQ
 ECAD 665 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMZ120 sicfet ((카바이드) PG-to247-4-1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 26A (TC) 15V, 18V 117mohm @ 8.5a, 18V 5.7v @ 3.7ma 21 NC @ 18 v +23V, -7v 707 pf @ 800 v - 115W (TC)
DMG7430LFGQ-7 Diodes Incorporated DMG7430LFGQ-7 0.2384
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMG7430 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMG7430LFGQ-7DI 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 30 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 26.7 NC @ 10 v ± 20V 1281 pf @ 15 v - 900MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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