SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated DMP6023LFG-7 0.9100
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP6023 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 7.7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 53.1 NC @ 10 v ± 20V 2569 pf @ 30 v - 1W (TA)
BSP300 E6327 Infineon Technologies BSP300 E6327 -
RFQ
 ECAD 2487 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 190ma (TA) 10V 20ohm @ 190ma, 10V 4V @ 1MA ± 20V 230 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
CWDM305P TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CWDM305P TR13 PBFREE 0.1183
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) CWDM305 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.3A (TA) 5V, 10V 72mohm @ 2.7a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 5 v 16V 590 pf @ 10 v - 2W (TA)
STB45N30M5 STMicroelectronics STB45N30M5 6.9800
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB45 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 53A (TC) 10V 40mohm @ 26.5a, 10V 5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 25V 4240 pf @ 100 v - 250W (TC)
APT12080JVR Microsemi Corporation APT12080JVR -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 Microsemi Corporation MOS V® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 15A (TC) 10V 800mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 2.5MA 485 NC @ 10 v ± 30V 7800 pf @ 25 v - 450W (TC)
UPA2752GR(1)-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2752GR (1) -E1 -A -
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 -
SN7002NH6433XTMA1 Infineon Technologies SN7002NH6433XTMA1 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SN7002 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 26µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 45 pf @ 25 v - 360MW (TA)
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated DMN62D1LFD-7 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn DMN62 MOSFET (금속 (() X1-DFN1212-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 1.8V, 4V 2ohm @ 100ma, 4v 1V @ 250µA 0.55 nc @ 4.5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 500MW (TA)
NTTFS4937NTWG onsemi NTTFS4937NTWG -
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4937 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 11A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 35.5 nc @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 15 v - 860MW (TA), 43.1W (TC)
DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated DMN62D0UT-13 0.0500
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN62 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN62D0UT-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 320MA (TA) 1.8V, 2.5V, 4.5V 2ohm @ 50ma, 4.5v 1V @ 250A 0.5 nc @ 4.5 v ± 20V 32 pf @ 30 v - 230MW (TA)
NVMFS5C645NLT3G onsemi NVMFS5C645NLT3G -
RFQ
 ECAD 7122 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 22A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 50 v - 79W (TC)
SPB80N04S2L-03 Infineon Technologies SPB80N04S2L-03 -
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 213 NC @ 10 v ± 20V 7930 pf @ 25 v - 300W (TC)
RJK6002DPD-WS#J2 Renesas Electronics America Inc RJK6002DPD-WS#J2 -
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() MP-3A - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 6.8ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 1mA 6.2 NC @ 10 v ± 30V 165 pf @ 25 v - 30W (TC)
ATP113-TL-H onsemi ATP113-TL-H 1.5900
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP113 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 35A (TA) 4V, 10V 29.5mohm @ 18a, 10V - 55 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 20 v - 50W (TC)
DMTH8012LK3-13 Diodes Incorporated DMTH8012LK3-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH8012 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 50A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1949 pf @ 40 v - 2.6W (TA)
FQA24N60 onsemi FQA24N60 6.9200
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA24 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 23.5A (TC) 10V 240mohm @ 11.8a, 10V 5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 30V 5500 pf @ 25 v - 310W (TC)
ATP613-TL-H onsemi ATP613-TL-H -
RFQ
 ECAD 9052 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP613 MOSFET (금속 (() atpak - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5.5A (TA) 10V 2ohm @ 2.75a, 10V - 13.8 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 30 v - 70W (TC)
DMT31M6LPS-13 Diodes Incorporated DMT31M6LPS-13 0.5593
RFQ
 ECAD 2359 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT31 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 35.8A (TA) 4.5V, 10V 1.35mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 123 NC @ 10 v ± 20V 7019 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS119NH6327XTSA1 0.4200
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS119 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 190ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 190ma, 10V 2.3V @ 13µA 0.6 nc @ 10 v ± 20V 20.9 pf @ 25 v - 500MW (TA)
IXFV30N50P IXYS ixfv30n50p -
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV30 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 30A (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10V 5V @ 4MA 70 nc @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
BS7067N06LS3G Infineon Technologies BS7067N06LS3G -
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 14A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 35µA 62 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 78W (TC)
FDP55N06 onsemi FDP55N06 1.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP55 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 55A (TC) 10V 27.5A, 10V 22mohm 4V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 25V 1510 pf @ 25 v - 114W (TC)
IPB80N06S2L-H5 Infineon Technologies IPB80N06S2L-H5 -
RFQ
 ECAD 5213 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 300W (TC)
SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7413DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1497 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7413 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8.4A (TA) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 13.2a, 4.5v 1V @ 400µA 51 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
MTD6N15T4GV onsemi MTD6N15T4GV -
RFQ
 ECAD 1571 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 mtd6n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 6A (TC) 10V 300mohm @ 3a, 10V 4.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 1.25W (TA), 20W (TC)
AONR62921 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR62921 0.6733
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 AONR629 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
STW56N65DM2 STMicroelectronics STW56N65DM2 11.7000
RFQ
 ECAD 375 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW56 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 48A (TC) 10V 65mohm @ 24a, 10V 5V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 25V 4100 pf @ 100 v - 360W (TC)
NVD5C464NT4G onsemi NVD5C464NT4G 1.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD5C464 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 16A (TA), 59A (TC) 10V 5.8mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3W (TA), 40W (TC)
IXCP01N90E IXYS IXCP01N90E -
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP01 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 250MA (TC) 10V 80ohm @ 50ma, 10V 5V @ 25µA 7.5 NC @ 10 v ± 20V 133 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRFS4127PBF Infineon Technologies IRFS4127pbf -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 72A (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5380 pf @ 50 v - 375W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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